หน้าหลัก ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอดเรียงกระแส ไดโอดรีกติเฟียร์ รายการผลิตภัณฑ์ 2025

ไดโอดรีกติเฟียร์

พบสินค้าคุณภาพจากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

40A โมดูลรีกติฟายเออร์หลังการไหล ไดโอดป้องกันการกลับชาร์จ MD40A-16

40A โมดูลรีกติฟายเออร์หลังการไหล ไดโอดป้องกันการกลับชาร์จ MD40A-16

40A โมดูลรีกติฟายเออร์หลังการไหล ไดโอดป้องกันการกลับชาร์จ MD40A-16

40A โมดูลรีกติฟายเออร์หลังการไหล ไดโอดป้องกันการกลับชาร์จ MD40A-16

40A โมดูลรีกติฟายเออร์หลังการไหล ไดโอดป้องกันการกลับชาร์จ MD40A-16

40A โมดูลรีกติฟายเออร์หลังการไหล ไดโอดป้องกันการกลับชาร์จ MD40A-16

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

40A โมดูลรีกติฟายเออร์หลังการไหล ไดโอดป้องกันการกลับชาร์จ MD40A-16

US$5.76-6.4 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: เมซา

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: กล่อง

เซมิคอนดักเตอร์แบบติดตั้งบนพื้นผิว ประสิทธิภาพสูง ไวต่อการเปลี่ยนแปลง แก้วที่ผ่านการป้องกันด้วยแก้ว HS2X UF2X ซีรีส์

เซมิคอนดักเตอร์แบบติดตั้งบนพื้นผิว ประสิทธิภาพสูง ไวต่อการเปลี่ยนแปลง แก้วที่ผ่านการป้องกันด้วยแก้ว HS2X UF2X ซีรีส์

เซมิคอนดักเตอร์แบบติดตั้งบนพื้นผิว ประสิทธิภาพสูง ไวต่อการเปลี่ยนแปลง แก้วที่ผ่านการป้องกันด้วยแก้ว HS2X UF2X ซีรีส์

เซมิคอนดักเตอร์แบบติดตั้งบนพื้นผิว ประสิทธิภาพสูง ไวต่อการเปลี่ยนแปลง แก้วที่ผ่านการป้องกันด้วยแก้ว HS2X UF2X ซีรีส์

เซมิคอนดักเตอร์แบบติดตั้งบนพื้นผิว ประสิทธิภาพสูง ไวต่อการเปลี่ยนแปลง แก้วที่ผ่านการป้องกันด้วยแก้ว HS2X UF2X ซีรีส์

เซมิคอนดักเตอร์แบบติดตั้งบนพื้นผิว ประสิทธิภาพสูง ไวต่อการเปลี่ยนแปลง แก้วที่ผ่านการป้องกันด้วยแก้ว HS2X UF2X ซีรีส์

1/ 6

รายการโปรด

เซมิคอนดักเตอร์แบบติดตั้งบนพื้นผิว ประสิทธิภาพสูง ไวต่อการเปลี่ยนแปลง แก้วที่ผ่านการป้องกันด้วยแก้ว HS2X UF2X ซีรีส์

US$0.072 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS,CE,ISO

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

โครงสร้าง: ระนาบ

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบปิดผนึกแก้ว

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

โมดูลไทริสเตอร์ Mtc110A Pk110fg160 Mcc95 Mcc95-18io1b

โมดูลไทริสเตอร์ Mtc110A Pk110fg160 Mcc95 Mcc95-18io1b

โมดูลไทริสเตอร์ Mtc110A Pk110fg160 Mcc95 Mcc95-18io1b

โมดูลไทริสเตอร์ Mtc110A Pk110fg160 Mcc95 Mcc95-18io1b

โมดูลไทริสเตอร์ Mtc110A Pk110fg160 Mcc95 Mcc95-18io1b

โมดูลไทริสเตอร์ Mtc110A Pk110fg160 Mcc95 Mcc95-18io1b

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

โมดูลไทริสเตอร์ Mtc110A Pk110fg160 Mcc95 Mcc95-18io1b

US$1-99 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์โซลาร์เซลล์ Mdk90 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์โซลาร์เซลล์ Mdk90 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์โซลาร์เซลล์ Mdk90 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์โซลาร์เซลล์ Mdk90 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์โซลาร์เซลล์ Mdk90 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์โซลาร์เซลล์ Mdk90 1600V 1200V 1400V

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์โซลาร์เซลล์ Mdk90 1600V 1200V 1400V

US$14.14-15.71 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

90AMP โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ SCR 1600V MFC90A

90AMP โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ SCR 1600V MFC90A

90AMP โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ SCR 1600V MFC90A

90AMP โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ SCR 1600V MFC90A

90AMP โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ SCR 1600V MFC90A

90AMP โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ SCR 1600V MFC90A

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

90AMP โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ SCR 1600V MFC90A

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: CE

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: กล่องบรรจุ / แพลเล็ต

มาตรฐาน: 94*25*39mm

1.0AMP ไดโอดที่ติดตั้งบนพื้นผิวมาตรฐาน A1~A7

1.0AMP ไดโอดที่ติดตั้งบนพื้นผิวมาตรฐาน A1~A7

1.0AMP ไดโอดที่ติดตั้งบนพื้นผิวมาตรฐาน A1~A7

1.0AMP ไดโอดที่ติดตั้งบนพื้นผิวมาตรฐาน A1~A7

1.0AMP ไดโอดที่ติดตั้งบนพื้นผิวมาตรฐาน A1~A7

1.0AMP ไดโอดที่ติดตั้งบนพื้นผิวมาตรฐาน A1~A7

1/ 6

รายการโปรด

1.0AMP ไดโอดที่ติดตั้งบนพื้นผิวมาตรฐาน A1~A7

US$0.009 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS,CE,ISO

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

Mtc160A โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ Mtc160A1600V

Mtc160A โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ Mtc160A1600V

Mtc160A โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ Mtc160A1600V

Mtc160A โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ Mtc160A1600V

Mtc160A โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ Mtc160A1600V

Mtc160A โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ Mtc160A1600V

1/ 6

รายการโปรด

Mtc160A โมดูลไดโอดไทริสเตอร์ Mtc160A1600V

US$15-30 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Fuzhou Guangling Electrical Machinery Equipment Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค

แอปพลิเคชัน: รถยนต์

การรับรอง: CE,ISO

ความเข้มการส่องสว่าง: การกระจายแสง

โครงสร้าง: โลหะผสม

วัสดุ: เจอร์เมเนียม

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 200A 2000V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 200A 2000V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 200A 2000V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 200A 2000V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 200A 2000V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 200A 2000V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 200A 2000V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

US$2-10 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

100A โมดูลไดโอดโซลาร์เซลล์แบบกระแสตรง MD100A-16

100A โมดูลไดโอดโซลาร์เซลล์แบบกระแสตรง MD100A-16

100A โมดูลไดโอดโซลาร์เซลล์แบบกระแสตรง MD100A-16

100A โมดูลไดโอดโซลาร์เซลล์แบบกระแสตรง MD100A-16

100A โมดูลไดโอดโซลาร์เซลล์แบบกระแสตรง MD100A-16

100A โมดูลไดโอดโซลาร์เซลล์แบบกระแสตรง MD100A-16

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

100A โมดูลไดโอดโซลาร์เซลล์แบบกระแสตรง MD100A-16

US$8.33-9.25 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: เมซา

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: กล่อง

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 175A 2400V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 175A 2400V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 175A 2400V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 175A 2400V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 175A 2400V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 175A 2400V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

ตัวแก้ไขที่ควบคุมได้ MD3 MD4 MD5 175A 2400V-2800V ตัวแก้ไขพลังงาน

US$2-10 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

Hca60r040 to-247 คูลมอส 600V 0.04Ω ซูเปอร์จังก์ชันมอสเฟต

Hca60r040 to-247 คูลมอส 600V 0.04Ω ซูเปอร์จังก์ชันมอสเฟต

Hca60r040 to-247 คูลมอส 600V 0.04Ω ซูเปอร์จังก์ชันมอสเฟต

Hca60r040 to-247 คูลมอส 600V 0.04Ω ซูเปอร์จังก์ชันมอสเฟต

Hca60r040 to-247 คูลมอส 600V 0.04Ω ซูเปอร์จังก์ชันมอสเฟต

1/ 5

รายการโปรด

Hca60r040 to-247 คูลมอส 600V 0.04Ω ซูเปอร์จังก์ชันมอสเฟต

US$2.7-2.75 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: ลมเย็น

1/ 3

รายการโปรด

U30d30 ผ่าน U30d60 30A 300-600V to-247 สวิตช์โหมดดูอัลอัลตราฟาสต์พาวเวอร์เรกติฟายเออร์

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

2A 40V สมาเฟ 2.0AMP ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว Ss22f~Ss220f Ss24f

2A 40V สมาเฟ 2.0AMP ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว Ss22f~Ss220f Ss24f

2A 40V สมาเฟ 2.0AMP ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว Ss22f~Ss220f Ss24f

2A 40V สมาเฟ 2.0AMP ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว Ss22f~Ss220f Ss24f

2A 40V สมาเฟ 2.0AMP ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว Ss22f~Ss220f Ss24f

1/ 5

รายการโปรด

2A 40V สมาเฟ 2.0AMP ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว Ss22f~Ss220f Ss24f

US$0.015-0.025 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

โมดูลไดโอดบายพาสพลังงานแสงอาทิตย์ Mdk160A 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดบายพาสพลังงานแสงอาทิตย์ Mdk160A 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดบายพาสพลังงานแสงอาทิตย์ Mdk160A 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดบายพาสพลังงานแสงอาทิตย์ Mdk160A 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดบายพาสพลังงานแสงอาทิตย์ Mdk160A 1600V 1200V 1400V

โมดูลไดโอดบายพาสพลังงานแสงอาทิตย์ Mdk160A 1600V 1200V 1400V

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

โมดูลไดโอดบายพาสพลังงานแสงอาทิตย์ Mdk160A 1600V 1200V 1400V

US$22.63-25.14 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

ไฮฟ์ฟรีเควนซี ไทริสเตอร์ รีctิฟายเออร์ และ โมดูลผสม MFC200-16 ระบายความร้อนด้วยอากาศ

ไฮฟ์ฟรีเควนซี ไทริสเตอร์ รีctิฟายเออร์ และ โมดูลผสม MFC200-16 ระบายความร้อนด้วยอากาศ

ไฮฟ์ฟรีเควนซี ไทริสเตอร์ รีctิฟายเออร์ และ โมดูลผสม MFC200-16 ระบายความร้อนด้วยอากาศ

ไฮฟ์ฟรีเควนซี ไทริสเตอร์ รีctิฟายเออร์ และ โมดูลผสม MFC200-16 ระบายความร้อนด้วยอากาศ

ไฮฟ์ฟรีเควนซี ไทริสเตอร์ รีctิฟายเออร์ และ โมดูลผสม MFC200-16 ระบายความร้อนด้วยอากาศ

ไฮฟ์ฟรีเควนซี ไทริสเตอร์ รีctิฟายเออร์ และ โมดูลผสม MFC200-16 ระบายความร้อนด้วยอากาศ

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

ไฮฟ์ฟรีเควนซี ไทริสเตอร์ รีctิฟายเออร์ และ โมดูลผสม MFC200-16 ระบายความร้อนด้วยอากาศ

US$1-29 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGP10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGP10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGP10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGP10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGP10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGP10N65CTL0

1/ 6

รายการโปรด

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGP10N65CTL0

US$1.79 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: ปรับแต่ง

มาร์ค: นาย

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65BTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65BTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65BTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65BTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65BTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65BTH

1/ 6

รายการโปรด

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65BTH

US$1.85 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: ปรับแต่ง

มาร์ค: นาย

1/ 4

รายการโปรด

200V 18A TO-220 สวิตชิ่งเร็ว ไดโอดรีกติไฟเออร์

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

GBU10005~GBU1010 เฟสเดียว 10.0Amp ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยกระจก การจัดอันดับสำหรับการหลอม (t=8.3ms, Ta=25 C) I t 166 2 As2Technology นวัตกรรม

GBU10005~GBU1010 เฟสเดียว 10.0Amp ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยกระจก การจัดอันดับสำหรับการหลอม (t=8.3ms, Ta=25 C) I t 166 2 As2Technology นวัตกรรม

GBU10005~GBU1010 เฟสเดียว 10.0Amp ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยกระจก การจัดอันดับสำหรับการหลอม (t=8.3ms, Ta=25 C) I t 166 2 As2Technology นวัตกรรม

GBU10005~GBU1010 เฟสเดียว 10.0Amp ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยกระจก การจัดอันดับสำหรับการหลอม (t=8.3ms, Ta=25 C) I t 166 2 As2Technology นวัตกรรม

GBU10005~GBU1010 เฟสเดียว 10.0Amp ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยกระจก การจัดอันดับสำหรับการหลอม (t=8.3ms, Ta=25 C) I t 166 2 As2Technology นวัตกรรม

GBU10005~GBU1010 เฟสเดียว 10.0Amp ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยกระจก การจัดอันดับสำหรับการหลอม (t=8.3ms, Ta=25 C) I t 166 2 As2Technology นวัตกรรม

1/ 6

รายการโปรด

GBU10005~GBU1010 เฟสเดียว 10.0Amp ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยกระจก การจัดอันดับสำหรับการหลอม (t=8.3ms, Ta=25 C) I t 166 2 As2Technology นวัตกรรม

US$0.1-0.12 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: gbu1010.

1/ 2

รายการโปรด

650V 78A to-247 โมสเฟตซุปเปอร์จังก์ชัน N-Channel 0.041Ω พลังงาน Lsb65r041GF

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65CTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65CTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65CTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65CTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65CTH

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65CTH

1/ 6

รายการโปรด

ไอจีบีที VCE-650V IC-30A วีซีอี(แซท) IC=30A 1.95V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGW30N65CTH

US$1.91 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: ปรับแต่ง

มาร์ค: นาย

1/ 4

รายการโปรด

SF58 5.0Amp ไดโอดซิลิคอนที่เร็วมาก

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

X7R ตัวเก็บประจุแบบไดอิเล็กตริก วัสดุชั้น EIA ประเภท II เซรามิกที่มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ AVX-12107C103KAT2A

X7R ตัวเก็บประจุแบบไดอิเล็กตริก วัสดุชั้น EIA ประเภท II เซรามิกที่มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ AVX-12107C103KAT2A

X7R ตัวเก็บประจุแบบไดอิเล็กตริก วัสดุชั้น EIA ประเภท II เซรามิกที่มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ AVX-12107C103KAT2A

X7R ตัวเก็บประจุแบบไดอิเล็กตริก วัสดุชั้น EIA ประเภท II เซรามิกที่มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ AVX-12107C103KAT2A

X7R ตัวเก็บประจุแบบไดอิเล็กตริก วัสดุชั้น EIA ประเภท II เซรามิกที่มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ AVX-12107C103KAT2A

X7R ตัวเก็บประจุแบบไดอิเล็กตริก วัสดุชั้น EIA ประเภท II เซรามิกที่มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ AVX-12107C103KAT2A

1/ 6

รายการโปรด

X7R ตัวเก็บประจุแบบไดอิเล็กตริก วัสดุชั้น EIA ประเภท II เซรามิกที่มีเสถียรภาพต่ออุณหภูมิ AVX-12107C103KAT2A

US$0.08-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

1/ 3

รายการโปรด

Lsnc65r380ht เอ็น-ช่อง 650V, 11A1 0.38Ω ลอนเฟตต์พาวเวอร์มอสเฟต

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

S40D100C ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์ ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์แบบคู่ ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

S40D100C ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์ ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์แบบคู่ ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

S40D100C ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์ ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์แบบคู่ ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

S40D100C ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์ ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์แบบคู่ ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

S40D100C ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์ ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์แบบคู่ ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

S40D100C ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์ ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์แบบคู่ ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

1/ 6

รายการโปรด

S40D100C ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์ ไดโอดช็อตกี้แบร์ริเออร์แบบคู่ ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

US$0.28-0.3 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: 30A 150v

อุปกรณ์แปลงพลังงานแสงอาทิตย์แบบแยก IGBT VCE 650V IC 50A VCE(SAT) IC=50A 1.60V คุณสมบัติ การใช้งาน DGW50N65CTH2A

อุปกรณ์แปลงพลังงานแสงอาทิตย์แบบแยก IGBT VCE 650V IC 50A VCE(SAT) IC=50A 1.60V คุณสมบัติ การใช้งาน DGW50N65CTH2A

อุปกรณ์แปลงพลังงานแสงอาทิตย์แบบแยก IGBT VCE 650V IC 50A VCE(SAT) IC=50A 1.60V คุณสมบัติ การใช้งาน DGW50N65CTH2A

อุปกรณ์แปลงพลังงานแสงอาทิตย์แบบแยก IGBT VCE 650V IC 50A VCE(SAT) IC=50A 1.60V คุณสมบัติ การใช้งาน DGW50N65CTH2A

อุปกรณ์แปลงพลังงานแสงอาทิตย์แบบแยก IGBT VCE 650V IC 50A VCE(SAT) IC=50A 1.60V คุณสมบัติ การใช้งาน DGW50N65CTH2A

อุปกรณ์แปลงพลังงานแสงอาทิตย์แบบแยก IGBT VCE 650V IC 50A VCE(SAT) IC=50A 1.60V คุณสมบัติ การใช้งาน DGW50N65CTH2A

1/ 6

รายการโปรด

อุปกรณ์แปลงพลังงานแสงอาทิตย์แบบแยก IGBT VCE 650V IC 50A VCE(SAT) IC=50A 1.60V คุณสมบัติ การใช้งาน DGW50N65CTH2A

US$0.14-1.31 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: ปรับแต่ง

มาร์ค: ร่าเริง

55A โมดูลไดโอดรีเวิร์ส MD55A-16

55A โมดูลไดโอดรีเวิร์ส MD55A-16

55A โมดูลไดโอดรีเวิร์ส MD55A-16

55A โมดูลไดโอดรีเวิร์ส MD55A-16

55A โมดูลไดโอดรีเวิร์ส MD55A-16

55A โมดูลไดโอดรีเวิร์ส MD55A-16

1/ 6

รายการโปรด

CE ได้รับการรับรอง

ใช้ได้ตั้งแต่ 2022-10-25

(ติดต่อผู้ออกสำหรับสถานะปัจจุบัน)

55A โมดูลไดโอดรีเวิร์ส MD55A-16

US$6.03-6.7 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล

การรับรอง: CE

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: เมซา

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: กล่อง

รีเลย์ OptoMOS® แบบเปิดปกติขั้วเดียว ความน่าเชื่อถือสูง 3750Vrms การแยกสัญญาณขาเข้าและขาออก IXYS-LCA110

รีเลย์ OptoMOS® แบบเปิดปกติขั้วเดียว ความน่าเชื่อถือสูง 3750Vrms การแยกสัญญาณขาเข้าและขาออก IXYS-LCA110

รีเลย์ OptoMOS® แบบเปิดปกติขั้วเดียว ความน่าเชื่อถือสูง 3750Vrms การแยกสัญญาณขาเข้าและขาออก IXYS-LCA110

รีเลย์ OptoMOS® แบบเปิดปกติขั้วเดียว ความน่าเชื่อถือสูง 3750Vrms การแยกสัญญาณขาเข้าและขาออก IXYS-LCA110

รีเลย์ OptoMOS® แบบเปิดปกติขั้วเดียว ความน่าเชื่อถือสูง 3750Vrms การแยกสัญญาณขาเข้าและขาออก IXYS-LCA110

รีเลย์ OptoMOS® แบบเปิดปกติขั้วเดียว ความน่าเชื่อถือสูง 3750Vrms การแยกสัญญาณขาเข้าและขาออก IXYS-LCA110

1/ 6

รายการโปรด

รีเลย์ OptoMOS® แบบเปิดปกติขั้วเดียว ความน่าเชื่อถือสูง 3750Vrms การแยกสัญญาณขาเข้าและขาออก IXYS-LCA110

US$0.09-1.08 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

ไอจีบีที VCE-650V IC-75A วีซีอี(แซท) IC=75A 1.65V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGZ75N65CTH2A

ไอจีบีที VCE-650V IC-75A วีซีอี(แซท) IC=75A 1.65V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGZ75N65CTH2A

ไอจีบีที VCE-650V IC-75A วีซีอี(แซท) IC=75A 1.65V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGZ75N65CTH2A

ไอจีบีที VCE-650V IC-75A วีซีอี(แซท) IC=75A 1.65V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGZ75N65CTH2A

ไอจีบีที VCE-650V IC-75A วีซีอี(แซท) IC=75A 1.65V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGZ75N65CTH2A

ไอจีบีที VCE-650V IC-75A วีซีอี(แซท) IC=75A 1.65V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGZ75N65CTH2A

1/ 6

รายการโปรด

ไอจีบีที VCE-650V IC-75A วีซีอี(แซท) IC=75A 1.65V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวบ่งชี้อุณหภูมิที่เป็นบวก DGZ75N65CTH2A

US$1.71 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: ปรับแต่ง

มาร์ค: นาย

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวคูณอุณหภูมิที่เป็นบวก DGF10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวคูณอุณหภูมิที่เป็นบวก DGF10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวคูณอุณหภูมิที่เป็นบวก DGF10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวคูณอุณหภูมิที่เป็นบวก DGF10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวคูณอุณหภูมิที่เป็นบวก DGF10N65CTL0

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวคูณอุณหภูมิที่เป็นบวก DGF10N65CTL0

1/ 6

รายการโปรด

ไอจีบีที VCE-650V IC-10A วีซีอี(แซท) IC=10A 1.40V คุณสมบัติ การใช้งาน ตัวคูณอุณหภูมิที่เป็นบวก DGF10N65CTL0

US$1.81 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ดูวิดีโอและรูปภาพขนาดใหญ่

ติดต่อทันที

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์พลาสติก

มาตรฐาน: ปรับแต่ง

มาร์ค: นาย

เพิ่มเติม

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดหาสินค้าอย่างมีประสิทธิภาพ

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

หมวดหมู่สินค้า

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

การรับรอง

วัสดุ

ฟังก์ชัน

แอปพลิเคชัน

วัสดุ

การรับรอง

วิธีการระบายความร้อน

โครงสร้างการห่อหุ้ม

ความเข้มการส่องสว่าง

โครงสร้าง

ความถี่ในการทำงาน

โครงสร้างการห่อหุ้ม

ประเภท

การประมวลผลสัญญาณ

ระดับพลังงาน

โครงสร้าง

แอปพลิเคชัน

วัสดุ

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน

เทคโนโลยีการผลิต

แพคเกจ

หมายเลขชุด

ได้อย่างมีพรับ

สี

การรับรองคุณภาพ

โมเดล

การใช้งาน

แพ็คเกจ

วัสดุ

หมายเลขชุด

เทคโนโลยีการผลิต

การประมวลผลสัญญาณ

จุดเด่นของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ขีดความสามารถด้านวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

Laser Diode Manufacturers

การค้นหายอดนิยม

Copyright ©2025 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข