ไดโอดมัลติฟังก์ชัน Sgbp สำหรับขายส่งเซมิคอนดักเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แยกไดโอดและรีกติฟายเออร์บริดจ์รีกติฟายเออร์
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
ความเร็วทรานซิสเตอร์กำลังสูงถึง 20n60c3 Spw20n60
- บรรจุภัณฑ์: to-247-3
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
60kw Electron Triode Fu-308 สำหรับการใช้งานนำความร้อน
- การรับรอง: CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ไดโอดมัลติฟังก์ชัน DMF สำหรับขายส่งเซมิคอนดักเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนไดโอดและรีกติฟายเออร์รีกติฟายเออร์บริดจ์
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
5868 ท่อแก้วอิเล็กตรอนสุญญากาศเทียบเท่า 1250 กับท่อแก้ว Tb4/9
- การรับรอง: CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า E13005 E13005-05 1
- บรรจุภัณฑ์: N/a
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
บริดจ์เรกติฟายเออร์ไดโอด Kbp 1A 1000V แพ็คเกจบริดจ์ไดโอดสำหรับ LED
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
ท่ออิเล็กตรอน Fu3069f เทียบเท่ากับ E3069 สำหรับ HF Dielectric Heatingating การทำความร้อน
- การรับรอง: CE,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
บริดจ์เรกติฟายเออร์จีบียูไดโอด 1A 1000V แพ็คเกจบริดจ์ไดโอดสำหรับหลอดไฟ LED
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
บริดจ์เรกติฟายเออร์ดีเอ็มบีไดโอด 1A 1000V แพ็คเกจบริดจ์ไดโอดสำหรับหลอดไฟ LED
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
ทรานซิสเตอร์กำลังไฟ NPN (W13001, W13002 Series)
- กำลังการผลิต: 1 billion pcs/year
-
Shenzhen GHD Electronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ISC Silicon NPN ตัวต้านทานไฟฟ้า (TIP31C)
- มาร์ค: ISCSEMI/ISC
- รหัส HS: 85412900
- กำลังการผลิต: 10000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
พาวเวอร์ MOSFET (STP10NK80FP)
- บรรจุภัณฑ์: 50 PCS/Tube, 1000 PCS/Box
- รหัส HS: 8542390000
- กำลังการผลิต: 50000
-
Hongkong Partnartek Company
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Cat4104vp2-Gt3 Electronic Components Original IC Chip BOM List Service Tdfn-1 8 ในสต็อก Cat4104 vp2-Gt3
- การรับรอง: RoHS
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- บรรจุภัณฑ์: Air Transport
- ต้นกำเนิด: Made-in-Taiwan
- กำลังการผลิต: 6000
-
Q-Yang Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
แผ่นฐานแบบสี่เหลี่ยมคางหมู Rhomboid พร้อมฝาปิดสำหรับโมดูล IGBT
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: โลหะผสม
-
Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
ทรานซิสเตอร์ NPN BC547
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไดโอดเตาปฏิกรณ์ Varact, ตัวต้านทานไฟฟ้า
- รหัส HS: 85
-
Sheng Da Technology Co.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ขั้วไฟฟ้ากระแสไฟฟ้าแบบหลอดกริดกำลังแรงสูงขั้วกะวัตต์ 200kw
-
Beijing Hertz Union Tech Co.,Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
MOSFET (WFF4N60)
- มาร์ค: MEIYA
- กำลังการผลิต: 50000
-
Shenzhen Meiya Technologies Co.,Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Blf188xr MOSFET Ldmos ทรานซิสเตอร์สำหรับการเผยแพร่และการใช้งานในอุตสาหกรรม ในย่านความถี่ HF เป็น 600MHz
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box Package
- กำลังการผลิต: 1000
-
Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
ซิลิคอน N-Channel พาวเวอร์ MOSFET (SFP50N06)
- บรรจุภัณฑ์: to-220
- กำลังการผลิต: 500, 000, 000
-
Winsemi Microelectronics Company Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า (D882)
- มาร์ค: GSME
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 900, 000, 000PCS
-
Guilin Strong Micro Electronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangxi, China
FCU3060C RF Power trode เทียบเท่า RS3060CJ
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- รหัส HS: 8540890000
- กำลังการผลิต: 500 PCS Per Year
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ทรานซิสเตอร์กำลัง RF (2SC1946A 2SC1946)
- รหัส HS: 8541100000
- กำลังการผลิต: 50, 000 PCS/Year.
-
Bocen (Hk) Technology Co.,Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China