หน้าหลัก ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไตรโอด การเปลี่ยนทรานซิสเตอร์ 2024 รายการผลิตภัณฑ์

การเปลี่ยนทรานซิสเตอร์

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3407AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3407AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3407AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3407AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3407AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3407AQ

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3407AQ

US$0.79 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

Jxing A94 -400V-400mA 500MW -2.5 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - เอ็นสเตอร์ปิด (CNPN) 89 ตัว

Jxing A94 -400V-400mA 500MW -2.5 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - เอ็นสเตอร์ปิด (CNPN) 89 ตัว

Jxing A94 -400V-400mA 500MW -2.5 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - เอ็นสเตอร์ปิด (CNPN) 89 ตัว

Jxing A94 -400V-400mA 500MW -2.5 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - เอ็นสเตอร์ปิด (CNPN) 89 ตัว

Jxing A94 -400V-400mA 500MW -2.5 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - เอ็นสเตอร์ปิด (CNPN) 89 ตัว

Jxing A94 -400V-400mA 500MW -2.5 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - เอ็นสเตอร์ปิด (CNPN) 89 ตัว

1/ 6

รายการโปรด

Jxing A94 -400V-400mA 500MW -2.5 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - เอ็นสเตอร์ปิด (CNPN) 89 ตัว

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Jxing Ss8550 -40V-1.5SO-455 mA ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก - ห่อหุ้ม 23 ตัวทรานซิสเตอร์ (NPN)

Jxing Ss8550 -40V-1.5SO-455 mA ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก - ห่อหุ้ม 23 ตัวทรานซิสเตอร์ (NPN)

Jxing Ss8550 -40V-1.5SO-455 mA ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก - ห่อหุ้ม 23 ตัวทรานซิสเตอร์ (NPN)

Jxing Ss8550 -40V-1.5SO-455 mA ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก - ห่อหุ้ม 23 ตัวทรานซิสเตอร์ (NPN)

Jxing Ss8550 -40V-1.5SO-455 mA ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก - ห่อหุ้ม 23 ตัวทรานซิสเตอร์ (NPN)

Jxing Ss8550 -40V-1.5SO-455 mA ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก - ห่อหุ้ม 23 ตัวทรานซิสเตอร์ (NPN)

1/ 6

รายการโปรด

Jxing Ss8550 -40V-1.5SO-455 mA ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก - ห่อหุ้ม 23 ตัวทรานซิสเตอร์ (NPN)

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Jxing S9015 50V100mA SO-24 ตัวต้านทานชนิดพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23 ตัว

Jxing S9015 50V100mA SO-24 ตัวต้านทานชนิดพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23 ตัว

Jxing S9015 50V100mA SO-24 ตัวต้านทานชนิดพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23 ตัว

Jxing S9015 50V100mA SO-24 ตัวต้านทานชนิดพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23 ตัว

Jxing S9015 50V100mA SO-24 ตัวต้านทานชนิดพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23 ตัว

Jxing S9015 50V100mA SO-24 ตัวต้านทานชนิดพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23 ตัว

1/ 6

รายการโปรด

Jxing S9015 50V100mA SO-24 ตัวต้านทานชนิดพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23 ตัว

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Juxing D882 40V3a Encapsulation 89 ตัวทรานซิสเตอร์พลาสติก - ตัวต้านทานที่ห่อหุ้มไว้ (NPN)

Juxing D882 40V3a Encapsulation 89 ตัวทรานซิสเตอร์พลาสติก - ตัวต้านทานที่ห่อหุ้มไว้ (NPN)

Juxing D882 40V3a Encapsulation 89 ตัวทรานซิสเตอร์พลาสติก - ตัวต้านทานที่ห่อหุ้มไว้ (NPN)

Juxing D882 40V3a Encapsulation 89 ตัวทรานซิสเตอร์พลาสติก - ตัวต้านทานที่ห่อหุ้มไว้ (NPN)

Juxing D882 40V3a Encapsulation 89 ตัวทรานซิสเตอร์พลาสติก - ตัวต้านทานที่ห่อหุ้มไว้ (NPN)

Juxing D882 40V3a Encapsulation 89 ตัวทรานซิสเตอร์พลาสติก - ตัวต้านทานที่ห่อหุ้มไว้ (NPN)

1/ 6

รายการโปรด

Juxing D882 40V3a Encapsulation 89 ตัวทรานซิสเตอร์พลาสติก - ตัวต้านทานที่ห่อหุ้มไว้ (NPN)

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า 24V 200V

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า 24V 200V

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า 24V 200V

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า 24V 200V

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า 24V 200V

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า 24V 200V

1/ 6

รายการโปรด

รายการแหล่งจ่ายไฟสลับเครื่องขยายในราคาทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ดั้งเดิม ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า 24V 200V

US$1.19-2.28 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: by Sea(Carton)

Jxing S9012 40V500mA SO-24 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23

Jxing S9012 40V500mA SO-24 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23

Jxing S9012 40V500mA SO-24 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23

Jxing S9012 40V500mA SO-24 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23

Jxing S9012 40V500mA SO-24 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23

Jxing S9012 40V500mA SO-24 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23

1/ 6

รายการโปรด

Jxing S9012 40V500mA SO-24 ตัวต้านทานแบบพลาสติก - ตัวต้านทานชนิดสลับที่ห่อหุ้มด้วยพลาสติก (PnP) 23

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Jxing S8050 40V1.5A SOA-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -EnEndate (NPN)

Jxing S8050 40V1.5A SOA-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -EnEndate (NPN)

Jxing S8050 40V1.5A SOA-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -EnEndate (NPN)

Jxing S8050 40V1.5A SOA-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -EnEndate (NPN)

Jxing S8050 40V1.5A SOA-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -EnEndate (NPN)

Jxing S8050 40V1.5A SOA-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -EnEndate (NPN)

1/ 6

รายการโปรด

Jxing S8050 40V1.5A SOA-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -EnEndate (NPN)

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

MMBT4403LT1G MMBT ซีรี่ส์ 40V 600mA ติดตั้งบนพื้นผิว PNP Silicon Switching ทรานซิสเตอร์

MMBT4403LT1G MMBT ซีรี่ส์ 40V 600mA ติดตั้งบนพื้นผิว PNP Silicon Switching ทรานซิสเตอร์

MMBT4403LT1G MMBT ซีรี่ส์ 40V 600mA ติดตั้งบนพื้นผิว PNP Silicon Switching ทรานซิสเตอร์

MMBT4403LT1G MMBT ซีรี่ส์ 40V 600mA ติดตั้งบนพื้นผิว PNP Silicon Switching ทรานซิสเตอร์

MMBT4403LT1G MMBT ซีรี่ส์ 40V 600mA ติดตั้งบนพื้นผิว PNP Silicon Switching ทรานซิสเตอร์

MMBT4403LT1G MMBT ซีรี่ส์ 40V 600mA ติดตั้งบนพื้นผิว PNP Silicon Switching ทรานซิสเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

MMBT4403LT1G MMBT ซีรี่ส์ 40V 600mA ติดตั้งบนพื้นผิว PNP Silicon Switching ทรานซิสเตอร์

US$0.05-200 / บางส่วน

500 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: วงจรรวมแบบ Bipolar

การผสานการทำงาน: MSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: Box

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก PDAN5060-8L การประยุกต์ใช้งาน YJG25GP10AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก PDAN5060-8L การประยุกต์ใช้งาน YJG25GP10AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก PDAN5060-8L การประยุกต์ใช้งาน YJG25GP10AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก PDAN5060-8L การประยุกต์ใช้งาน YJG25GP10AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก PDAN5060-8L การประยุกต์ใช้งาน YJG25GP10AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก PDAN5060-8L การประยุกต์ใช้งาน YJG25GP10AQ

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก PDAN5060-8L การประยุกต์ใช้งาน YJG25GP10AQ

US$0.85 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

-60V -45A Nce60p45K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET

-60V -45A Nce60p45K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET

-60V -45A Nce60p45K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET

-60V -45A Nce60p45K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET

-60V -45A Nce60p45K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET

-60V -45A Nce60p45K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

-60V -45A Nce60p45K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET

US$0.116-0.2 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS

บรรจุภัณฑ์: Cardboard Box

มาตรฐาน: TO-252-2L

มาร์ค: NCE

ต้นกำเนิด: China

60V 5A Nce6005As เมื่อติดตั้งโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET ทรานซิสเตอร์ &mc; &ocy; &pcy ; -&tcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

60V 5A Nce6005As เมื่อติดตั้งโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET ทรานซิสเตอร์ &mc; &ocy; &pcy ; -&tcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

60V 5A Nce6005As เมื่อติดตั้งโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET ทรานซิสเตอร์ &mc; &ocy; &pcy ; -&tcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

60V 5A Nce6005As เมื่อติดตั้งโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET ทรานซิสเตอร์ &mc; &ocy; &pcy ; -&tcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

60V 5A Nce6005As เมื่อติดตั้งโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET ทรานซิสเตอร์ &mc; &ocy; &pcy ; -&tcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

60V 5A Nce6005As เมื่อติดตั้งโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET ทรานซิสเตอร์ &mc; &ocy; &pcy ; -&tcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

1/ 6

รายการโปรด

60V 5A Nce6005As เมื่อติดตั้งโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET ทรานซิสเตอร์ &mc; о &pcy ; -&tcy &acy ; &ncy ; з &IC; с &tcy о &rcy

US$0.077-0.089 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: Analog Digital Composite และฟังก์ชัน

บรรจุภัณฑ์: Cardboard Box

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3400AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3400AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3400AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3400AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3400AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3400AQ

1/ 6

รายการโปรด

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3400AQ

US$0.95 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3404AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3404AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3404AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3404AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3404AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3404AQ

1/ 6

รายการโปรด

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง SO-6 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3404AQ

US$0.92 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3401AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3401AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3401AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3401AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3401AQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3401AQ

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ชนิดฟิลด์ทรานซิสเตอร์การสลับความเร็วสูง SO-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3401AQ

US$0.92 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

100V 50A กำลังในทรานซิสเตอร์แบบสลับช่อง N-Channel ใน 220 แพ็คเกจ

100V 50A กำลังในทรานซิสเตอร์แบบสลับช่อง N-Channel ใน 220 แพ็คเกจ

100V 50A กำลังในทรานซิสเตอร์แบบสลับช่อง N-Channel ใน 220 แพ็คเกจ

100V 50A กำลังในทรานซิสเตอร์แบบสลับช่อง N-Channel ใน 220 แพ็คเกจ

100V 50A กำลังในทรานซิสเตอร์แบบสลับช่อง N-Channel ใน 220 แพ็คเกจ

100V 50A กำลังในทรานซิสเตอร์แบบสลับช่อง N-Channel ใน 220 แพ็คเกจ

1/ 6

รายการโปรด

100V 50A กำลังในทรานซิสเตอร์แบบสลับช่อง N-Channel ใน 220 แพ็คเกจ

US$0.219-0.239 / บางส่วน

20 ชิ้น (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Carton

PMBT3904, 215 PMBT3904 ซีรี่ส์ 40 V 200 mA SMT ทรานซิสเตอร์แบบเปลี่ยน NPN

PMBT3904, 215 PMBT3904 ซีรี่ส์ 40 V 200 mA SMT ทรานซิสเตอร์แบบเปลี่ยน NPN

PMBT3904, 215 PMBT3904 ซีรี่ส์ 40 V 200 mA SMT ทรานซิสเตอร์แบบเปลี่ยน NPN

PMBT3904, 215 PMBT3904 ซีรี่ส์ 40 V 200 mA SMT ทรานซิสเตอร์แบบเปลี่ยน NPN

PMBT3904, 215 PMBT3904 ซีรี่ส์ 40 V 200 mA SMT ทรานซิสเตอร์แบบเปลี่ยน NPN

PMBT3904, 215 PMBT3904 ซีรี่ส์ 40 V 200 mA SMT ทรานซิสเตอร์แบบเปลี่ยน NPN

1/ 6

รายการโปรด

PMBT3904, 215 PMBT3904 ซีรี่ส์ 40 V 200 mA SMT ทรานซิสเตอร์แบบเปลี่ยน NPN

US$0.072-15 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: ULSIC

เทคนิค: ฟิล์มบาง IC

พิมพ์: IC แบบอะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: Box

Jxing Mmb4401 60V600mA SO-6 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Jxing Mmb4401 60V600mA SO-6 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Jxing Mmb4401 60V600mA SO-6 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Jxing Mmb4401 60V600mA SO-6 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Jxing Mmb4401 60V600mA SO-6 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Jxing Mmb4401 60V600mA SO-6 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

1/ 6

รายการโปรด

Jxing Mmb4401 60V600mA SO-6 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

-40V -70A Nce40p70K เมื่อใช้โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เพิ่มพลังงาน MOSFET &mcy; &ocy; &pcy ต่ ; --&tcy; &rcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

-40V -70A Nce40p70K เมื่อใช้โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เพิ่มพลังงาน MOSFET &mcy; &ocy; &pcy ต่ ; --&tcy; &rcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

-40V -70A Nce40p70K เมื่อใช้โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เพิ่มพลังงาน MOSFET &mcy; &ocy; &pcy ต่ ; --&tcy; &rcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

-40V -70A Nce40p70K เมื่อใช้โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เพิ่มพลังงาน MOSFET &mcy; &ocy; &pcy ต่ ; --&tcy; &rcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

-40V -70A Nce40p70K เมื่อใช้โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เพิ่มพลังงาน MOSFET &mcy; &ocy; &pcy ต่ ; --&tcy; &rcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

-40V -70A Nce40p70K เมื่อใช้โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เพิ่มพลังงาน MOSFET &mcy; &ocy; &pcy ต่ ; --&tcy; &rcy &acy ; &ncy ; &zcy; &IC; &scy; &tcy &ocy; &rcy

1/ 6

รายการโปรด

-40V -70A Nce40p70K เมื่อใช้โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เพิ่มพลังงาน MOSFET м о &pcy ต่ ; --т &rcy &acy ; &ncy ; з &IC; с &tcy о &rcy

US$0.19-0.219 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ P-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: Analog Digital Composite และฟังก์ชัน

บรรจุภัณฑ์: Cardboard Box

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 363 ความเร็ว SOT Fures Applications 2N7002KDDWQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 363 ความเร็ว SOT Fures Applications 2N7002KDDWQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 363 ความเร็ว SOT Fures Applications 2N7002KDDWQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 363 ความเร็ว SOT Fures Applications 2N7002KDDWQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 363 ความเร็ว SOT Fures Applications 2N7002KDDWQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 363 ความเร็ว SOT Fures Applications 2N7002KDDWQ

1/ 6

รายการโปรด

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 363 ความเร็ว SOT Fures Applications 2N7002KDDWQ

US$0.18-1.31 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและการสูญเสียการสลับไปยัง 247-F ผู้ผลิต 800W Ost75n65hsmf 30V ประตูไทรบุล Bipolar ทรานซิสเตอร์

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและการสูญเสียการสลับไปยัง 247-F ผู้ผลิต 800W Ost75n65hsmf 30V ประตูไทรบุล Bipolar ทรานซิสเตอร์

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและการสูญเสียการสลับไปยัง 247-F ผู้ผลิต 800W Ost75n65hsmf 30V ประตูไทรบุล Bipolar ทรานซิสเตอร์

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและการสูญเสียการสลับไปยัง 247-F ผู้ผลิต 800W Ost75n65hsmf 30V ประตูไทรบุล Bipolar ทรานซิสเตอร์

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและการสูญเสียการสลับไปยัง 247-F ผู้ผลิต 800W Ost75n65hsmf 30V ประตูไทรบุล Bipolar ทรานซิสเตอร์

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและการสูญเสียการสลับไปยัง 247-F ผู้ผลิต 800W Ost75n65hsmf 30V ประตูไทรบุล Bipolar ทรานซิสเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและการสูญเสียการสลับไปยัง 247-F ผู้ผลิต 800W Ost75n65hsmf 30V ประตูไทรบุล Bipolar ทรานซิสเตอร์

US$2.5-3 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์วงจรในตัว

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: การจำลองการทำงาน

แอปพลิเคชัน: โซลาร์เซลล์

Juxing mmb5551 180V600mA SO-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Juxing mmb5551 180V600mA SO-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Juxing mmb5551 180V600mA SO-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Juxing mmb5551 180V600mA SO-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Juxing mmb5551 180V600mA SO-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

Juxing mmb5551 180V600mA SO-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

1/ 6

รายการโปรด

Juxing mmb5551 180V600mA SO-80 23 ตัวต้านทานแบบสลับพลาสติก -Enlightate (NPN)

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

100V 9.6A Nce0110K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET ด้วยความจุ 252 ลิตร

100V 9.6A Nce0110K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET ด้วยความจุ 252 ลิตร

100V 9.6A Nce0110K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET ด้วยความจุ 252 ลิตร

100V 9.6A Nce0110K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET ด้วยความจุ 252 ลิตร

100V 9.6A Nce0110K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET ด้วยความจุ 252 ลิตร

100V 9.6A Nce0110K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET ด้วยความจุ 252 ลิตร

1/ 6

รายการโปรด

100V 9.6A Nce0110K เมื่อโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel ทรานซิสเตอร์ MOSFET ด้วยความจุ 252 ลิตร

US$0.08-0.092 / บางส่วน

2,500 ชิ้น (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: Analog Digital Composite และฟังก์ชัน

บรรจุภัณฑ์: Carton

1/ 4

รายการโปรด

Lm2575t-Adj P/+ สลับเครื่องควบคุมเครื่องควบคุมอุปกรณ์สวิตชิ่งในชุดควบคุมเทอร์มินัลสามชุดแบบรวม ทรานซิสเตอร์

US$0.41 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน

โครงสร้าง: โลหะผสม

วัสดุ: ซิลิคอน

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก SOA-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3415KCQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก SOA-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3415KCQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก SOA-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3415KCQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก SOA-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3415KCQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก SOA-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3415KCQ

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก SOA-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3415KCQ

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์สูญเสียการสลับสัญญาณต่ำมาก SOA-4 23 การประยุกต์ใช้งาน YJL3415KCQ

US$0.86 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2 N7002KCQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2 N7002KCQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2 N7002KCQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2 N7002KCQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2 N7002KCQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2 N7002KCQ

1/ 6

รายการโปรด

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2 N7002KCQ

US$0.14-1.15 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

Jxing S9014 50V100mA SO-24 23 ตัวต้านทานแบบพลาสติก -EnEndate Switching (NPN)

Jxing S9014 50V100mA SO-24 23 ตัวต้านทานแบบพลาสติก -EnEndate Switching (NPN)

Jxing S9014 50V100mA SO-24 23 ตัวต้านทานแบบพลาสติก -EnEndate Switching (NPN)

Jxing S9014 50V100mA SO-24 23 ตัวต้านทานแบบพลาสติก -EnEndate Switching (NPN)

Jxing S9014 50V100mA SO-24 23 ตัวต้านทานแบบพลาสติก -EnEndate Switching (NPN)

Jxing S9014 50V100mA SO-24 23 ตัวต้านทานแบบพลาสติก -EnEndate Switching (NPN)

1/ 6

รายการโปรด

Jxing S9014 50V100mA SO-24 23 ตัวต้านทานแบบพลาสติก -EnEndate Switching (NPN)

US$0.0183-0.0486 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การติดตั้ง: SMD Triode

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

( ทรานซิสเตอร์ ) การสลับ MOSFET P-CH 30V 2A 3 ขา 2301h T-2 23 T/R

( ทรานซิสเตอร์ ) การสลับ MOSFET P-CH 30V 2A 3 ขา 2301h T-2 23 T/R

( ทรานซิสเตอร์ ) การสลับ MOSFET P-CH 30V 2A 3 ขา 2301h T-2 23 T/R

( ทรานซิสเตอร์ ) การสลับ MOSFET P-CH 30V 2A 3 ขา 2301h T-2 23 T/R

( ทรานซิสเตอร์ ) การสลับ MOSFET P-CH 30V 2A 3 ขา 2301h T-2 23 T/R

1/ 5

รายการโปรด

( ทรานซิสเตอร์ ) การสลับ MOSFET P-CH 30V 2A 3 ขา 2301h T-2 23 T/R

US$0.015-0.02 / บางส่วน

20 ชิ้น (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,ISO

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับสาย Fscq0765rtu รุ่นใหม่ทรานซิสเตอร์ To220f-5L

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับสาย Fscq0765rtu รุ่นใหม่ทรานซิสเตอร์ To220f-5L

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับสาย Fscq0765rtu รุ่นใหม่ทรานซิสเตอร์ To220f-5L

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับสาย Fscq0765rtu รุ่นใหม่ทรานซิสเตอร์ To220f-5L

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับสาย Fscq0765rtu รุ่นใหม่ทรานซิสเตอร์ To220f-5L

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับสาย Fscq0765rtu รุ่นใหม่ทรานซิสเตอร์ To220f-5L

1/ 6

รายการโปรด

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับสาย Fscq0765rtu รุ่นใหม่ทรานซิสเตอร์ To220f-5L

US$0.0001-0.1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

บรรจุภัณฑ์: N/a

มาตรฐาน: DIP/SMD

มาร์ค: N/A

ต้นกำเนิด: Original

650V Nce65TF078t N-Channel Super Junction Power ทรานซิสเตอร์ที่มีถึง 247

650V Nce65TF078t N-Channel Super Junction Power ทรานซิสเตอร์ที่มีถึง 247

650V Nce65TF078t N-Channel Super Junction Power ทรานซิสเตอร์ที่มีถึง 247

650V Nce65TF078t N-Channel Super Junction Power ทรานซิสเตอร์ที่มีถึง 247

650V Nce65TF078t N-Channel Super Junction Power ทรานซิสเตอร์ที่มีถึง 247

650V Nce65TF078t N-Channel Super Junction Power ทรานซิสเตอร์ที่มีถึง 247

1/ 6

รายการโปรด

650V Nce65TF078t N-Channel Super Junction Power ทรานซิสเตอร์ที่มีถึง 247

US$1.6-1.8 / บางส่วน

600 ชิ้น (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์แบบแยก

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: DIP ( แพคเกจคู่ในสายการผลิต )

การประมวลผลสัญญาณ: Analog Digital Composite และฟังก์ชัน

บรรจุภัณฑ์: Cardboard Box

เพิ่มเติม

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

การประมวลผลสัญญาณ

เทคโนโลยีการผลิต

แพ็คเกจ

วัสดุ

การรับรอง

วัสดุ

ฟังก์ชัน

พิมพ์

โครงสร้าง

การรับรอง

ฟังก์ชัน

วัสดุ

ความถี่ในการทำงาน

ชนิดนำไฟฟ้า

โครงสร้าง

ความถี่ในการทำงาน

โครงสร้างการห่อหุ้ม

โครงสร้างการห่อหุ้ม

ระดับพลังงาน

ได้อย่างมีพรับ

ระดับพลังงาน

การผสานการทำงาน

แอปพลิเคชัน

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน

พิมพ์

การติดตั้ง

เทคนิค

วิธีการระบายความร้อน

ได้อย่างมีพรับ

แอปพลิเคชัน

หมายเลขชุด

รุ่น

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

Electronic Tubes Manufacturers

การค้นหายอดนิยม

Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข