พบประมาณ 2893 สินค้า

3400nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 ชิ้นส่วน 30V 5.8A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx13n50 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์ T220 ชิ้นส่วน 500V 13A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

3415psa-14K High Voltage P Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์ดั้งเดิม ชิ้นส่วน Component Sot23 -20V -4.9A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Wgp36n20 High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน T220 ชิ้นส่วน 200V 36A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Wgp65r700 High Quality Medium Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Toy251 Parts 650V 7A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

3415psa จุดเชื่อมต่อ High Voltage P ช่องทรานซิสเตอร์ MOSFET คุณภาพสูงดั้งเดิม ชิ้นส่วน Component Sot23 -20V -4.1A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx9n90 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบของ component Toyp Parts 900V 8A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Wgd65r700 High Quality Medium Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Toy251 Parts 650V 7A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Wgu2n20 High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 200V 2A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx5n90 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์ T220 Parts 900V 5A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

2321psa High Voltage Pchannel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิมคอมโพเนนต์ Sot23 พาร์ท -20V-2.9A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

2300nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 ส่วน 20V 4.5A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

3401psa -L High Quality Low Voltage P Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Component Sot23 -30V -4.1A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx740 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบถึง 220 พาร์ท 400V 11.4A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx15n60 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน T220 ชิ้นส่วน 600V 15A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx5n50 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบถึง 220 ส่วน 500V 4.5A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

2302 ทรานซิสเตอร์แรงดันต่ำคุณภาพสูง N ช่อง MOSFET แบบดั้งเดิม ชิ้นส่วน Sot23 ส่วน 20V 3.3A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx9n50 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน T220 ชิ้นส่วน 500V 9A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

2310nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม การตั้งค่าชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 60V 3A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

3422nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 55V 2.1A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx2n80 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์เครื่องเล่นโปรเซนเซอร์เครื่องเล่นโปรเซนเซอร์เครื่องเล่นโป

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx4n60 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วนของโปรโต 220

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

3413pa High Quality Low Voltage P Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Component Sot23 -20V-3A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx1n65 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบถึง 92 ส่วน 650V 0.4A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx10n80 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนของโปรโตส่วนประกอบ 800V 10A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

เครื่องเล่นทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบ High Quality High Quality ความเร็วสูง ชิ้นส่วน T220 ชิ้นส่วน 500V 9A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Wgd50r750 High Quality Medium Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์เครื่องปิ้ง 251 ชิ้นส่วน 500V 5A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

4006nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 45V 1.5A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Wgp50r140 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์เครื่องปิ้งโปรเซนเซอร์โปรเซนเซอร์เครื่องนี้ใช้โปร

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China

Gx1n60 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบ T126 ชิ้นส่วน 600V 0.4A

  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
แสดง: 10 30 50