หน้าหลัก ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวม ทรานซิสเตอร์สองขั้ว 2024 รายการผลิตภัณฑ์

ทรานซิสเตอร์สองขั้ว

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิดขั้วเดียว NPN Darlington TIP140

ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิดขั้วเดียว NPN Darlington TIP140

ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิดขั้วเดียว NPN Darlington TIP140

ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิดขั้วเดียว NPN Darlington TIP140

ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิดขั้วเดียว NPN Darlington TIP140

ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิดขั้วเดียว NPN Darlington TIP140

1/ 6

รายการโปรด

ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้าชนิดขั้วเดียว NPN Darlington TIP140

US$0.23-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MOSPEC

IGBTs Insuler Gate Bipolar Transริ สเตอร์

IGBTs Insuler Gate Bipolar Transริ สเตอร์

IGBTs Insuler Gate Bipolar Transริ สเตอร์

IGBTs Insuler Gate Bipolar Transริ สเตอร์

IGBTs Insuler Gate Bipolar Transริ สเตอร์

IGBTs Insuler Gate Bipolar Transริ สเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

IGBTs Insuler Gate Bipolar Transริ สเตอร์

US$0.1-0.6 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

Bc817-64 Bipolar Transistor BJT TA-545 23 40 V 800mA รุ่นใหม่และดั้งเดิม NPN

Bc817-64 Bipolar Transistor BJT TA-545 23 40 V 800mA รุ่นใหม่และดั้งเดิม NPN

Bc817-64 Bipolar Transistor BJT TA-545 23 40 V 800mA รุ่นใหม่และดั้งเดิม NPN

Bc817-64 Bipolar Transistor BJT TA-545 23 40 V 800mA รุ่นใหม่และดั้งเดิม NPN

Bc817-64 Bipolar Transistor BJT TA-545 23 40 V 800mA รุ่นใหม่และดั้งเดิม NPN

Bc817-64 Bipolar Transistor BJT TA-545 23 40 V 800mA รุ่นใหม่และดั้งเดิม NPN

1/ 6

รายการโปรด

Bc817-64 Bipolar Transistor BJT TA-545 23 40 V 800mA รุ่นใหม่และดั้งเดิม NPN

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

2sc3330t 2sc1907 2SA562 SA608 New&Original BJT สัญญาณ Bipolar TransSTs NPN ทรานซิสเตอร์

2sc3330t 2sc1907 2SA562 SA608 New&Original BJT สัญญาณ Bipolar TransSTs NPN ทรานซิสเตอร์

2sc3330t 2sc1907 2SA562 SA608 New&Original BJT สัญญาณ Bipolar TransSTs NPN ทรานซิสเตอร์

2sc3330t 2sc1907 2SA562 SA608 New&Original BJT สัญญาณ Bipolar TransSTs NPN ทรานซิสเตอร์

2sc3330t 2sc1907 2SA562 SA608 New&Original BJT สัญญาณ Bipolar TransSTs NPN ทรานซิสเตอร์

2sc3330t 2sc1907 2SA562 SA608 New&Original BJT สัญญาณ Bipolar TransSTs NPN ทรานซิสเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

2sc3330t 2sc1907 2SA562 SA608 New&Original BJT สัญญาณ Bipolar TransSTs NPN ทรานซิสเตอร์

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

Bipolar ทรานซิสเตอร์ PNP 150V 2SA940 A940 A940-sc2073 ใหม่และดั้งเดิม C2073

Bipolar ทรานซิสเตอร์ PNP 150V 2SA940 A940 A940-sc2073 ใหม่และดั้งเดิม C2073

Bipolar ทรานซิสเตอร์ PNP 150V 2SA940 A940 A940-sc2073 ใหม่และดั้งเดิม C2073

Bipolar ทรานซิสเตอร์ PNP 150V 2SA940 A940 A940-sc2073 ใหม่และดั้งเดิม C2073

Bipolar ทรานซิสเตอร์ PNP 150V 2SA940 A940 A940-sc2073 ใหม่และดั้งเดิม C2073

Bipolar ทรานซิสเตอร์ PNP 150V 2SA940 A940 A940-sc2073 ใหม่และดั้งเดิม C2073

1/ 6

รายการโปรด

Bipolar ทรานซิสเตอร์ PNP 150V 2SA940 A940 A940-sc2073 ใหม่และดั้งเดิม C2073

US$0.08-0.09 / บางส่วน

200 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

โครงสร้าง: ระนาบ

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Standard

มาตรฐาน: standard

Imza65r027m1hxks1 MOSFET Silicon Carbide MOSFET 1 ตัวต้านทาน 189 W

Imza65r027m1hxks1 MOSFET Silicon Carbide MOSFET 1 ตัวต้านทาน 189 W

Imza65r027m1hxks1 MOSFET Silicon Carbide MOSFET 1 ตัวต้านทาน 189 W

Imza65r027m1hxks1 MOSFET Silicon Carbide MOSFET 1 ตัวต้านทาน 189 W

Imza65r027m1hxks1 MOSFET Silicon Carbide MOSFET 1 ตัวต้านทาน 189 W

Imza65r027m1hxks1 MOSFET Silicon Carbide MOSFET 1 ตัวต้านทาน 189 W

1/ 6

รายการโปรด

Imza65r027m1hxks1 MOSFET Silicon Carbide MOSFET 1 ตัวต้านทาน 189 W

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

Discrete Semมิ คอนดักเตอร์ Tw27z65c S1f Tw107z65c Transdทรานซิสเตอร์ G3 650V ถึง 247 L 27mhm

Discrete Semมิ คอนดักเตอร์ Tw27z65c S1f Tw107z65c Transdทรานซิสเตอร์ G3 650V ถึง 247 L 27mhm

Discrete Semมิ คอนดักเตอร์ Tw27z65c S1f Tw107z65c Transdทรานซิสเตอร์ G3 650V ถึง 247 L 27mhm

Discrete Semมิ คอนดักเตอร์ Tw27z65c S1f Tw107z65c Transdทรานซิสเตอร์ G3 650V ถึง 247 L 27mhm

Discrete Semมิ คอนดักเตอร์ Tw27z65c S1f Tw107z65c Transdทรานซิสเตอร์ G3 650V ถึง 247 L 27mhm

Discrete Semมิ คอนดักเตอร์ Tw27z65c S1f Tw107z65c Transdทรานซิสเตอร์ G3 650V ถึง 247 L 27mhm

1/ 6

รายการโปรด

Discrete Semมิ คอนดักเตอร์ Tw27z65c S1f Tw107z65c Transdทรานซิสเตอร์ G3 650V ถึง 247 L 27mhm

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ทรานซิสเตอร์ Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prias PNP ใหม่และดั้งเดิม 50V 0.5A Mini3

ทรานซิสเตอร์ Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prias PNP ใหม่และดั้งเดิม 50V 0.5A Mini3

ทรานซิสเตอร์ Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prias PNP ใหม่และดั้งเดิม 50V 0.5A Mini3

ทรานซิสเตอร์ Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prias PNP ใหม่และดั้งเดิม 50V 0.5A Mini3

ทรานซิสเตอร์ Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prias PNP ใหม่และดั้งเดิม 50V 0.5A Mini3

ทรานซิสเตอร์ Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prias PNP ใหม่และดั้งเดิม 50V 0.5A Mini3

1/ 6

รายการโปรด

ทรานซิสเตอร์ Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prias PNP ใหม่และดั้งเดิม 50V 0.5A Mini3

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ทรานซิสเตอร์แบบใหม่และดั้งเดิม Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3.1 นาที

ทรานซิสเตอร์แบบใหม่และดั้งเดิม Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3.1 นาที

ทรานซิสเตอร์แบบใหม่และดั้งเดิม Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3.1 นาที

ทรานซิสเตอร์แบบใหม่และดั้งเดิม Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3.1 นาที

ทรานซิสเตอร์แบบใหม่และดั้งเดิม Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3.1 นาที

ทรานซิสเตอร์แบบใหม่และดั้งเดิม Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3.1 นาที

1/ 6

รายการโปรด

ทรานซิสเตอร์แบบใหม่และดั้งเดิม Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3.1 นาที

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

Swa65n045m9 MOSFET N-Channel 650V 39mohm 54 กำลัง Mdmesh M9 MOSFET

Swa65n045m9 MOSFET N-Channel 650V 39mohm 54 กำลัง Mdmesh M9 MOSFET

Swa65n045m9 MOSFET N-Channel 650V 39mohm 54 กำลัง Mdmesh M9 MOSFET

Swa65n045m9 MOSFET N-Channel 650V 39mohm 54 กำลัง Mdmesh M9 MOSFET

Swa65n045m9 MOSFET N-Channel 650V 39mohm 54 กำลัง Mdmesh M9 MOSFET

Swa65n045m9 MOSFET N-Channel 650V 39mohm 54 กำลัง Mdmesh M9 MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

Swa65n045m9 MOSFET N-Channel 650V 39mohm 54 กำลัง Mdmesh M9 MOSFET

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200 V เตาอบดินพื้นสูงขนาด 40 A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามขนาด 247n

Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200 V เตาอบดินพื้นสูงขนาด 40 A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามขนาด 247n

Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200 V เตาอบดินพื้นสูงขนาด 40 A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามขนาด 247n

Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200 V เตาอบดินพื้นสูงขนาด 40 A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามขนาด 247n

Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200 V เตาอบดินพื้นสูงขนาด 40 A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามขนาด 247n

Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200 V เตาอบดินพื้นสูงขนาด 40 A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามขนาด 247n

1/ 6

รายการโปรด

Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200 V เตาอบดินพื้นสูงขนาด 40 A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามขนาด 247n

US$0.1-0.6 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

2W10V 12V 13v 110V 160V 180V Zener รุ่นใหม่และรุ่นดั้งเดิม ไดโอด

2W10V 12V 13v 110V 160V 180V Zener รุ่นใหม่และรุ่นดั้งเดิม ไดโอด

2W10V 12V 13v 110V 160V 180V Zener รุ่นใหม่และรุ่นดั้งเดิม ไดโอด

2W10V 12V 13v 110V 160V 180V Zener รุ่นใหม่และรุ่นดั้งเดิม ไดโอด

2W10V 12V 13v 110V 160V 180V Zener รุ่นใหม่และรุ่นดั้งเดิม ไดโอด

2W10V 12V 13v 110V 160V 180V Zener รุ่นใหม่และรุ่นดั้งเดิม ไดโอด

1/ 6

รายการโปรด

2W10V 12V 13v 110V 160V 180V Zener รุ่นใหม่และรุ่นดั้งเดิม ไดโอด

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

Low Collector - ตัวส่งสัญญาณความอิ่มตัวแรงดันไฟฟ้า Ost40n120hmf 10µ S ไฟฟ้าลัดวงจร ความคลาดเคลื่อน 1200V 40A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามจนถึง 247n

Low Collector - ตัวส่งสัญญาณความอิ่มตัวแรงดันไฟฟ้า Ost40n120hmf 10µ S ไฟฟ้าลัดวงจร ความคลาดเคลื่อน 1200V 40A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามจนถึง 247n

Low Collector - ตัวส่งสัญญาณความอิ่มตัวแรงดันไฟฟ้า Ost40n120hmf 10µ S ไฟฟ้าลัดวงจร ความคลาดเคลื่อน 1200V 40A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามจนถึง 247n

Low Collector - ตัวส่งสัญญาณความอิ่มตัวแรงดันไฟฟ้า Ost40n120hmf 10µ S ไฟฟ้าลัดวงจร ความคลาดเคลื่อน 1200V 40A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามจนถึง 247n

Low Collector - ตัวส่งสัญญาณความอิ่มตัวแรงดันไฟฟ้า Ost40n120hmf 10µ S ไฟฟ้าลัดวงจร ความคลาดเคลื่อน 1200V 40A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามจนถึง 247n

Low Collector - ตัวส่งสัญญาณความอิ่มตัวแรงดันไฟฟ้า Ost40n120hmf 10µ S ไฟฟ้าลัดวงจร ความคลาดเคลื่อน 1200V 40A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามจนถึง 247n

1/ 6

รายการโปรด

Low Collector - ตัวส่งสัญญาณความอิ่มตัวแรงดันไฟฟ้า Ost40n120hmf 10µ S ไฟฟ้าลัดวงจร ความคลาดเคลื่อน 1200V 40A Frd ติดตั้งกับร่องจอดสนามจนถึง 247n

US$0.1-0.6 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงในอุตสาหกรรมรถยนต์และ IGBT

สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงในอุตสาหกรรมรถยนต์และ IGBT

สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงในอุตสาหกรรมรถยนต์และ IGBT

สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงในอุตสาหกรรมรถยนต์และ IGBT

สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงในอุตสาหกรรมรถยนต์และ IGBT

สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงในอุตสาหกรรมรถยนต์และ IGBT

1/ 6

รายการโปรด

สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงในอุตสาหกรรมรถยนต์และ IGBT

US$0.1-0.6 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A Frd อุตสาหกรรมยานยนต์ Ost40n120hmf 10µ S ความคลาดเคลื่อนของไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A Frd อุตสาหกรรมยานยนต์ Ost40n120hmf 10µ S ความคลาดเคลื่อนของไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A Frd อุตสาหกรรมยานยนต์ Ost40n120hmf 10µ S ความคลาดเคลื่อนของไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A Frd อุตสาหกรรมยานยนต์ Ost40n120hmf 10µ S ความคลาดเคลื่อนของไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A Frd อุตสาหกรรมยานยนต์ Ost40n120hmf 10µ S ความคลาดเคลื่อนของไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A Frd อุตสาหกรรมยานยนต์ Ost40n120hmf 10µ S ความคลาดเคลื่อนของไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

1/ 6

รายการโปรด

ความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A Frd อุตสาหกรรมยานยนต์ Ost40n120hmf 10µ S ความคลาดเคลื่อนของไฟฟ้าลัดวงจร 1200V 40A ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

US$0.1-0.6 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ผลกระทบของการคายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S เกณฑ์ความคลาดเคลื่อนของการลัดวงจร 1200V 40A Frd ในตัวเป็น 247n IGBT

ผลกระทบของการคายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S เกณฑ์ความคลาดเคลื่อนของการลัดวงจร 1200V 40A Frd ในตัวเป็น 247n IGBT

ผลกระทบของการคายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S เกณฑ์ความคลาดเคลื่อนของการลัดวงจร 1200V 40A Frd ในตัวเป็น 247n IGBT

ผลกระทบของการคายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S เกณฑ์ความคลาดเคลื่อนของการลัดวงจร 1200V 40A Frd ในตัวเป็น 247n IGBT

ผลกระทบของการคายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S เกณฑ์ความคลาดเคลื่อนของการลัดวงจร 1200V 40A Frd ในตัวเป็น 247n IGBT

ผลกระทบของการคายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S เกณฑ์ความคลาดเคลื่อนของการลัดวงจร 1200V 40A Frd ในตัวเป็น 247n IGBT

1/ 6

รายการโปรด

ผลกระทบของการคายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S เกณฑ์ความคลาดเคลื่อนของการลัดวงจร 1200V 40A Frd ในตัวเป็น 247n IGBT

US$0.1-0.6 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ค่าความคลาดเคลื่อนของเครื่องปรับอากาศ Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V 40A Frd ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ค่าความคลาดเคลื่อนของเครื่องปรับอากาศ Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V 40A Frd ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ค่าความคลาดเคลื่อนของเครื่องปรับอากาศ Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V 40A Frd ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ค่าความคลาดเคลื่อนของเครื่องปรับอากาศ Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V 40A Frd ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ค่าความคลาดเคลื่อนของเครื่องปรับอากาศ Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V 40A Frd ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

ค่าความคลาดเคลื่อนของเครื่องปรับอากาศ Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V 40A Frd ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

1/ 6

รายการโปรด

ค่าความคลาดเคลื่อนของเครื่องปรับอากาศ Ost40n120hmf 10µ S ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V 40A Frd ร่องหยุดภาคสนามขนาด 247n แบบในตัว IGBT

US$0.1-0.6 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V ใหม่และ SMD ดั้งเดิม ไดโอดของซีเนอร์

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V ใหม่และ SMD ดั้งเดิม ไดโอดของซีเนอร์

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V ใหม่และ SMD ดั้งเดิม ไดโอดของซีเนอร์

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V ใหม่และ SMD ดั้งเดิม ไดโอดของซีเนอร์

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V ใหม่และ SMD ดั้งเดิม ไดโอดของซีเนอร์

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V ใหม่และ SMD ดั้งเดิม ไดโอดของซีเนอร์

1/ 6

รายการโปรด

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V ใหม่และ SMD ดั้งเดิม ไดโอดของซีเนอร์

US$0.001-0.1 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโท 263 Ost50n65ktmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-200A VCE (SATA) -1.65V QG-78nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโท 263 Ost50n65ktmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-200A VCE (SATA) -1.65V QG-78nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโท 263 Ost50n65ktmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-200A VCE (SATA) -1.65V QG-78nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโท 263 Ost50n65ktmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-200A VCE (SATA) -1.65V QG-78nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโท 263 Ost50n65ktmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-200A VCE (SATA) -1.65V QG-78nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโท 263 Ost50n65ktmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-200A VCE (SATA) -1.65V QG-78nc N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโท 263 Ost50n65ktmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-200A VCE (SATA) -1.65V QG-78nc N-Channel Power IGBT

US$0.2-0.6 / บางส่วน

800 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost80n65hsmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATA) -1.35V Qg-178nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost80n65hsmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATA) -1.35V Qg-178nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost80n65hsmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATA) -1.35V Qg-178nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost80n65hsmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATA) -1.35V Qg-178nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost80n65hsmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATA) -1.35V Qg-178nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost80n65hsmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATA) -1.35V Qg-178nc N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost80n65hsmf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATA) -1.35V Qg-178nc N-Channel Power IGBT

US$0.2-1.2 / บางส่วน

600 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

Tos247 Ost75n65mf Vc-650V พัลส์ 300A N-Channel Power IGBT

Tos247 Ost75n65mf Vc-650V พัลส์ 300A N-Channel Power IGBT

Tos247 Ost75n65mf Vc-650V พัลส์ 300A N-Channel Power IGBT

Tos247 Ost75n65mf Vc-650V พัลส์ 300A N-Channel Power IGBT

Tos247 Ost75n65mf Vc-650V พัลส์ 300A N-Channel Power IGBT

Tos247 Ost75n65mf Vc-650V พัลส์ 300A N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

Tos247 Ost75n65mf Vc-650V พัลส์ 300A N-Channel Power IGBT

US$0.3-1.3 / บางส่วน

600 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โท 247 Ost75n65hswf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-300A VCE (SATs) -1.5V QG-204nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โท 247 Ost75n65hswf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-300A VCE (SATs) -1.5V QG-204nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โท 247 Ost75n65hswf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-300A VCE (SATs) -1.5V QG-204nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โท 247 Ost75n65hswf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-300A VCE (SATs) -1.5V QG-204nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โท 247 Ost75n65hswf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-300A VCE (SATs) -1.5V QG-204nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โท 247 Ost75n65hswf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-300A VCE (SATs) -1.5V QG-204nc N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โท 247 Ost75n65hswf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-300A VCE (SATs) -1.5V QG-204nc N-Channel Power IGBT

US$0.6-1.6 / บางส่วน

330 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost40n120hmf Vc-1200V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-160A VCE (SAT) -1.45V QG-214nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost40n120hmf Vc-1200V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-160A VCE (SAT) -1.45V QG-214nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost40n120hmf Vc-1200V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-160A VCE (SAT) -1.45V QG-214nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost40n120hmf Vc-1200V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-160A VCE (SAT) -1.45V QG-214nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost40n120hmf Vc-1200V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-160A VCE (SAT) -1.45V QG-214nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost40n120hmf Vc-1200V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-160A VCE (SAT) -1.45V QG-214nC N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost40n120hmf Vc-1200V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-160A VCE (SAT) -1.45V QG-214nC N-Channel Power IGBT

US$0.2-1.2 / บางส่วน

330 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247-4L Ost60n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมท่อ 755, IC, Pulse-240A VCE (SATs) -1.45V Q10n-nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247-4L Ost60n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมท่อ 755, IC, Pulse-240A VCE (SATs) -1.45V Q10n-nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247-4L Ost60n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมท่อ 755, IC, Pulse-240A VCE (SATs) -1.45V Q10n-nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247-4L Ost60n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมท่อ 755, IC, Pulse-240A VCE (SATs) -1.45V Q10n-nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247-4L Ost60n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมท่อ 755, IC, Pulse-240A VCE (SATs) -1.45V Q10n-nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247-4L Ost60n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมท่อ 755, IC, Pulse-240A VCE (SATs) -1.45V Q10n-nc N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247-4L Ost60n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมท่อ 755, IC, Pulse-240A VCE (SATs) -1.45V Q10n-nc N-Channel Power IGBT

US$0.2-0.6 / บางส่วน

450 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: เซนต์

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost30n65hmf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-120A VCE (Sat ) -1.5V QG-56nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost30n65hmf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-120A VCE (Sat ) -1.5V QG-56nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost30n65hmf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-120A VCE (Sat ) -1.5V QG-56nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost30n65hmf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-120A VCE (Sat ) -1.5V QG-56nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost30n65hmf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-120A VCE (Sat ) -1.5V QG-56nC N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost30n65hmf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-120A VCE (Sat ) -1.5V QG-56nC N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost30n65hmf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-120A VCE (Sat ) -1.5V QG-56nC N-Channel Power IGBT

US$0.1-1 / บางส่วน

600 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ขนาดเล็กมาก

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost120n65mf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-480A VCE (SATA) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost120n65mf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-480A VCE (SATA) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost120n65mf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-480A VCE (SATA) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost120n65mf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-480A VCE (SATA) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost120n65mf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-480A VCE (SATA) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost120n65mf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-480A VCE (SATA) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

โหมดทรานซิสเตอร์เสริมพลังโท 247 Ost120n65mf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-480A VCE (SATA) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

US$0.2-0.6 / บางส่วน

800 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ - ไดโอด SIC โท 247-4L Ost80n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATE) -1.45V QG-168nc N-Channel Power Igb

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ - ไดโอด SIC โท 247-4L Ost80n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATE) -1.45V QG-168nc N-Channel Power Igb

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ - ไดโอด SIC โท 247-4L Ost80n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATE) -1.45V QG-168nc N-Channel Power Igb

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ - ไดโอด SIC โท 247-4L Ost80n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATE) -1.45V QG-168nc N-Channel Power Igb

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ - ไดโอด SIC โท 247-4L Ost80n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATE) -1.45V QG-168nc N-Channel Power Igb

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ - ไดโอด SIC โท 247-4L Ost80n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATE) -1.45V QG-168nc N-Channel Power Igb

1/ 6

รายการโปรด

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ - ไดโอด SIC โท 247-4L Ost80n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 175, IC, Pulse-320A VCE (SATE) -1.45V QG-168nc N-Channel Power Igb

US$0.2-1.2 / บางส่วน

450 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

อุปกรณ์เสริมทรานซิสเตอร์ T247-4L Ost50n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมสาย 175, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.4V QG-4nc N6n-Channel Power IGBT

อุปกรณ์เสริมทรานซิสเตอร์ T247-4L Ost50n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมสาย 175, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.4V QG-4nc N6n-Channel Power IGBT

อุปกรณ์เสริมทรานซิสเตอร์ T247-4L Ost50n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมสาย 175, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.4V QG-4nc N6n-Channel Power IGBT

อุปกรณ์เสริมทรานซิสเตอร์ T247-4L Ost50n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมสาย 175, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.4V QG-4nc N6n-Channel Power IGBT

อุปกรณ์เสริมทรานซิสเตอร์ T247-4L Ost50n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมสาย 175, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.4V QG-4nc N6n-Channel Power IGBT

อุปกรณ์เสริมทรานซิสเตอร์ T247-4L Ost50n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมสาย 175, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.4V QG-4nc N6n-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

อุปกรณ์เสริมทรานซิสเตอร์ T247-4L Ost50n65h4ewf Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมสาย 175, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.4V QG-4nc N6n-Channel Power IGBT

US$0.2-1.2 / บางส่วน

450 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: GT

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โทพี 247 Ost50n65hwf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 1,755, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.6V QG-111nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โทพี 247 Ost50n65hwf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 1,755, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.6V QG-111nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โทพี 247 Ost50n65hwf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 1,755, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.6V QG-111nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โทพี 247 Ost50n65hwf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 1,755, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.6V QG-111nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โทพี 247 Ost50n65hwf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 1,755, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.6V QG-111nc N-Channel Power IGBT

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โทพี 247 Ost50n65hwf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 1,755, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.6V QG-111nc N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ไดโอด SIC โทพี 247 Ost50n65hwf Vc-650V อุณหภูมิรวมสูงสุด 1,755, IC, Pulse-200A VCE (SATs) -1.6V QG-111nc N-Channel Power IGBT

US$0.3-1.3 / บางส่วน

600 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost90n65hm2f Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-360A VCE (Sat ) -1.5V Qg-170C N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost90n65hm2f Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-360A VCE (Sat ) -1.5V Qg-170C N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost90n65hm2f Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-360A VCE (Sat ) -1.5V Qg-170C N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost90n65hm2f Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-360A VCE (Sat ) -1.5V Qg-170C N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost90n65hm2f Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-360A VCE (Sat ) -1.5V Qg-170C N-Channel Power IGBT

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost90n65hm2f Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-360A VCE (Sat ) -1.5V Qg-170C N-Channel Power IGBT

1/ 6

รายการโปรด

โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพโต 247 Ost90n65hm2f Vc-650V อุณหภูมิสูงสุดรวมแยก 175, IC, Pulse-360A VCE (Sat ) -1.5V Qg-170C N-Channel Power IGBT

US$0.2-1.2 / บางส่วน

600 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ได้อย่างมีพรับ: ขนาดเล็กมาก

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

โครงสร้าง

การรับรอง

ความถี่ในการทำงาน

ฟังก์ชัน

วัสดุ

โครงสร้างการห่อหุ้ม

วิธีการระบายความร้อน

ระดับพลังงาน

ได้อย่างมีพรับ

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

ตัวเก็บประจุ DC

การค้นหายอดนิยม

Copyright ©2024 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข