จัดหาทรานซิสเตอร์ SCR คุณภาพสูง X0405 ถึง 202
- การรับรอง: RoHS
- บรรจุภัณฑ์: to-202
- มาตรฐาน: 4A/600V SCR
- มาร์ค: MX
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 800000
-
Nantong Mingxin Microelectronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Bcp56 NPN SO-6 ทรานซิสเตอร์ 223
- การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
-
Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์
- การรับรอง: RoHS
- รหัส HS: 8541210000
- กำลังการผลิต: 100000
-
Shenzhen Yihua Tech Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Mmb3904 Bipolar (BJT) ทรานซิสเตอร์ NPN 40V 200mA Sot23-24 3 Mmbt390
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- โครงสร้าง: NPN
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- มาตรฐาน: Standard
- มาร์ค: /
- ต้นกำเนิด: Original
-
Chip-Easy (Shenzhen) Technology Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ชิ้นส่วนอัลลอยไฟฟ้าสุญญากาศสุญญากาศไฟฟ้ากระแสไฟฟ้าขึ้นจากโลหะผสมสุญญากาศ
- การรับรอง: ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: โลหะผสม
- บรรจุภัณฑ์: Pallet, Wooden Box
- มาตรฐาน: NSi0.9, NMg0.1, NMn3, NMn5
-
Gansu Aofei Trading Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Gansu, China
พลังงาน Hexfet MOSFET
- บรรจุภัณฑ์: Sealed Factory Packing
- มาตรฐาน: ROHS, SGS, TUV
- มาร์ค: IR
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 8541500000
- กำลังการผลิต: 200000 Per Month
-
Novelty Electronics Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวมเดียว ชิปส่วนประกอบ IC แบบครบวงจร การจับคู่ BOM
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
-
Chip Sun Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
การซื้อแบบขายส่ง Bc847 Bc857 Sot23
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- บรรจุภัณฑ์: Standard Packing
- ต้นกำเนิด: Made in China
- กำลังการผลิต: 500000
-
Kehe Electronic Industrial Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Tl431 To92 Sot89 ot89 Triode Semiconductor Power IC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: ระนาบ
-
Dongguan Ruyijia Technology Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดทดลองความถี่สูง 5kw หลอดทดลอง 7t85rb หลอดไฟฟ้า 7t85rb
- การรับรอง: RoHS,CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
-
Huizhou Yiyuan Machinery Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ข้อมูลจำเพาะทั่วไปของ SMD ทรานซิสเตอร์ประกอบด้วย :
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 10, 000, 000 Pieces/Day
-
Pagooda Technolo
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ Bc817, 215 16 Bc817-16/716K-16R/16hr/25hr/40R/25/40 ชั่วโมง
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Shenzhen Ruilongge Technology Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ระบบไฟเลี้ยงแบบเดิม MOSFET N-Channel
-
Shenzhen Faisemi Electronic Co.,Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Hubei, China
500V 22A TO220f MOSFET
- การรับรอง: RoHS,CE,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
-
Shenzhen Boomingmicro Electronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
7t85rb, 5kw ท่ออิเล็กตรอน Fu7085f เทียบเท่า 7t85rb สำหรับเครื่องทำความร้อน HF Dielectric
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Cartons
- มาร์ค: EECTECH
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
Hg2879 ทรานซิสเตอร์
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Binhu Boer Electronic Components Sales Center
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
หลอดอิเล็กตรอนขั้วไฟฟ้าแบบ trode Fd921 กำลังสูงสำหรับออสซิลเลเตอร์ในสูง อุปกรณ์ทำความร้อนความถี่
- การรับรอง: ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิด NPN ใน ISC (2SC3320)
- บรรจุภัณฑ์: to-3pn
- มาตรฐาน: OEM
- มาร์ค: ISCSEMI/ISC
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 85412900
- กำลังการผลิต: 10000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
กำลังทรานซิสเตอร์ Irfp4332
- การรับรอง: RoHS
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- มาตรฐาน: TO-247
- มาร์ค: IR
-
E-Solution Technology Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ผู้ผลิตเพียงรายเดียวในโลกสำหรับท่ออิเล็กตรอน Tb4/9 1250 / 5868
- การรับรอง: CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Liaoning, China
ส่วนประกอบราคาโรงงาน Electronic Wson-05 8 (2x2) TPS22965tdsq1
- การรับรอง: RoHS
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Air Transport
- มาร์ค: TI
- ต้นกำเนิด: Philippines
-
Q-Yang Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ Rd16hf1 กำลังสูง
- บรรจุภัณฑ์: Standard
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
20V/50A โมสเฟต N-Channel to-251
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
-
Cpm Electronics Co., Ltd
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
สะพานรีกติเฟียร์ Kbu ไดโอด 1A 1000V แพ็คเกจสะพานไดโอดสำหรับ LED
- การรับรอง: CE
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- กำลังการผลิต: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Anhui, China
Ikcm30f60gd Ikcm20L60gd Ikcm20L60ga Ikcm30f60ga New Original Stock
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: PNP
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Tube
-
CRD Technology (HK) Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนามโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET Cj3401 P-Channel
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
MOSFET กำลังไฟ (IRF3205)
- บรรจุภัณฑ์: 50/Tube, 3000 PCS/Box
- รหัส HS: 8542390000
- กำลังการผลิต: 30000
-
Hongkong Partnartek Company
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
