MOSFET MDF9n50
- บรรจุภัณฑ์: to-220f
- มาร์ค: KWS
- ต้นกำเนิด: China
-
Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่อกำเนิดความถี่ 7t69rb
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
-
Huizhou Yiyuan Machinery Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
650V, 0.69ω 12A โมสเฟต N-Channel to-220 สำหรับแทนที่ Irfb9n65A
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Cpm Electronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Bcp56 NPN SO-6 ทรานซิสเตอร์ 223
- การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
-
Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไทรแอค , ไฮริสเตอร์ (B131)
- บรรจุภัณฑ์: to-92
- มาตรฐาน: ISO 9001, ISO 14001, UL, ROHS, SGS, REACH, etc.
- มาร์ค: JJ
- ต้นกำเนิด: Jiangsu, China
- กำลังการผลิต: 10000000PCS/Month
-
Ningbo Haishu Jiemao Electronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
12-1215MHz 100W RF Ldmos ทรานซิสเตอร์ขนาด 960 วัตต์
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box Pacakge
- กำลังการผลิต: 100
-
Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า Cool MOS (SPP04N60C3)
- บรรจุภัณฑ์: 50 PCS/Tube
- รหัส HS: 8542390000
- กำลังการผลิต: 100000
-
Hongkong Partnartek Company
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดไทรโนด Fu3092ca ซึ่งเทียบเท่ากับ Bw1185j2, Yd1212
- บรรจุภัณฑ์: Air Worthy Cartons Packing
- มาร์ค: EECTECH
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 8540890000
- กำลังการผลิต: 50 PCS Per Months
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ทรานซิสเตอร์ Blf1043 กำลังสูง
- บรรจุภัณฑ์: 2-Cdip
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไดโอดหลายฟังก์ชัน Kbl สำหรับขายส่งเซมิคอนดักเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แยกไดโอดและรีกติเฟียร์บริดจ์รีกติเฟียร์
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
trode Bw1185j2/Yd1212/Itk90-1/Fu-3092a 1
- การรับรอง: CE
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Wooden Box
- มาร์ค: HUAGUANG
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Liaoning, China
ส่วนประกอบราคาโรงงาน Electronic Wson-05 8 (2x2) TPS22965tdsq1
- การรับรอง: RoHS
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Air Transport
- มาร์ค: TI
- ต้นกำเนิด: Philippines
-
Q-Yang Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
MOSFET MDF7N60
- บรรจุภัณฑ์: to-220f
- มาร์ค: KWS
- ต้นกำเนิด: China
-
Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิด NPN ใน ISC (2SC3320)
- บรรจุภัณฑ์: to-3pn
- มาตรฐาน: OEM
- มาร์ค: ISCSEMI/ISC
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 85412900
- กำลังการผลิต: 10000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
2sc0435t2f1-3 ชิปไดร์ฟ Grid 17 ของแผ่นขับ
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้าง: PNP
- วัสดุ: เจอร์เมเนียม
- บรรจุภัณฑ์: Tray
- กำลังการผลิต: 500
-
CRD Technology (HK) Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
SOA-4 23 ทรานซิสเตอร์แบบ Bipolar --2SA1162 (PNP)
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
SD1446 Hg1446 ทรานซิสเตอร์
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Binhu Boer Electronic Components Sales Center
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
15V/70A โมสเฟต N-Channel เพื่อ 252 ประเภท แทนที่สำหรับ Irlr3802
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Cpm Electronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
MOSFET N-Channel 2n7002
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ความเร็วทรานซิสเตอร์กำลังสูง 47n65c3
- การรับรอง: RoHS
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- มาตรฐาน: TO-247
- มาร์ค: INFINEO
-
E-Solution Technology Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่ออิเล็กตรอน Fu3069f เทียบเท่ากับ E3069 สำหรับ HF Dielectric Heatingating การทำความร้อน
- การรับรอง: CE,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ทรานซิสเตอร์กำลัง RF Ptf092213EL V4 Ptf092213EL
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
สะพานไดโอด Sihon Bridge Rectifier Skbp 1A 1000V แพ็คเกจสะพานไดโอดสำหรับไฟ LED
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
มีเพียงผู้ผลิตเดียวในโลกสำหรับหลอดอิเล็กโทรดอีน 5867A
- การรับรอง: CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Liaoning, China
หลอดอิเล็กตรอน FD-912 วินาทีหลอดเซรามิกทรงโลหะกำลังสูง
- การรับรอง: ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
Lmh6643max) ( ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ IC ชิปรวมวงจร IC) Lmh6643max/nb
- การรับรอง: RoHS
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: PNP
-
Q-Yang Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
SOA-4 23 ทรานซิสเตอร์แบบ Bipolar --2SA1036
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
