หน้าหลัก ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไตรโอด ทรานซิสเตอร์ IGBT 2024 รายการผลิตภัณฑ์

ทรานซิสเตอร์ IGBT

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n120d ถึง 247

1/ 6

รายการโปรด

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n120d ถึง 247

1,800 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Fgh60n60 T247 600V 60ntBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60nSMD

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Fgh60n60 T247 600V 60ntBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60nSMD

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Fgh60n60 T247 600V 60ntBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60nSMD

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Fgh60n60 T247 600V 60ntBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60nSMD

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Fgh60n60 T247 600V 60ntBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60nSMD

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Fgh60n60 T247 600V 60ntBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60nSMD

1/ 6

รายการโปรด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Fgh60n60 T247 600V 60ntBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60nSMD

US$0.923-0.95 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน

มาตรฐาน: standard

มาร์ค: JDP/Original

ทรานซิสเตอร์ MOS แบบหลอด IGBT triode เป็น 3P 50n60 รุ่นใหม่และรุ่นเดิม 50A650V Sgt50t65fd1pn 50t65

ทรานซิสเตอร์ MOS แบบหลอด IGBT triode เป็น 3P 50n60 รุ่นใหม่และรุ่นเดิม 50A650V Sgt50t65fd1pn 50t65

ทรานซิสเตอร์ MOS แบบหลอด IGBT triode เป็น 3P 50n60 รุ่นใหม่และรุ่นเดิม 50A650V Sgt50t65fd1pn 50t65

ทรานซิสเตอร์ MOS แบบหลอด IGBT triode เป็น 3P 50n60 รุ่นใหม่และรุ่นเดิม 50A650V Sgt50t65fd1pn 50t65

ทรานซิสเตอร์ MOS แบบหลอด IGBT triode เป็น 3P 50n60 รุ่นใหม่และรุ่นเดิม 50A650V Sgt50t65fd1pn 50t65

ทรานซิสเตอร์ MOS แบบหลอด IGBT triode เป็น 3P 50n60 รุ่นใหม่และรุ่นเดิม 50A650V Sgt50t65fd1pn 50t65

1/ 6

รายการโปรด

ทรานซิสเตอร์ MOS แบบหลอด IGBT triode เป็น 3P 50n60 รุ่นใหม่และรุ่นเดิม 50A650V Sgt50t65fd1pn 50t65

US$1.19-2.28 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: by Sea(Carton)

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G60n65D ถึง 247 **oOFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G60n65D ถึง 247 **oOFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G60n65D ถึง 247 **oOFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G60n65D ถึง 247 **oOFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G60n65D ถึง 247 **oOFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G60n65D ถึง 247 **oOFF

1/ 6

รายการโปรด

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G60n65D ถึง 247 **oOFF

US$0.01-1.5 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

ประตูหุ้มฉนวนดั้งเดิม Sgt50t65fd1pn 650V 50A ถึง -50t65 ทรานซิสเตอร์ IGBT หัวจ่ายเดี่ยว IGBT ยี่ห้อจีน

ประตูหุ้มฉนวนดั้งเดิม Sgt50t65fd1pn 650V 50A ถึง -50t65 ทรานซิสเตอร์ IGBT หัวจ่ายเดี่ยว IGBT ยี่ห้อจีน

ประตูหุ้มฉนวนดั้งเดิม Sgt50t65fd1pn 650V 50A ถึง -50t65 ทรานซิสเตอร์ IGBT หัวจ่ายเดี่ยว IGBT ยี่ห้อจีน

ประตูหุ้มฉนวนดั้งเดิม Sgt50t65fd1pn 650V 50A ถึง -50t65 ทรานซิสเตอร์ IGBT หัวจ่ายเดี่ยว IGBT ยี่ห้อจีน

ประตูหุ้มฉนวนดั้งเดิม Sgt50t65fd1pn 650V 50A ถึง -50t65 ทรานซิสเตอร์ IGBT หัวจ่ายเดี่ยว IGBT ยี่ห้อจีน

ประตูหุ้มฉนวนดั้งเดิม Sgt50t65fd1pn 650V 50A ถึง -50t65 ทรานซิสเตอร์ IGBT หัวจ่ายเดี่ยว IGBT ยี่ห้อจีน

1/ 6

รายการโปรด

ประตูหุ้มฉนวนดั้งเดิม Sgt50t65fd1pn 650V 50A ถึง -50t65 ทรานซิสเตอร์ IGBT หัวจ่ายเดี่ยว IGBT ยี่ห้อจีน

US$1.19-2.28 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: by Sea(Carton)

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G30n60d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G30n60d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G30n60d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G30n60d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G30n60d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G30n60d ถึง 247

1/ 6

รายการโปรด

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G30n60d ถึง 247

US$0.01-1.5 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

ผู้ผลิตและจำหน่ายสินค้าในโรงงานอิเล็กโทร 4PC40udpbf G4PC40ud to 247 IGBT ทรานซิสเตอร์

ผู้ผลิตและจำหน่ายสินค้าในโรงงานอิเล็กโทร 4PC40udpbf G4PC40ud to 247 IGBT ทรานซิสเตอร์

ผู้ผลิตและจำหน่ายสินค้าในโรงงานอิเล็กโทร 4PC40udpbf G4PC40ud to 247 IGBT ทรานซิสเตอร์

ผู้ผลิตและจำหน่ายสินค้าในโรงงานอิเล็กโทร 4PC40udpbf G4PC40ud to 247 IGBT ทรานซิสเตอร์

ผู้ผลิตและจำหน่ายสินค้าในโรงงานอิเล็กโทร 4PC40udpbf G4PC40ud to 247 IGBT ทรานซิสเตอร์

ผู้ผลิตและจำหน่ายสินค้าในโรงงานอิเล็กโทร 4PC40udpbf G4PC40ud to 247 IGBT ทรานซิสเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

ผู้ผลิตและจำหน่ายสินค้าในโรงงานอิเล็กโทร 4PC40udpbf G4PC40ud to 247 IGBT ทรานซิสเตอร์

US$0.1-0.55 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แช่

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: Thick Film IC

บรรจุภัณฑ์: Tube

หลอดทรานซิสเตอร์แบบ Stgw80h65dfb Gw80h65dfb ที่ได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่และแบบเดิม

หลอดทรานซิสเตอร์แบบ Stgw80h65dfb Gw80h65dfb ที่ได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่และแบบเดิม

หลอดทรานซิสเตอร์แบบ Stgw80h65dfb Gw80h65dfb ที่ได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่และแบบเดิม

หลอดทรานซิสเตอร์แบบ Stgw80h65dfb Gw80h65dfb ที่ได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่และแบบเดิม

หลอดทรานซิสเตอร์แบบ Stgw80h65dfb Gw80h65dfb ที่ได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่และแบบเดิม

หลอดทรานซิสเตอร์แบบ Stgw80h65dfb Gw80h65dfb ที่ได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่และแบบเดิม

1/ 6

รายการโปรด

หลอดทรานซิสเตอร์แบบ Stgw80h65dfb Gw80h65dfb ที่ได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่และแบบเดิม

US$0.68-2.5 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แช่

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: Foam

มาตรฐาน: standard

มาร์ค: Nova

Ihw40n135r3 IGBT Ihw40n135r3fsa1 1350V 80A 429W T247-1 Transrทรานซิสเตอร์ 3 BOM เดิม บริการ

Ihw40n135r3 IGBT Ihw40n135r3fsa1 1350V 80A 429W T247-1 Transrทรานซิสเตอร์ 3 BOM เดิม บริการ

Ihw40n135r3 IGBT Ihw40n135r3fsa1 1350V 80A 429W T247-1 Transrทรานซิสเตอร์ 3 BOM เดิม บริการ

Ihw40n135r3 IGBT Ihw40n135r3fsa1 1350V 80A 429W T247-1 Transrทรานซิสเตอร์ 3 BOM เดิม บริการ

Ihw40n135r3 IGBT Ihw40n135r3fsa1 1350V 80A 429W T247-1 Transrทรานซิสเตอร์ 3 BOM เดิม บริการ

Ihw40n135r3 IGBT Ihw40n135r3fsa1 1350V 80A 429W T247-1 Transrทรานซิสเตอร์ 3 BOM เดิม บริการ

1/ 6

รายการโปรด

Ihw40n135r3 IGBT Ihw40n135r3fsa1 1350V 80A 429W T247-1 Transrทรานซิสเตอร์ 3 BOM เดิม บริการ

US$1-5 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO

บรรจุภัณฑ์: Package

มาตรฐาน: SMT/DIP

มาร์ค: Original

ต้นกำเนิด: Original

ในสต็อก 40n60pfd Sgt40nfpfd ถึง 3P 600V 40A Field Stop IGBT และทรานซิสเตอร์

ในสต็อก 40n60pfd Sgt40nfpfd ถึง 3P 600V 40A Field Stop IGBT และทรานซิสเตอร์

ในสต็อก 40n60pfd Sgt40nfpfd ถึง 3P 600V 40A Field Stop IGBT และทรานซิสเตอร์

ในสต็อก 40n60pfd Sgt40nfpfd ถึง 3P 600V 40A Field Stop IGBT และทรานซิสเตอร์

ในสต็อก 40n60pfd Sgt40nfpfd ถึง 3P 600V 40A Field Stop IGBT และทรานซิสเตอร์

ในสต็อก 40n60pfd Sgt40nfpfd ถึง 3P 600V 40A Field Stop IGBT และทรานซิสเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

ในสต็อก 40n60pfd Sgt40nfpfd ถึง 3P 600V 40A Field Stop IGBT และทรานซิสเตอร์

US$1.19-2.28 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: by Sea(Carton)

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G70n65D ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G70n65D ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G70n65D ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G70n65D ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G70n65D ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G70n65D ถึง 247

1/ 6

รายการโปรด

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G70n65D ถึง 247

US$0.01-1.5 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

75A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insuled ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc75f65m ถึง 247

75A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insuled ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc75f65m ถึง 247

75A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insuled ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc75f65m ถึง 247

75A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insuled ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc75f65m ถึง 247

75A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insuled ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc75f65m ถึง 247

75A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insuled ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc75f65m ถึง 247

1/ 6

รายการโปรด

75A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insuled ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc75f65m ถึง 247

US$0.01-1.5 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

ความเสถียรที่ดีเยี่ยมและการรวมเป็นหนึ่งเดียวกันของทอท 247-F 800W Ost75n65hsmf 30V ผู้ผลิตไทรเดนท์ ทรานซิสเตอร์ Bipolar

ความเสถียรที่ดีเยี่ยมและการรวมเป็นหนึ่งเดียวกันของทอท 247-F 800W Ost75n65hsmf 30V ผู้ผลิตไทรเดนท์ ทรานซิสเตอร์ Bipolar

ความเสถียรที่ดีเยี่ยมและการรวมเป็นหนึ่งเดียวกันของทอท 247-F 800W Ost75n65hsmf 30V ผู้ผลิตไทรเดนท์ ทรานซิสเตอร์ Bipolar

ความเสถียรที่ดีเยี่ยมและการรวมเป็นหนึ่งเดียวกันของทอท 247-F 800W Ost75n65hsmf 30V ผู้ผลิตไทรเดนท์ ทรานซิสเตอร์ Bipolar

ความเสถียรที่ดีเยี่ยมและการรวมเป็นหนึ่งเดียวกันของทอท 247-F 800W Ost75n65hsmf 30V ผู้ผลิตไทรเดนท์ ทรานซิสเตอร์ Bipolar

ความเสถียรที่ดีเยี่ยมและการรวมเป็นหนึ่งเดียวกันของทอท 247-F 800W Ost75n65hsmf 30V ผู้ผลิตไทรเดนท์ ทรานซิสเตอร์ Bipolar

1/ 6

รายการโปรด

ความเสถียรที่ดีเยี่ยมและการรวมเป็นหนึ่งเดียวกันของทอท 247-F 800W Ost75n65hsmf 30V ผู้ผลิตไทรเดนท์ ทรานซิสเตอร์ Bipolar

US$2.5-3 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: DIP ( แพคเกจคู่ในสายการผลิต )

การประมวลผลสัญญาณ: การจำลองการทำงาน

แอปพลิเคชัน: การวัดอุณหภูมิ

IGBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60n60 Fgh40T65shd SMD สำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

IGBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60n60 Fgh40T65shd SMD สำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

IGBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60n60 Fgh40T65shd SMD สำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

IGBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60n60 Fgh40T65shd SMD สำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

IGBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60n60 Fgh40T65shd SMD สำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

IGBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60n60 Fgh40T65shd SMD สำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

1/ 6

รายการโปรด

IGBT ทรานซิสเตอร์ Fgh60n60 Fgh40T65shd SMD สำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แช่

เทคนิค: Thick Film IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: Foam

มาตรฐาน: standard

มาร์ค: Nova

Nce15d120bt 1200V, 15A, ร่อง CFS II พร้อมฉนวน Bipolar Transริ สเตอร์ Fast IGBT

Nce15d120bt 1200V, 15A, ร่อง CFS II พร้อมฉนวน Bipolar Transริ สเตอร์ Fast IGBT

Nce15d120bt 1200V, 15A, ร่อง CFS II พร้อมฉนวน Bipolar Transริ สเตอร์ Fast IGBT

Nce15d120bt 1200V, 15A, ร่อง CFS II พร้อมฉนวน Bipolar Transริ สเตอร์ Fast IGBT

Nce15d120bt 1200V, 15A, ร่อง CFS II พร้อมฉนวน Bipolar Transริ สเตอร์ Fast IGBT

Nce15d120bt 1200V, 15A, ร่อง CFS II พร้อมฉนวน Bipolar Transริ สเตอร์ Fast IGBT

1/ 6

รายการโปรด

Nce15d120bt 1200V, 15A, ร่อง CFS II พร้อมฉนวน Bipolar Transริ สเตอร์ Fast IGBT

US$0.756-0.869 / บางส่วน

600 ชิ้น (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

วัสดุ: Element Semiconductor

แพ็คเกจ: DIP ( แพคเกจคู่ในสายการผลิต )

การประมวลผลสัญญาณ: Analog Digital Composite และฟังก์ชัน

บรรจุภัณฑ์: Carton

มาตรฐาน: TO-247

50A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insular ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc50f652 ถึง 247

50A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insular ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc50f652 ถึง 247

50A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insular ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc50f652 ถึง 247

50A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insular ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc50f652 ถึง 247

50A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insular ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc50f652 ถึง 247

50A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insular ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc50f652 ถึง 247

1/ 6

รายการโปรด

50A 650V ทางเข้าออกฉนวน Trentrchstop Insuled Insular ทรานซิสเตอร์ Bipolar IGBT Dgc50f652 ถึง 247

US$0.01-1.5 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

ช่องเก็บความร้อน 30j124 GT30j124 IGBT ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูงถึง 3pn ของแท้

ช่องเก็บความร้อน 30j124 GT30j124 IGBT ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูงถึง 3pn ของแท้

ช่องเก็บความร้อน 30j124 GT30j124 IGBT ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูงถึง 3pn ของแท้

ช่องเก็บความร้อน 30j124 GT30j124 IGBT ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูงถึง 3pn ของแท้

ช่องเก็บความร้อน 30j124 GT30j124 IGBT ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูงถึง 3pn ของแท้

ช่องเก็บความร้อน 30j124 GT30j124 IGBT ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูงถึง 3pn ของแท้

1/ 6

รายการโปรด

ช่องเก็บความร้อน 30j124 GT30j124 IGBT ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูงถึง 3pn ของแท้

US$0.33-0.35 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: N/a

เตาแม่เหล็กไฟฟ้า Fga25n120 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม IGBT 25A/1200V

เตาแม่เหล็กไฟฟ้า Fga25n120 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม IGBT 25A/1200V

เตาแม่เหล็กไฟฟ้า Fga25n120 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม IGBT 25A/1200V

เตาแม่เหล็กไฟฟ้า Fga25n120 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม IGBT 25A/1200V

เตาแม่เหล็กไฟฟ้า Fga25n120 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม IGBT 25A/1200V

เตาแม่เหล็กไฟฟ้า Fga25n120 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม IGBT 25A/1200V

1/ 6

รายการโปรด

เตาแม่เหล็กไฟฟ้า Fga25n120 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม IGBT 25A/1200V

US$0.7-0.85 / บางส่วน

450 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง

ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์แรงดันกว่า 24 V 200V แรงดันไฟกว่า 40n60ufd / ON

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์แรงดันกว่า 24 V 200V แรงดันไฟกว่า 40n60ufd / ON

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์แรงดันกว่า 24 V 200V แรงดันไฟกว่า 40n60ufd / ON

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์แรงดันกว่า 24 V 200V แรงดันไฟกว่า 40n60ufd / ON

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์แรงดันกว่า 24 V 200V แรงดันไฟกว่า 40n60ufd / ON

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์แรงดันกว่า 24 V 200V แรงดันไฟกว่า 40n60ufd / ON

1/ 6

รายการโปรด

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์แรงดันกว่า 24 V 200V แรงดันไฟกว่า 40n60ufd / ON

US$1.19-2.28 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: by Sea(Carton)

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G25t120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G25t120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G25t120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G25t120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G25t120d ถึง 247

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G25t120d ถึง 247

1/ 6

รายการโปรด

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G25t120d ถึง 247

US$0.01-1.5 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

ตัวต้านทาน IGBT 60n60 Fgh60n60 IC Fgh60n60nfd แบบดั้งเดิม

ตัวต้านทาน IGBT 60n60 Fgh60n60 IC Fgh60n60nfd แบบดั้งเดิม

ตัวต้านทาน IGBT 60n60 Fgh60n60 IC Fgh60n60nfd แบบดั้งเดิม

ตัวต้านทาน IGBT 60n60 Fgh60n60 IC Fgh60n60nfd แบบดั้งเดิม

ตัวต้านทาน IGBT 60n60 Fgh60n60 IC Fgh60n60nfd แบบดั้งเดิม

ตัวต้านทาน IGBT 60n60 Fgh60n60 IC Fgh60n60nfd แบบดั้งเดิม

1/ 6

รายการโปรด

ตัวต้านทาน IGBT 60n60 Fgh60n60 IC Fgh60n60nfd แบบดั้งเดิม

US$0.5-2.3 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน

วัสดุ: ซิลิคอน

มาตรฐาน: Mounting Type - Through Hole

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Sgt40n60pfpn 600V 40A ถึง 3P 40n60 IGBT ทรานซิสเตอร์ภาษาจีน ท่อเดี่ยว IGBT ของแบรนด์อินเวอร์เตอร์

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Sgt40n60pfpn 600V 40A ถึง 3P 40n60 IGBT ทรานซิสเตอร์ภาษาจีน ท่อเดี่ยว IGBT ของแบรนด์อินเวอร์เตอร์

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Sgt40n60pfpn 600V 40A ถึง 3P 40n60 IGBT ทรานซิสเตอร์ภาษาจีน ท่อเดี่ยว IGBT ของแบรนด์อินเวอร์เตอร์

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Sgt40n60pfpn 600V 40A ถึง 3P 40n60 IGBT ทรานซิสเตอร์ภาษาจีน ท่อเดี่ยว IGBT ของแบรนด์อินเวอร์เตอร์

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Sgt40n60pfpn 600V 40A ถึง 3P 40n60 IGBT ทรานซิสเตอร์ภาษาจีน ท่อเดี่ยว IGBT ของแบรนด์อินเวอร์เตอร์

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Sgt40n60pfpn 600V 40A ถึง 3P 40n60 IGBT ทรานซิสเตอร์ภาษาจีน ท่อเดี่ยว IGBT ของแบรนด์อินเวอร์เตอร์

1/ 6

รายการโปรด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Sgt40n60pfpn 600V 40A ถึง 3P 40n60 IGBT ทรานซิสเตอร์ภาษาจีน ท่อเดี่ยว IGBT ของแบรนด์อินเวอร์เตอร์

US$1.19-2.28 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: by Sea(Carton)

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Power MOSFET PNP NPN ทรานซิสเตอร์แอมพลิฟายเออร์ SMD triode IGBT ทรานซิสเตอร์

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Power MOSFET PNP NPN ทรานซิสเตอร์แอมพลิฟายเออร์ SMD triode IGBT ทรานซิสเตอร์

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Power MOSFET PNP NPN ทรานซิสเตอร์แอมพลิฟายเออร์ SMD triode IGBT ทรานซิสเตอร์

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Power MOSFET PNP NPN ทรานซิสเตอร์แอมพลิฟายเออร์ SMD triode IGBT ทรานซิสเตอร์

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Power MOSFET PNP NPN ทรานซิสเตอร์แอมพลิฟายเออร์ SMD triode IGBT ทรานซิสเตอร์

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Power MOSFET PNP NPN ทรานซิสเตอร์แอมพลิฟายเออร์ SMD triode IGBT ทรานซิสเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Power MOSFET PNP NPN ทรานซิสเตอร์แอมพลิฟายเออร์ SMD triode IGBT ทรานซิสเตอร์

US$5 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

IGEBT ทรานซิสเตอร์ TO-4 Ikw40n120h3K40h1203 247-3 ดิจิตอล โวลต์ 80A

IGEBT ทรานซิสเตอร์ TO-4 Ikw40n120h3K40h1203 247-3 ดิจิตอล โวลต์ 80A

IGEBT ทรานซิสเตอร์ TO-4 Ikw40n120h3K40h1203 247-3 ดิจิตอล โวลต์ 80A

IGEBT ทรานซิสเตอร์ TO-4 Ikw40n120h3K40h1203 247-3 ดิจิตอล โวลต์ 80A

IGEBT ทรานซิสเตอร์ TO-4 Ikw40n120h3K40h1203 247-3 ดิจิตอล โวลต์ 80A

IGEBT ทรานซิสเตอร์ TO-4 Ikw40n120h3K40h1203 247-3 ดิจิตอล โวลต์ 80A

1/ 6

รายการโปรด

IGEBT ทรานซิสเตอร์ TO-4 Ikw40n120h3K40h1203 247-3 ดิจิตอล โวลต์ 80A

US$0.9-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: N/a

IGBT 650V 270W pG-To247-1 DIP ทรานซิสเตอร์ Aigw50n65h5xkha1 3-41

IGBT 650V 270W pG-To247-1 DIP ทรานซิสเตอร์ Aigw50n65h5xkha1 3-41

IGBT 650V 270W pG-To247-1 DIP ทรานซิสเตอร์ Aigw50n65h5xkha1 3-41

IGBT 650V 270W pG-To247-1 DIP ทรานซิสเตอร์ Aigw50n65h5xkha1 3-41

IGBT 650V 270W pG-To247-1 DIP ทรานซิสเตอร์ Aigw50n65h5xkha1 3-41

IGBT 650V 270W pG-To247-1 DIP ทรานซิสเตอร์ Aigw50n65h5xkha1 3-41

1/ 6

รายการโปรด

IGBT 650V 270W pG-To247-1 DIP ทรานซิสเตอร์ Aigw50n65h5xkha1 3-41

US$0.01-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Standard

มาตรฐาน: Standard

มาร์ค: Original

ต้นกำเนิด: Original

Ihw20n120r2 IGBT 1200V 40A 330W T247-3 ทรานซิสเตอร์

Ihw20n120r2 IGBT 1200V 40A 330W T247-3 ทรานซิสเตอร์

Ihw20n120r2 IGBT 1200V 40A 330W T247-3 ทรานซิสเตอร์

Ihw20n120r2 IGBT 1200V 40A 330W T247-3 ทรานซิสเตอร์

Ihw20n120r2 IGBT 1200V 40A 330W T247-3 ทรานซิสเตอร์

Ihw20n120r2 IGBT 1200V 40A 330W T247-3 ทรานซิสเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

Ihw20n120r2 IGBT 1200V 40A 330W T247-3 ทรานซิสเตอร์

US$0.01-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แบนราบ

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n60d ถึง 247 **OFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n60d ถึง 247 **OFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n60d ถึง 247 **OFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n60d ถึง 247 **OFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n60d ถึง 247 **OFF

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n60d ถึง 247 **OFF

1/ 6

รายการโปรด

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ G40n60d ถึง 247 **OFF

US$0.01-1.5 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

IKW40N1202 ทรานซิสเตอร์ IGBT Chip

IKW40N1202 ทรานซิสเตอร์ IGBT Chip

IKW40N1202 ทรานซิสเตอร์ IGBT Chip

IKW40N1202 ทรานซิสเตอร์ IGBT Chip

IKW40N1202 ทรานซิสเตอร์ IGBT Chip

IKW40N1202 ทรานซิสเตอร์ IGBT Chip

1/ 6

รายการโปรด

IKW40N1202 ทรานซิสเตอร์ IGBT Chip

US$3.6-15 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: วงจรรวมแบบ Bipolar

การผสานการทำงาน: SSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Box

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ IGBT G60T65D ถึง 3P ชนิดหุ้มฉนวน

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ IGBT G60T65D ถึง 3P ชนิดหุ้มฉนวน

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ IGBT G60T65D ถึง 3P ชนิดหุ้มฉนวน

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ IGBT G60T65D ถึง 3P ชนิดหุ้มฉนวน

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ IGBT G60T65D ถึง 3P ชนิดหุ้มฉนวน

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ IGBT G60T65D ถึง 3P ชนิดหุ้มฉนวน

1/ 6

รายการโปรด

เกท Bipolar ทรานซิสเตอร์ IGBT G60T65D ถึง 3P ชนิดหุ้มฉนวน

US$0.01-0.2 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

บรรจุภัณฑ์: Tube

มาร์ค: WXDH

ต้นกำเนิด: Wuxi, China

รหัส HS: 8541290000

IRG4BC30UD ถึง -220AB 600V 12A ทรานซิสเตอร์เกคู่หุ้มฉนวนเกลาร์พร้อมความเร็วสูง ไดโอดกู้คืนระบบสัมผัสนุ่มเร็วสูงความเร็วสูง

IRG4BC30UD ถึง -220AB 600V 12A ทรานซิสเตอร์เกคู่หุ้มฉนวนเกลาร์พร้อมความเร็วสูง ไดโอดกู้คืนระบบสัมผัสนุ่มเร็วสูงความเร็วสูง

IRG4BC30UD ถึง -220AB 600V 12A ทรานซิสเตอร์เกคู่หุ้มฉนวนเกลาร์พร้อมความเร็วสูง ไดโอดกู้คืนระบบสัมผัสนุ่มเร็วสูงความเร็วสูง

IRG4BC30UD ถึง -220AB 600V 12A ทรานซิสเตอร์เกคู่หุ้มฉนวนเกลาร์พร้อมความเร็วสูง ไดโอดกู้คืนระบบสัมผัสนุ่มเร็วสูงความเร็วสูง

IRG4BC30UD ถึง -220AB 600V 12A ทรานซิสเตอร์เกคู่หุ้มฉนวนเกลาร์พร้อมความเร็วสูง ไดโอดกู้คืนระบบสัมผัสนุ่มเร็วสูงความเร็วสูง

IRG4BC30UD ถึง -220AB 600V 12A ทรานซิสเตอร์เกคู่หุ้มฉนวนเกลาร์พร้อมความเร็วสูง ไดโอดกู้คืนระบบสัมผัสนุ่มเร็วสูงความเร็วสูง

1/ 6

รายการโปรด

IRG4BC30UD ถึง -220AB 600V 12A ทรานซิสเตอร์เกคู่หุ้มฉนวนเกลาร์พร้อมความเร็วสูง ไดโอดกู้คืนระบบสัมผัสนุ่มเร็วสูงความเร็วสูง

US$1.259 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

วัสดุ

การประมวลผลสัญญาณ

เทคโนโลยีการผลิต

พิมพ์

เทคนิค

แอปพลิเคชัน

การรับรอง

แพ็คเกจ

ชนิดนำไฟฟ้า

ฟังก์ชัน

พิมพ์

โครงสร้างการห่อหุ้ม

หมายเลขชุด

แอปพลิเคชัน

ได้อย่างมีพรับ

ความถี่ในการทำงาน

ระดับพลังงาน

รุ่น

การติดตั้ง

การผสานการทำงาน

วัสดุ

โครงสร้าง

แบรนด์

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

China IGBT Manufacturers

การค้นหายอดนิยม

Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข