ระบบไฟเลี้ยงแบบเดิม MOSFET N-Channel
-
Shenzhen Faisemi Electronic Co.,Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Hubei, China
สะพานซิฮอน รีคติฟายเออร์ ไดโอด Kbpc 1A 1000V แพ็คเกจดิจิตอลบริดจ์ไดโอดสำหรับ LED
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
Bcp56 NPN SO-6 ทรานซิสเตอร์ 223
- การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
-
Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Wsfdcp03/Wsfdc20p03 -30V-40A TO252 P-Channel ขายส่ง Winsek FET
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plate
- มาตรฐาน: 10*7*3 mm
-
Hong Kong Olukey Industry Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ Bc817, 215 16 Bc817-16/716K-16R/16hr/25hr/40R/25/40 ชั่วโมง
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Shenzhen Ruilongge Technology Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ชิ้นส่วนอัลลอยไฟฟ้าสุญญากาศสุญญากาศไฟฟ้ากระแสไฟฟ้าขึ้นจากโลหะผสมสุญญากาศ
- การรับรอง: ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: โลหะผสม
- บรรจุภัณฑ์: Pallet, Wooden Box
- มาตรฐาน: NSi0.9, NMg0.1, NMn3, NMn5
-
Gansu Aofei Trading Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Gansu, China
จัดหาทรานซิสเตอร์ SCR คุณภาพสูง X0405 ถึง 202
- การรับรอง: RoHS
- บรรจุภัณฑ์: to-202
- มาตรฐาน: 4A/600V SCR
- มาร์ค: MX
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 800000
-
Nantong Mingxin Microelectronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Tl431 To92 Sot89 ot89 Triode Semiconductor Power IC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: ระนาบ
-
Dongguan Ruyijia Technology Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
650V/12A โมสเฟต N-Channel to-220f ประเภทสำหรับเปลี่ยน Tk11A65D
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Cpm Electronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดสุญญากาศ 3 c-500c ท่อแก้ว , 500 – 3 Z การจับคู่หลอด , สามารถใช้กับหลอดได้
- การรับรอง: CE,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
SD1446 Hg1446 ทรานซิสเตอร์
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Binhu Boer Electronic Components Sales Center
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
ทรานซิสเตอร์ FET RF 2CH 110V 860MHz Ni-MH 1230 นาง Vp3450hr6
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
-
Smartec Electronic Corporation Company
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หัวแคโทดโลหะเซรามิคกำลังแรงสูงสำหรับออสซิลเลเตอร์ในความร้อนความถี่สูง การประยุกต์ใช้งาน FD-934s
- การรับรอง: ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
MOSFET กำลังไฟ (IRF3205)
- บรรจุภัณฑ์: 50/Tube, 3000 PCS/Box
- รหัส HS: 8542390000
- กำลังการผลิต: 30000
-
Hongkong Partnartek Company
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
มีเพียงผู้ผลิตเดียวในโลกสำหรับหลอดอิเล็กโทรดอีน 5867A
- การรับรอง: CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Liaoning, China
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวมเดียว ชิปส่วนประกอบ IC แบบครบวงจร การจับคู่ BOM
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
-
Chip Sun Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Mmb3904 ทรานซิสเตอร์ NPN 40V 200mA Sot23-64 3 Mmbt390
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- โครงสร้าง: PNP
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- มาตรฐาน: Standard
- มาร์ค: /
- ต้นกำเนิด: Original
-
Chip-Easy(Shenzhen) Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์
- การรับรอง: RoHS
- รหัส HS: 8541210000
- กำลังการผลิต: 100000
-
Shenzhen Yihua Tech Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Tube
-
Yiwu Jingxin Trading Company
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ISC Silicon PNP Power ทรานซิสเตอร์ 2SB772
- บรรจุภัณฑ์: to-126
- มาตรฐาน: OEM
- มาร์ค: iscsemi/isc
- ต้นกำเนิด: Isc
- รหัส HS: 85912900
- กำลังการผลิต: 100000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
MOSFET N-Channel 2n7002
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Pss30s92f6-AG Pss20s92f6-AG Pss15s92f6-AG Pss10s92f6-AG Pss35s92f6-AG นักขายดีรุ่นใหม่
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: PNP
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Tube
-
CRD Technology (HK) Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
วาล์วออสซิลเลเตอร์ Th5-255, 6 x2500f3, ท่อ , การระบายความร้อนด้วยอากาศแบบแรงอัด , ท่อ
- บรรจุภัณฑ์: Box
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 200PCS/Month
-
Kaiheng Electronics Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
ไทรแอคไทรซิสเตอร์ SCR 6 MCR100-4 8
- บรรจุภัณฑ์: to-92
- มาตรฐาน: ISO 9001, ISO 14001, UL, ROHS, SGS, REACH, etc.
- มาร์ค: JJ
- ต้นกำเนิด: Jiangsu, China
- กำลังการผลิต: 10000000PCS/Month
-
Ningbo Haishu Jiemao Electronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
