หน่วยความจำ DDR DRAM คืออะไร?

หน่วยความจำ DDR DRAM หรือ Double Data Rate Dynamic Random Access Memory เป็นประเภทของหน่วยความจำที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในคอมพิวเตอร์และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ มันถูกออกแบบมาเพื่อถ่ายโอนข้อมูลทั้งในขาขึ้นและขาลงของสัญญาณนาฬิกา ซึ่งมีประสิทธิภาพในการเพิ่มอัตราการถ่ายโอนข้อมูลเมื่อเปรียบเทียบกับ SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) เทคโนโลยีนี้ช่วยให้ประสิทธิภาพที่เร็วขึ้นและประสิทธิภาพที่ดีขึ้น ทำให้เป็นตัวเลือกที่ได้รับความนิยมสำหรับความต้องการในการคอมพิวเตอร์สมัยใหม่ หน่วยความจำ DDR DRAM มีหลายรุ่น รวมถึง DDR, DDR2, DDR3, DDR4 และล่าสุดคือ DDR5 แต่ละรุ่นมีการปรับปรุงในด้านความเร็ว แบนด์วิดธ์ และการใช้พลังงาน ตัวอย่างเช่น หน่วยความจำ DDR4 สามารถทำความเร็วได้สูงสุดถึง 3200 MT/s (ล้านการถ่ายโอนต่อวินาที) ในขณะที่ DDR5 ถูกออกแบบมาเพื่อให้ความเร็วที่สูงขึ้น ทำให้เหมาะสมสำหรับแอปพลิเคชันที่มีประสิทธิภาพสูง เช่น การเล่นเกม การตัดต่อวิดีโอ และงานที่ต้องการข้อมูลมาก หนึ่งในคุณสมบัติหลักของหน่วยความจำ DDR DRAM คือความสามารถในการทำงานที่แรงดันไฟฟ้าต่ำกว่าประเภทหน่วยความจำก่อนหน้า สิ่งนี้ไม่เพียงช่วยลดการใช้พลังงาน แต่ยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพด้านความร้อนโดยรวมของระบบ เมื่อเทคโนโลยียังคงพัฒนาไป หน่วยความจำ DDR DRAM ยังคงเป็นส่วนประกอบที่สำคัญในการออกแบบและฟังก์ชันการทำงานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ เพื่อให้แน่ใจว่าพวกเขาสามารถจัดการกับความต้องการที่เพิ่มขึ้นของซอฟต์แวร์และแอปพลิเคชัน

วิธีการทำงานของหน่วยความจำ DDR DRAM

การทำงานของหน่วยความจำ DDR DRAM อิงจากกระบวนการที่ซับซ้อนซึ่งเกี่ยวข้องกับการจัดเก็บและการเรียกคืนข้อมูล ที่แกนกลางของ DDR DRAM ประกอบด้วยเซลล์ความจำที่เก็บบิตข้อมูลเป็นประจุไฟฟ้า เซลล์เหล่านี้ถูกจัดระเบียบเป็นแถวและคอลัมน์ ทำให้สามารถเข้าถึงและจัดการข้อมูลได้อย่างมีประสิทธิภาพ เมื่อข้อมูลถูกเขียนลงใน DDR DRAM จะถูกเก็บไว้ในเซลล์ความจำ และที่อยู่ที่เกี่ยวข้องจะถูกบันทึกไว้ คอนโทรลเลอร์ความจำ ซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของชิปเซ็ตของคอมพิวเตอร์ จะจัดการการไหลของข้อมูลไปและกลับจากหน่วยความจำ มันจะส่งคำสั่งไปยัง DDR DRAM เพื่ออ่านหรือเขียนข้อมูล และหน่วยความจำจะตอบสนองโดยการเปิดใช้งานแถวและคอลัมน์ที่เหมาะสมเพื่อเข้าถึงเซลล์ที่ต้องการ หนึ่งในข้อดีที่สำคัญของ DDR DRAM คือความสามารถในการดำเนินการหลายอย่างพร้อมกัน ซึ่งทำได้ผ่านเทคนิคที่เรียกว่าโหมดเบิร์สต์ ซึ่งคำสั่งเดียวสามารถกระตุ้นการถ่ายโอนข้อมูลหลายบิตในปฏิบัติการเดียว ขีดความสามารถนี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมของหน่วยความจำ ทำให้สามารถประมวลผลข้อมูลได้เร็วขึ้นและปรับปรุงความตอบสนองของระบบ นอกจากนี้ หน่วยความจำ DDR DRAM ยังใช้เทคนิคที่เรียกว่า precharging ซึ่งเตรียมเซลล์ความจำสำหรับการดำเนินการถัดไป กระบวนการนี้ช่วยให้หน่วยความจำสามารถสลับระหว่างการอ่านและการเขียนได้อย่างรวดเร็ว ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมของมัน โดยรวมแล้ว การทำงานที่ซับซ้อนของหน่วยความจำ DDR DRAM ช่วยให้มันเป็นส่วนประกอบที่สำคัญในระบบคอมพิวเตอร์สมัยใหม่

ประโยชน์ของการใช้หน่วยความจำ DDR DRAM

หน่วยความจำ DDR DRAM มีประโยชน์มากมายที่ทำให้เป็นตัวเลือกที่ต้องการสำหรับแอปพลิเคชันต่างๆ ในการคอมพิวเตอร์และอิเล็กทรอนิกส์ หนึ่งในข้อดีหลักคืออัตราการถ่ายโอนข้อมูลที่สูง ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบอย่างมาก สิ่งนี้มีความสำคัญโดยเฉพาะสำหรับงานที่ต้องการการประมวลผลข้อมูลอย่างรวดเร็ว เช่น การเล่นเกม การตัดต่อวิดีโอ และการเรียกใช้ซอฟต์แวร์ที่ซับซ้อน อีกหนึ่งประโยชน์ของหน่วยความจำ DDR DRAM คือประสิทธิภาพด้านพลังงาน ด้วยแรงดันไฟฟ้าที่ทำงานต่ำกว่าประเภทหน่วยความจำเก่าๆ DDR DRAM ช่วยลดการใช้พลังงาน ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญสำหรับอุปกรณ์พกพาและแล็ปท็อปที่ต้องพึ่งพาอายุการใช้งานของแบตเตอรี่ ประสิทธิภาพด้านพลังงานนี้ยังช่วยลดการเกิดความร้อน ทำให้การทำงานเย็นลงและอาจขยายอายุการใช้งานของฮาร์ดแวร์ นอกจากนี้ หน่วยความจำ DDR DRAM ยังมีความสามารถในการปรับขนาดได้สูง โดยมีรุ่นต่างๆ ที่พร้อมใช้งานเพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพที่แตกต่างกัน ผู้ใช้สามารถเลือกจาก DDR3, DDR4 และ DDR5 ขึ้นอยู่กับความต้องการและงบประมาณเฉพาะของพวกเขา ความสามารถในการปรับขนาดนี้ทำให้ DDR DRAM สามารถรองรับแอปพลิเคชันที่หลากหลาย ตั้งแต่การทำงานคอมพิวเตอร์พื้นฐานไปจนถึงการเล่นเกมที่มีประสิทธิภาพสูงและงานที่ต้องการข้อมูลมาก นอกจากนี้ หน่วยความจำ DDR DRAM ได้รับการสนับสนุนอย่างกว้างขวางจากผู้ผลิตและเข้ากันได้กับเมนบอร์ดและระบบต่างๆ มากมาย ความเข้ากันได้ที่กว้างขวางนี้ทำให้ผู้ใช้สามารถอัปเกรดระบบของตนได้ง่ายขึ้นโดยไม่ต้องกังวลเกี่ยวกับปัญหาความเข้ากันได้ โดยรวมแล้ว ประโยชน์ของหน่วยความจำ DDR DRAM ทำให้มันเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นในคอมพิวเตอร์สมัยใหม่ โดยให้ความเร็ว ประสิทธิภาพ และความหลากหลายที่จำเป็นสำหรับแอปพลิเคชันที่ต้องการในปัจจุบัน

ความแตกต่างระหว่างรุ่น DDR DRAM

การเข้าใจความแตกต่างระหว่างรุ่นต่างๆ ของหน่วยความจำ DDR DRAM เป็นสิ่งสำคัญสำหรับการตัดสินใจที่มีข้อมูลเมื่ออัปเกรดหรือสร้างระบบคอมพิวเตอร์ แต่ละรุ่นของ DDR DRAM ได้แนะนำการปรับปรุงในด้านความเร็ว แบนด์วิดธ์ และประสิทธิภาพด้านพลังงาน เพื่อตอบสนองความต้องการที่พัฒนาไปของเทคโนโลยี เริ่มต้นด้วย DDR รุ่นแรก ซึ่งมีอัตราข้อมูลสูงสุดที่ 2.1 GB/s และทำงานที่แรงดันไฟฟ้า 2.5V DDR2 ได้ปรับปรุงโดยการเพิ่มอัตราข้อมูลเป็น 4.2 GB/s และลดแรงดันไฟฟ้าเหลือ 1.8V ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงาน DDR3 เพิ่มอัตราข้อมูลเป็น 12.8 GB/s ในขณะที่ลดแรงดันไฟฟ้าเหลือ 1.5V ทำให้เป็นตัวเลือกที่ได้รับความนิยมสำหรับระบบหลายๆ ระบบ ด้วยการเปิดตัว DDR4 อัตราข้อมูลสูงสุดถึง 25.6 GB/s และแรงดันไฟฟ้าลดลงเหลือ 1.2V ซึ่งให้การปรับปรุงที่สำคัญในด้านประสิทธิภาพและการใช้พลังงาน รุ่นล่าสุด DDR5 ถูกออกแบบมาเพื่อให้ได้อัตราข้อมูลที่สูงขึ้น โดยอาจเกิน 40 GB/s ในขณะที่ยังคงการใช้พลังงานต่ำ สิ่งนี้ทำให้ DDR5 เหมาะสมอย่างยิ่งสำหรับแอปพลิเคชันที่มีประสิทธิภาพสูง เช่น การเล่นเกมและงานที่ต้องการข้อมูลมาก นอกจากความเร็วและความแตกต่างของแรงดันไฟฟ้าแล้ว แต่ละรุ่นของ DDR DRAM ยังมีความก้าวหน้าในด้านสถาปัตยกรรมและเทคโนโลยี เช่น การแก้ไขข้อผิดพลาดที่ดีขึ้นและความหนาแน่นของหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้น การปรับปรุงเหล่านี้ช่วยให้ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือโดยรวมดีขึ้น ทำให้ผู้ใช้ต้องพิจารณาความต้องการเฉพาะของระบบเมื่อเลือกประเภท DDR DRAM ที่เหมาะสม

เกี่ยวกับ หน่วยความจำดีดีอาร์ แรม

นวัตกรรมเทคโนโลยี
ซัพพลายเชนที่เชื่อถือได้
ความสามารถในการผลิตอย่างครบวงจร

หน่วยความจำดีดีอาร์ แรม100+ โรงงานได้รับการตรวจสอบแล้ว

Hdyy Technology Limited

5 ปี ·4.8

·บริษัทการค้า

ผลิตภัณฑ์หลัก :

สมาร์ทโฟน, หูฟัง, ลำโพง, ซีพียู, สวิตช์อีเธอร์เน็ต, ฮาร์ดดิสก์, เมนบอร์ด, เราเตอร์อีเธอร์เน็ต, เครื่องพิมพ์, สวิตช์

ประเทศ / พื้นที่ :

Hubei, China

ศักยภาพ R&D:

บริการ OEM/ODM

ตัวอย่างบริการ:

ตัวอย่างพร้อมใช้งาน

โปรไฟล์บริษัท :

บริษัทหวู่ฮั่น Hengda YBanyan Technology Co., Ltd. ตั้งอยู่ในเขตอูฉางเมืองอู่ฮั่นเมืองหูเป่ยเมืองซึ่งมีการสนทนาที่สะดวกสบายและที่ตั้งทางภูมิศาสตร์ที่เหนือกว่า โดยส่วนใหญ่เป็นธุรกิจการค้าส่งและค้าปลีก เพื่อให้สอดคล้องกับปรัชญาทางธุรกิจของ " ความร่วมมือแบบ win-win ที่มีคุณธรรม " เราจะให้บริการด้านการจัดหาผลิตภัณฑ์ระดับ First Class สำหรับผู้ใช้ส่วนใหญ่

ส่งแบบสอบถาม

คอร์เซียร์ เวนเจนซ์ 16GB (1X16GB) หน่วยความจำเดสก์ท็อป DDR5 ดีแรม 5200mt/S Cl40 แรมหน่วยความจำ

US$125.00-155.00

50 ชิ้น(MOQ)

คอร์แซร์ เวนเจนซ์ แอลพีเอ็กซ์ 16GB หน่วยความจำเดสก์ท็อป DDR4 ดรัม 3600MHz Cl18 แรม เมมโมรี

US$95.00-135.00

50 ชิ้น(MOQ)

ชุดหน่วยความจำ DRAM Crucial Ballistix 3600 MHz DDR4 สำหรับการเล่นเกมบนเดสก์ท็อป 16GB (8GBx2) Cl16

US$105.00-125.00

20 ชิ้น(MOQ)

สำคัญ 64GB ชุด (32GBx2) DDR4 แรม 3200 เมกะบิตต่อวินาที Cl22 โซDIMM 260-Pin หน่วยความจำแล็ปท็อป

US$120.00-145.00

20 ชิ้น(MOQ)

1/4

Infinites Tech Co., Ltd

5.0

ผลิตภัณฑ์หลัก :

หน่วยความจำ, SSD, แฟลชไดรฟ์ USB, ชิป IC

ประเทศ / พื้นที่ :

Guangdong, China

ศักยภาพ R&D:

บริการ OEM/ODM

ตัวอย่างบริการ:

ตัวอย่างพร้อมใช้งาน

โปรไฟล์บริษัท :

Infinites Tech ซึ่งเป็นบริษัทในเครือของ CCFEX ( จีน ) จำกัดได้ทำหน้าที่ค้นคว้าและผลิตโซลูชันหน่วยความจำสำหรับอุตสาหกรรมและคอมพิวเตอร์คุณภาพสูงโดยเฉพาะ เรามีการวิจัยและพัฒนาระบบการทดสอบอัจฉริยะชิพหน่วยความจำแฟลชอย่างอิสระและอาศัยวิธีการทดสอบ AI หลักร่วมกับโซลูชันฮาร์ดแวร์โซลูชันที่สมบูรณ์แบบสำหรับการทดสอบชิพหน่วยความจำแฟลชปัจจุบันไม่ได้เป็นสากลและรอบเวลาทดสอบนั้นยาวนานและเป็นไปตามที่กล่าวมา เพื่อให้ได้ความน่าเชื่อถือของการคาดการณ์อายุการใช้งานหน่วยความจำแฟลชให้ปรับปรุงคุณภาพของการระบุ NAND Flash และประสิทธิภาพการทดสอบสำหรับการใช้งานในหลากหลายสาขาเพื่อให้การรับรองคุณภาพที่เชื่อถือได้เพื่อเติมเต็มช่องว่างในประเทศจีนในปัจจุบัน

ส่งแบบสอบถาม

ไมครอน DDR4-3200 2gx8 (16GB) อิน Mt40A2g8SA-062e มัน: ฟ ชิปหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ ชิป DRAM

US$6.30-6.50

20 ชิ้น(MOQ)

DDR5 288pin 32GB 5600MHz ยู-ดิมม PC-44800 1.1V ไม่ใช่ อีซีซี เจน 5 ผู้บริโภคหน่วยความจำ เกรดหน่วยความจำ ตัวเพิ่มความเร็วหน่วยความจำ การโอเวอร์คล๊อกความเร็วหน่วยความจำสูงสุดถึง 5000MHz

US$87.00-87.99

20 ชิ้น(MOQ)

หน่วยความจำ RAM DDR4 หน่วยความจำมาตรฐาน U-DIMM สำหรับเดสก์ท็อป 2666MHz 4GB ความจุของโมดูลหน่วยความจำ

US$55.00-98.00

50 ชิ้น(MOQ)

เซินเจิ้นอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค DDR5 มาตรฐาน Manta U-DIMM 32GB 5600MHz Udimm PC-44800 1.25V หน่วยความจำ Non Ecc Gen 4 หน่วยความจำผู้บริโภค

US$88.00-88.88

20 ชิ้น(MOQ)

1/4

Polaris Mobility Solutions Co., Limited

12 ปี ·5.0

·บริษัทการค้า

ผลิตภัณฑ์หลัก :

แรม, เอสเอสดี, หน่วยความจำ, เซิร์ฟเวอร์, จีพียู, ซีพียู, โมดูล, การ์ดกราฟิก, เอชดีดี, ไดรฟ์สถานะแข็ง, ไดรฟ์สถานะแข็ง, ฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์

ประเทศ / พื้นที่ :

Guangdong, China

ศักยภาพ R&D:

บริการ OEM/ODM

โปรไฟล์บริษัท :

ผลิตภัณฑ์ประเภทต่างๆมีจำหน่ายในบริษัทของเรา เรายินดีที่ได้รับการสอบถามของคุณและเราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด เรายึดมั่นในหลักการ " คุณภาพมาก่อนให้บริการเป็นอันดับแรกปรับปรุงอย่างต่อเนื่องและสร้างนวัตกรรมใหม่เพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้า " สำหรับการจัดการและ " ข้อบกพร่องเป็นศูนย์ข้อร้องเรียนเป็นเป้าหมายด้านคุณภาพ

หน่วยความจำดีดีอาร์ แรม100+ โรงงานได้รับการตรวจสอบแล้ว

คอร์เซียร์ เวนเจนซ์ 16GB (1X16GB) หน่วยความจำเดสก์ท็อป DDR5 ดีแรม 5200mt/S Cl40 แรมหน่วยความจำ

คอร์แซร์ เวนเจนซ์ แอลพีเอ็กซ์ 16GB หน่วยความจำเดสก์ท็อป DDR4 ดรัม 3600MHz Cl18 แรม เมมโมรี

ชุดหน่วยความจำ DRAM Crucial Ballistix 3600 MHz DDR4 สำหรับการเล่นเกมบนเดสก์ท็อป 16GB (8GBx2) Cl16

สำคัญ 64GB ชุด (32GBx2) DDR4 แรม 3200 เมกะบิตต่อวินาที Cl22 โซDIMM 260-Pin หน่วยความจำแล็ปท็อป

ไมครอน DDR4-3200 2gx8 (16GB) อิน Mt40A2g8SA-062e มัน: ฟ ชิปหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ ชิป DRAM

หน่วยความจำ RAM DDR4 หน่วยความจำมาตรฐาน U-DIMM สำหรับเดสก์ท็อป 2666MHz 4GB ความจุของโมดูลหน่วยความจำ

เซินเจิ้นอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค DDR5 มาตรฐาน Manta U-DIMM 32GB 5600MHz Udimm PC-44800 1.25V หน่วยความจำ Non Ecc Gen 4 หน่วยความจำผู้บริโภค

การทำงานที่ปราศจากข้อผิดพลาด M393A2K40eb3-Cwe 16GB DDR4 3200 PC4 25600r 1rx4 Cl22 12V 288pin หน่วยความจำ DRAM โมดูลเซิร์ฟเวอร์ระดับองค์กร Cloud Node

ช่วงอุณหภูมิที่กว้าง M321r8ga0eb2-Ccp 64GB DDR5 6400MHz PC5 38400 2rx4 Cl40 11V 288pin หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ระดับองค์กร Ecc Rdimm สำหรับศูนย์ข้อมูล Hpc

การจัดส่งรวดเร็ว M321r4ga3pb2-Ccp 32GB DDR5 6400MHz PC5 2rx8 Cl40 11V 288pin โมดูลหน่วยความจำ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ Ecc Rdimm

สถานีทำงาน เกรด M393A8g40ab2-Cwe 64GB DDR4 3200MHz PC4 25600r 2rx4 Cl22 12V 288pin หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ระดับองค์กร DRAM โมดูล ข้อมูลขนาดใหญ่

32GB 64GB 128GB 256GB แรมเซิร์ฟเวอร์ Hpe Memory 3200 4800 5600 DDR4 DDR5 แรมเซิร์ฟเวอร์สำหรับเซิร์ฟเวอร์ Proliant Rack และ Tower Dl380 Dl560 Dl360 Dl20 Ml350 Dl580

ใหม่ H 3c 32GB 64GB 2rx4 2r*8 DDR4-3200AA 5600 6400 (CAS-22-22-22) แรมเซิร์ฟเวอร์ ซามซุง หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์

32GB DDR4 หน่วยความจำ RAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ Proliant H-PE, ผลิตในปักกิ่ง

16GB DDR5 โมดูลหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ Proliant H-PE, ผลิตในปักกิ่ง

หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ความจุขนาดใหญ่ 64GB DDR5 สำหรับแพลตฟอร์มการจำลองเสมือน

DDR5 หน่วยความจำที่ลงทะเบียน Ecc 64GB Rdimm ที่เข้ากันได้กับ Thinksystem

ซีเอ็กซ์เอ็มที 64GB DDR5 5600MHz แรมเซิร์ฟเวอร์อีซีซีสำหรับเลอโนโว

ข้อผิดพลาด ECC การแก้ไขหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ 64GB DDR5 5600MHz Rdimm

ใหม่ต้นฉบับ DDR4 2400 โมดูลหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ 16GB 2rx8 PC4-2400t

ใหม่ต้นฉบับ Snp6vdnyc/8g AA799041 8GB 1rx8 PC4-3200AA-R DDR4 หน่วยความจำ Ecc Reg

ใหม่ต้นฉบับ M393A2g40dB0-Cpb0q DDR4 16g/32g 2133/2400/2666reg หน่วยความจำ Ecc Server

ฮินิกซ์ 1GB DDR1 333MHz PC2700s แรมแล็ปท็อป

ขายส่งหน่วยความจำแรมแล็ปท็อปแบบ OEM จำนวนมาก DDR5 แรม 8GB/16GB/32GB แรม DDR5 แรม

หน่วยความจำ RAM ที่หลากหลาย DDR4 สำหรับเมนบอร์ดทั้งหมด 4GB 2133MHz

มินิพีซีแล็ปท็อปที่มีชิ้นส่วนคอมพิวเตอร์ต้นฉบับ แรมหน่วยความจำ DDR5 แรม 16GB 4800MHz-6000MHz 32GB หน่วยความจำแรม DDR5

ได้รับการรับรอง CE/FCC/RoHS DDR4 หน่วยความจำ RAM 4GB สำหรับการใช้งานที่เชื่อถือได้

ไมครอน 128GB PC5-51200 DDR5 อีซีซี แรมดีมม สำหรับเซิร์ฟเวอร์

สกาย ฮินิกซ์ 64GB 2rx4 5600mt/S DDR5 โมดูลหน่วยความจำระดับองค์กร Rdimm

สก ฮินิกซ์ 32GB DDR5-5600 แรมเซิร์ฟเวอร์แบบลงทะเบียน Ecc Rdimm 1rx4 Cl46 1.1V

ไมครอน 128GB DDR5-6400 แรมเซิร์ฟเวอร์แบบ Ecc Registered Rdimm 2rx4 Cl52 1.1V

16GB DDR4 3200MHz หน่วยความจำ SODIMM สำหรับแล็ปท็อป, เข้ากันได้กับ DDR4-Ready โน้ตบุ๊ก

DDR4 2400 32GB 64GB หน่วยความจำเดสก์ท็อป, การใช้พลังงานต่ำ (1.2V)

32GB DDR3 1600MHz หน่วยความจำ SODIMM สำหรับแล็ปท็อป, แรงดันต่ำ 1.35V สำหรับการอัปเกรดโน้ตบุ๊ก

DDR3 16GB แรม 1333MHz ยูดิมม แรมสำหรับเดสก์ท็อป ความเร็วสูงสำหรับคอมพิวเตอร์พีซี

Hma84gr7cjr4n-Xn 32GB DDR4-3200 PC4-25600 หน่วยความจำ Rdimm

M393A1g40eb2-Ctd 8GB DDR4-2666MHz หน่วยความจำ DIMM ที่ลงทะเบียน ECC

ซัมซุง PC5-38400 Cl40 อีซีซี ลงทะเบียน DDR5 โมดูลหน่วยความจำ M321raga0b20-Cwk

DDR4 3200MHz PC4-25600 หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์แบบเดี่ยว Ecc Rdimm Ramm393A4K40db3-Cwe

เด-แอล แรมเซิร์ฟเวอร์ 16g DDR5 4800r

เด-แอล แรมเซิร์ฟเวอร์ 32g DDR5 4800r

แซมซัง คอมพิวเตอร์เดสก์ท็อป หน่วยความจำ 32g DDR4 3200r

เด ลล เซิร์ฟเวอร์ หน่วยความจำ 64G DDR5 4800r

แรม 16GB 24GB 32GB 48GB DDR5 5600MHz PC5-4800 หน่วยความจำแล็ปท็อป

DDR3 แรม 8GB 1600MHz DDR3l 8GB 2rx8 PC3l โซดิมม 204pin หน่วยความจำแล็ปท็อป

จูฮอร์ เมมโมเรีย แรม อาร์จีบี DDR5 16GB 6800MHz 32GB 16gbx2 แรมเดสก์ท็อป สก-ฮินิกซ์ อาดี คอมพิวเตอร์ เมมโมรี

DDR4 แรม 8GB 16GB 32GB โมดูลหน่วยความจำแล็ปท็อป 1rx8 PC4-2400 SA1-11 2600MHz 3200MHz มือสอง

Hma42gr7afr4n-Uh 16GB DDR4 โมดูลหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์สำหรับประสิทธิภาพสูง

แบรนด์ใหม่ 128GB DDR5 4800MHz 5600MHz หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ Rdimm Reg Ecc

32GB 4800MHz DDR5 แรม ECC UDIMM PC5-4800b-E M324r4ga3bb0-Cqk แรมเซิร์ฟเวอร์ เวิร์กสเตชัน

ขายดี ชิปเซ็ต DDR3 PC3l 4GB หน่วยความจำ RAM สำหรับแล็ปท็อป 1333MHz 1.35V

โมดูลหน่วยความจำ RAM ความเร็วสูง 16GB 2400/2666MHz DDR DDR3 DDR4 สำหรับแล็ปท็อปและเดสก์ท็อป

16GB PC4-19200 2400MHz 2666MHz DDR4 โมดูลหน่วยความจำ SODIMM Cl17 RAM

ขายร้อน ชิปเซ็ต DDR5 คอมพิวเตอร์ 16GB แรมสำหรับแล็ปท็อป 5600MHz

[DDR4 ความจำ] เกม 32GB ชุด (2X16GB) DDR4 3200MHz PC4-25600 คล 16-18-18-40

แรม RGB DDR5 48GB (2X24GB) 6400MHz Cl36 ที่เข้ากันได้กับ Intel Xmp Icue หน่วยความจำคอมพิวเตอร์ - สีดำ (CMH48GX5M2B6400C36)

จี สก รีพจอว์สวีรีส์ DDR4 หน่วยความจำ (XMP) 16GB (2X8GB) 3200mt/S

เอ็กซ์คิวเอ็กซ์ วีเอนเจนซ์ อาร์จีบี อาร์เอส DDR5 แรม 32GB (2X16GB) 6000MHz Cl36-44-44-96 1.35V เอเอ็มดี

ซินโนโลยี D4er01-32g 2GB DDR4 3200MHz แรมโน้ตบุ๊ก SODIMM

P50311-B21 ประสิทธิภาพสูง H PE 32GB (1X32GB) ดวลแร็งค์ X8 DDR5 4800 เมกะเฮิร์ตซ์ สมาร์ทเมมอรี่

ซัมซุง 128GB DDR4-3200 แอลอาร์ดีไอเอ็มเอ็ม อีซีซี, 128GB, DDR4-3200, PC4-25600, อีซีซี, ลงทะเบียน, Cl22, ดีไอเอ็มเอ็ม

เอช พี P64707-B21 64GB 2rx4 PC5-5600b-R สมาร์ท คิท หน่วยความจำ แรม

คิน จีสตัน ฟิวรี่ ความทรงจำ Kf432c16bb1/16 2g×64-Bit (16GB) DDR4-3200MHz

คิง สโตน ฟิวรี่ Kf432s20ibk2/32 ความทรงจำ สอง 2g X 64-Bit (16GB) DDR4-3200 เมกะเฮิร์ตซ์

หน่วยความจำ Hpe ใหม่ Di380 G10 แรมเซิร์ฟเวอร์ DDR4 2400MHz PC4 อีซีซี 64GB หน่วยความจำ

เดลล์ 16GB 32GB 64GB DDR5 อีซีซี แรม ริดิมม 4800MHz หน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์

ประสิทธิภาพสูง 16GB DDR5 แรม 5600MHz การอัพเกรดหน่วยความจำสำหรับเกม

ประสิทธิภาพสูง 16GB DDR5 5600MHz แรมเดสก์ท็อป (CMSX16GX5M1A5600C48)

M386A8K40bm2-Ctd7y 64GB 288 หน่วยความจำ RAM ที่ลงทะเบียนสำหรับเซิร์ฟเวอร์

M321r4ga3pb0-Cwm - 1X 32GB DDR5-5600 Rdimm PC5-44800r ดูอัลแร็งค์ X8 โมดูล

แบรนด์ใหม่ หน่วยความจำ Hbm H5wr64esm4w-N8l DDR Sdram Fbga

16GB / 32GB / 64GB DDR4 หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์และเวิร์กสเตชัน

ประสิทธิภาพ 8GB (2X4GB) DDR3 1866MHz ชุดหน่วยความจำเดสก์ท็อปที่มีความหน่วงต่ำ Cl9 สำหรับเกมมิ่งริก

การจัดส่งตรงจากโรงงาน DDR3 8GB 1666MHz หน่วยความจำเดสก์ท็อป

ทดสอบ 4GB DDR3 หน่วยความจำเดสก์ท็อป 100% ยืนยันความเสถียรในการใช้งานประจำวัน

หน่วยความจำแรมคอมพิวเตอร์ DDR3 4GB 8GB DDR3 แล็ปท็อปพีซี

หน่วยความจำเดสก์ท็อปพีซี PC3L-5 สนับสนุน DDR3L-437 4GB 1.35V 1600 V 12800 V หน่วยความจำขยาย 240pin DIMM

หน่วยความจำคอมพิวเตอร์ DDR3 PC RAM 4GB 16GB 1333MHz 1600MHz การ์ดแฟลชเมโอเอ็ทสำหรับเดสก์ทอป

Hadtk 8GB DDR4 2666 MHz SODIMM 21300 (PC4-2666V) Cl19 หน่วยความจำ RAM ของแลปท็อปที่ไม่ใช่ ECC

Air Veng 8GB 16GB 64GB 128GB 128GB7327288GB* 2 2 8GB2 หน่วยความจำ RGB สำหรับเดสก์ทอป 3232323200MHz 3600MHz 4000MHz 4