หน้าหลัก ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ สวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลาย แหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์ AC DC 2024 รายการผลิตภัณฑ์

แหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์ AC DC

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

SOA-4 23 การติดตั้งสายไดโอดพลาสติกห่อหุ้มวงจรสายสัญญาณความเร็วสูงสลับสัญญาณความเร็วสูงที่นำมาใช้ JSCJ-BAS21A

SOA-4 23 การติดตั้งสายไดโอดพลาสติกห่อหุ้มวงจรสายสัญญาณความเร็วสูงสลับสัญญาณความเร็วสูงที่นำมาใช้ JSCJ-BAS21A

SOA-4 23 การติดตั้งสายไดโอดพลาสติกห่อหุ้มวงจรสายสัญญาณความเร็วสูงสลับสัญญาณความเร็วสูงที่นำมาใช้ JSCJ-BAS21A

SOA-4 23 การติดตั้งสายไดโอดพลาสติกห่อหุ้มวงจรสายสัญญาณความเร็วสูงสลับสัญญาณความเร็วสูงที่นำมาใช้ JSCJ-BAS21A

SOA-4 23 การติดตั้งสายไดโอดพลาสติกห่อหุ้มวงจรสายสัญญาณความเร็วสูงสลับสัญญาณความเร็วสูงที่นำมาใช้ JSCJ-BAS21A

SOA-4 23 การติดตั้งสายไดโอดพลาสติกห่อหุ้มวงจรสายสัญญาณความเร็วสูงสลับสัญญาณความเร็วสูงที่นำมาใช้ JSCJ-BAS21A

1/ 6

รายการโปรด

SOA-4 23 การติดตั้งสายไดโอดพลาสติกห่อหุ้มวงจรสายสัญญาณความเร็วสูงสลับสัญญาณความเร็วสูงที่นำมาใช้ JSCJ-BAS21A

US$0.16-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: JSCJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ VDS 60V ID 70A DFN333-8L Fures YJQ70G06AAQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ VDS 60V ID 70A DFN333-8L Fures YJQ70G06AAQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ VDS 60V ID 70A DFN333-8L Fures YJQ70G06AAQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ VDS 60V ID 70A DFN333-8L Fures YJQ70G06AAQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ VDS 60V ID 70A DFN333-8L Fures YJQ70G06AAQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ VDS 60V ID 70A DFN333-8L Fures YJQ70G06AAQ

1/ 6

รายการโปรด

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ VDS 60V ID 70A DFN333-8L Fures YJQ70G06AAQ

US$0.99 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

วงจรกำเนิดไฟฟ้าแบบแก้วชนิด VF ต่ำ

วงจรกำเนิดไฟฟ้าแบบแก้วชนิด VF ต่ำ

วงจรกำเนิดไฟฟ้าแบบแก้วชนิด VF ต่ำ

วงจรกำเนิดไฟฟ้าแบบแก้วชนิด VF ต่ำ

วงจรกำเนิดไฟฟ้าแบบแก้วชนิด VF ต่ำ

วงจรกำเนิดไฟฟ้าแบบแก้วชนิด VF ต่ำ

1/ 6

รายการโปรด

วงจรกำเนิดไฟฟ้าแบบแก้วชนิด VF ต่ำ

US$0.48-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

แอปพลิเคชัน: ไฟเพื่อการตกแต่ง

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิค SMD (SMD MLCC)X7R Dielectric แบบ 6.3 – 250 VDC ( เกรดเชิงพาณิชย์ ) KEMET-C1206334K3RAC7800 แบบติดตั้งบนพื้นผิว

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิค SMD (SMD MLCC)X7R Dielectric แบบ 6.3 – 250 VDC ( เกรดเชิงพาณิชย์ ) KEMET-C1206334K3RAC7800 แบบติดตั้งบนพื้นผิว

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิค SMD (SMD MLCC)X7R Dielectric แบบ 6.3 – 250 VDC ( เกรดเชิงพาณิชย์ ) KEMET-C1206334K3RAC7800 แบบติดตั้งบนพื้นผิว

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิค SMD (SMD MLCC)X7R Dielectric แบบ 6.3 – 250 VDC ( เกรดเชิงพาณิชย์ ) KEMET-C1206334K3RAC7800 แบบติดตั้งบนพื้นผิว

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิค SMD (SMD MLCC)X7R Dielectric แบบ 6.3 – 250 VDC ( เกรดเชิงพาณิชย์ ) KEMET-C1206334K3RAC7800 แบบติดตั้งบนพื้นผิว

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิค SMD (SMD MLCC)X7R Dielectric แบบ 6.3 – 250 VDC ( เกรดเชิงพาณิชย์ ) KEMET-C1206334K3RAC7800 แบบติดตั้งบนพื้นผิว

1/ 6

รายการโปรด

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิค SMD (SMD MLCC)X7R Dielectric แบบ 6.3 – 250 VDC ( เกรดเชิงพาณิชย์ ) KEMET-C1206334K3RAC7800 แบบติดตั้งบนพื้นผิว

US$0.07-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: KEMET

Thyristor Modules VRM/VDRM=19908V 800 VRSM=900V ถึง 1990V ID=130A การใช้งานในอุปกรณ์ MT130C16T2

Thyristor Modules VRM/VDRM=19908V 800 VRSM=900V ถึง 1990V ID=130A การใช้งานในอุปกรณ์ MT130C16T2

Thyristor Modules VRM/VDRM=19908V 800 VRSM=900V ถึง 1990V ID=130A การใช้งานในอุปกรณ์ MT130C16T2

Thyristor Modules VRM/VDRM=19908V 800 VRSM=900V ถึง 1990V ID=130A การใช้งานในอุปกรณ์ MT130C16T2

Thyristor Modules VRM/VDRM=19908V 800 VRSM=900V ถึง 1990V ID=130A การใช้งานในอุปกรณ์ MT130C16T2

Thyristor Modules VRM/VDRM=19908V 800 VRSM=900V ถึง 1990V ID=130A การใช้งานในอุปกรณ์ MT130C16T2

1/ 6

รายการโปรด

Thyristor Modules VRM/VDRM=19908V 800 VRSM=900V ถึง 1990V ID=130A การใช้งานในอุปกรณ์ MT130C16T2

US$3.58 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

ESD0502ETSQ 2 ระดับ , ไร้สาย , ลีดไดโอดป้องกัน ESDA: เคลือบเงา TA-4 การใช้งานบน FTSO-9 23

ESD0502ETSQ 2 ระดับ , ไร้สาย , ลีดไดโอดป้องกัน ESDA: เคลือบเงา TA-4 การใช้งานบน FTSO-9 23

ESD0502ETSQ 2 ระดับ , ไร้สาย , ลีดไดโอดป้องกัน ESDA: เคลือบเงา TA-4 การใช้งานบน FTSO-9 23

ESD0502ETSQ 2 ระดับ , ไร้สาย , ลีดไดโอดป้องกัน ESDA: เคลือบเงา TA-4 การใช้งานบน FTSO-9 23

ESD0502ETSQ 2 ระดับ , ไร้สาย , ลีดไดโอดป้องกัน ESDA: เคลือบเงา TA-4 การใช้งานบน FTSO-9 23

ESD0502ETSQ 2 ระดับ , ไร้สาย , ลีดไดโอดป้องกัน ESDA: เคลือบเงา TA-4 การใช้งานบน FTSO-9 23

1/ 6

รายการโปรด

ESD0502ETSQ 2 ระดับ , ไร้สาย , ลีดไดโอดป้องกัน ESDA: เคลือบเงา TA-4 การใช้งานบน FTSO-9 23

US$0.789 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: รถยนต์

การรับรอง: RoHS

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

1 เส้น , สองทิศทาง , ESD protected Diode Low Leakage Current RoHS Compliant Fetures applications, SOD-3 323 SD3V3D3BSQ

1 เส้น , สองทิศทาง , ESD protected Diode Low Leakage Current RoHS Compliant Fetures applications, SOD-3 323 SD3V3D3BSQ

1 เส้น , สองทิศทาง , ESD protected Diode Low Leakage Current RoHS Compliant Fetures applications, SOD-3 323 SD3V3D3BSQ

1 เส้น , สองทิศทาง , ESD protected Diode Low Leakage Current RoHS Compliant Fetures applications, SOD-3 323 SD3V3D3BSQ

1 เส้น , สองทิศทาง , ESD protected Diode Low Leakage Current RoHS Compliant Fetures applications, SOD-3 323 SD3V3D3BSQ

1 เส้น , สองทิศทาง , ESD protected Diode Low Leakage Current RoHS Compliant Fetures applications, SOD-3 323 SD3V3D3BSQ

1/ 6

รายการโปรด

1 เส้น , สองทิศทาง , ESD protected Diode Low Leakage Current RoHS Compliant Fetures applications, SOD-3 323 SD3V3D3BSQ

US$0.863 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: รถยนต์

การรับรอง: RoHS

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2N7002KDHQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2N7002KDHQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2N7002KDHQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2N7002KDHQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2N7002KDHQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2N7002KDHQ

1/ 6

รายการโปรด

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ทรานซิสเตอร์ความเร็วการสลับ 23 ความเร็ว SOT การประยุกต์ใช้งานของชั้น 2N7002KDHQ

US$0.15-1.23 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

พิมพ์: ไดโอดสวิตช์ทั่วไป

การรับรอง: RoHS

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ระดับความไวต่อความชื้นทรานซิสเตอร์ 1 TO-601 252 Fetures Applications YJD40N04AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ระดับความไวต่อความชื้นทรานซิสเตอร์ 1 TO-601 252 Fetures Applications YJD40N04AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ระดับความไวต่อความชื้นทรานซิสเตอร์ 1 TO-601 252 Fetures Applications YJD40N04AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ระดับความไวต่อความชื้นทรานซิสเตอร์ 1 TO-601 252 Fetures Applications YJD40N04AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ระดับความไวต่อความชื้นทรานซิสเตอร์ 1 TO-601 252 Fetures Applications YJD40N04AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ระดับความไวต่อความชื้นทรานซิสเตอร์ 1 TO-601 252 Fetures Applications YJD40N04AQ

1/ 6

รายการโปรด

N-Channel Enhancement Mode Field Effect ระดับความไวต่อความชื้นทรานซิสเตอร์ 1 TO-601 252 Fetures Applications YJD40N04AQ

US$0.18-1.19 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day

1/ 4

รายการโปรด

N-Channel Advanced Power MOSFET

US$0.2-0.22 / บางส่วน

2,500 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: GT

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

กระเป๋าความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำสำหรับโมดูล IGBT 1200 V/600A 2 ในแพ็คเกจเดียว การประยุกต์ใช้งานสารกึ่งตัวนำ GD600HFY120C2S

กระเป๋าความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำสำหรับโมดูล IGBT 1200 V/600A 2 ในแพ็คเกจเดียว การประยุกต์ใช้งานสารกึ่งตัวนำ GD600HFY120C2S

กระเป๋าความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำสำหรับโมดูล IGBT 1200 V/600A 2 ในแพ็คเกจเดียว การประยุกต์ใช้งานสารกึ่งตัวนำ GD600HFY120C2S

กระเป๋าความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำสำหรับโมดูล IGBT 1200 V/600A 2 ในแพ็คเกจเดียว การประยุกต์ใช้งานสารกึ่งตัวนำ GD600HFY120C2S

กระเป๋าความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำสำหรับโมดูล IGBT 1200 V/600A 2 ในแพ็คเกจเดียว การประยุกต์ใช้งานสารกึ่งตัวนำ GD600HFY120C2S

กระเป๋าความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำสำหรับโมดูล IGBT 1200 V/600A 2 ในแพ็คเกจเดียว การประยุกต์ใช้งานสารกึ่งตัวนำ GD600HFY120C2S

1/ 6

รายการโปรด

กระเป๋าความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำสำหรับโมดูล IGBT 1200 V/600A 2 ในแพ็คเกจเดียว การประยุกต์ใช้งานสารกึ่งตัวนำ GD600HFY120C2S

US$605 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

SOA-3 ไดโอดพลาสติกหุ้มสาย 23 ผสานรวมความเร็วการสับเปลี่ยนแบบ Fast Dual Sodching Diode Fight แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวเหมาะสำหรับการใช้งานอัตโนมัติ JSCJ-MMB70

SOA-3 ไดโอดพลาสติกหุ้มสาย 23 ผสานรวมความเร็วการสับเปลี่ยนแบบ Fast Dual Sodching Diode Fight แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวเหมาะสำหรับการใช้งานอัตโนมัติ JSCJ-MMB70

SOA-3 ไดโอดพลาสติกหุ้มสาย 23 ผสานรวมความเร็วการสับเปลี่ยนแบบ Fast Dual Sodching Diode Fight แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวเหมาะสำหรับการใช้งานอัตโนมัติ JSCJ-MMB70

SOA-3 ไดโอดพลาสติกหุ้มสาย 23 ผสานรวมความเร็วการสับเปลี่ยนแบบ Fast Dual Sodching Diode Fight แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวเหมาะสำหรับการใช้งานอัตโนมัติ JSCJ-MMB70

SOA-3 ไดโอดพลาสติกหุ้มสาย 23 ผสานรวมความเร็วการสับเปลี่ยนแบบ Fast Dual Sodching Diode Fight แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวเหมาะสำหรับการใช้งานอัตโนมัติ JSCJ-MMB70

SOA-3 ไดโอดพลาสติกหุ้มสาย 23 ผสานรวมความเร็วการสับเปลี่ยนแบบ Fast Dual Sodching Diode Fight แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวเหมาะสำหรับการใช้งานอัตโนมัติ JSCJ-MMB70

1/ 6

รายการโปรด

SOA-3 ไดโอดพลาสติกหุ้มสาย 23 ผสานรวมความเร็วการสับเปลี่ยนแบบ Fast Dual Sodching Diode Fight แพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวเหมาะสำหรับการใช้งานอัตโนมัติ JSCJ-MMB70

US$0.12-1.09 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: JSCJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day

1/ 4

รายการโปรด

68V/80A 5.5mΩ RU68888M N-Channel Advanced Power MOSFET

US$0.16-0.17 / บางส่วน

5,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: GT

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

สามารถใช้คุณสมบัติการเพิ่มกระแสไฟกระชากแบบเร็วพิเศษแบบยึดบนพื้นผิวได้ กระจกเปิดรอยต่อของชิปรวมสายชนิดต่างๆใช้งานได้ - 214AC (SMA) ES1BQ

สามารถใช้คุณสมบัติการเพิ่มกระแสไฟกระชากแบบเร็วพิเศษแบบยึดบนพื้นผิวได้ กระจกเปิดรอยต่อของชิปรวมสายชนิดต่างๆใช้งานได้ - 214AC (SMA) ES1BQ

สามารถใช้คุณสมบัติการเพิ่มกระแสไฟกระชากแบบเร็วพิเศษแบบยึดบนพื้นผิวได้ กระจกเปิดรอยต่อของชิปรวมสายชนิดต่างๆใช้งานได้ - 214AC (SMA) ES1BQ

สามารถใช้คุณสมบัติการเพิ่มกระแสไฟกระชากแบบเร็วพิเศษแบบยึดบนพื้นผิวได้ กระจกเปิดรอยต่อของชิปรวมสายชนิดต่างๆใช้งานได้ - 214AC (SMA) ES1BQ

สามารถใช้คุณสมบัติการเพิ่มกระแสไฟกระชากแบบเร็วพิเศษแบบยึดบนพื้นผิวได้ กระจกเปิดรอยต่อของชิปรวมสายชนิดต่างๆใช้งานได้ - 214AC (SMA) ES1BQ

สามารถใช้คุณสมบัติการเพิ่มกระแสไฟกระชากแบบเร็วพิเศษแบบยึดบนพื้นผิวได้ กระจกเปิดรอยต่อของชิปรวมสายชนิดต่างๆใช้งานได้ - 214AC (SMA) ES1BQ

1/ 6

รายการโปรด

สามารถใช้คุณสมบัติการเพิ่มกระแสไฟกระชากแบบเร็วพิเศษแบบยึดบนพื้นผิวได้ กระจกเปิดรอยต่อของชิปรวมสายชนิดต่างๆใช้งานได้ - 214AC (SMA) ES1BQ

US$0.712 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

ซิลิคอน Carbide ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =20A QC =62nC โดยพื้นฐานแล้วมีการใช้งาน ไม่สูญเสียการสวิตช์ YJD106520FQG2

ซิลิคอน Carbide ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =20A QC =62nC โดยพื้นฐานแล้วมีการใช้งาน ไม่สูญเสียการสวิตช์ YJD106520FQG2

ซิลิคอน Carbide ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =20A QC =62nC โดยพื้นฐานแล้วมีการใช้งาน ไม่สูญเสียการสวิตช์ YJD106520FQG2

ซิลิคอน Carbide ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =20A QC =62nC โดยพื้นฐานแล้วมีการใช้งาน ไม่สูญเสียการสวิตช์ YJD106520FQG2

ซิลิคอน Carbide ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =20A QC =62nC โดยพื้นฐานแล้วมีการใช้งาน ไม่สูญเสียการสวิตช์ YJD106520FQG2

ซิลิคอน Carbide ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =20A QC =62nC โดยพื้นฐานแล้วมีการใช้งาน ไม่สูญเสียการสวิตช์ YJD106520FQG2

1/ 6

รายการโปรด

ซิลิคอน Carbide ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =20A QC =62nC โดยพื้นฐานแล้วมีการใช้งาน ไม่สูญเสียการสวิตช์ YJD106520FQG2

US$0.87 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

การเปลี่ยนสัญญาณแบบเร็วและสัญญาณขนาดเล็กจะตรวจจับความไวต่อความชื้นระดับ 1 VR 100V IFAV 150mA โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานต่างๆ SO523 1N4148WTQ

การเปลี่ยนสัญญาณแบบเร็วและสัญญาณขนาดเล็กจะตรวจจับความไวต่อความชื้นระดับ 1 VR 100V IFAV 150mA โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานต่างๆ SO523 1N4148WTQ

การเปลี่ยนสัญญาณแบบเร็วและสัญญาณขนาดเล็กจะตรวจจับความไวต่อความชื้นระดับ 1 VR 100V IFAV 150mA โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานต่างๆ SO523 1N4148WTQ

การเปลี่ยนสัญญาณแบบเร็วและสัญญาณขนาดเล็กจะตรวจจับความไวต่อความชื้นระดับ 1 VR 100V IFAV 150mA โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานต่างๆ SO523 1N4148WTQ

การเปลี่ยนสัญญาณแบบเร็วและสัญญาณขนาดเล็กจะตรวจจับความไวต่อความชื้นระดับ 1 VR 100V IFAV 150mA โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานต่างๆ SO523 1N4148WTQ

การเปลี่ยนสัญญาณแบบเร็วและสัญญาณขนาดเล็กจะตรวจจับความไวต่อความชื้นระดับ 1 VR 100V IFAV 150mA โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานต่างๆ SO523 1N4148WTQ

1/ 6

รายการโปรด

การเปลี่ยนสัญญาณแบบเร็วและสัญญาณขนาดเล็กจะตรวจจับความไวต่อความชื้นระดับ 1 VR 100V IFAV 150mA โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานต่างๆ SO523 1N4148WTQ

US$0.15-1.18 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: YJ

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day

1/ 4

รายการโปรด

แพ็คเกจ S-220FT เซมิทพาธ MOSFET Super Junction เหมาะสำหรับไดรฟ์ LED เปิด / ปิด

US$0.45-0.5 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: GT

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

1/ 4

รายการโปรด

30V/40A 6.2mΩ SG004E N-Channel Advanced Power MOSFET

US$0.1-0.12 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ได้อย่างมีพรับ: GT

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดที่ระยะไกล

วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนได้อย่างเป็นธรรมชาติ

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง,ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า 120V N-Channel MOSFET ระบบการปรับค่าการใช้งานแบบ Single FN5* 6 / Silicongear-DG120N02Q

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า 120V N-Channel MOSFET ระบบการปรับค่าการใช้งานแบบ Single FN5* 6 / Silicongear-DG120N02Q

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า 120V N-Channel MOSFET ระบบการปรับค่าการใช้งานแบบ Single FN5* 6 / Silicongear-DG120N02Q

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า 120V N-Channel MOSFET ระบบการปรับค่าการใช้งานแบบ Single FN5* 6 / Silicongear-DG120N02Q

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า 120V N-Channel MOSFET ระบบการปรับค่าการใช้งานแบบ Single FN5* 6 / Silicongear-DG120N02Q

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า 120V N-Channel MOSFET ระบบการปรับค่าการใช้งานแบบ Single FN5* 6 / Silicongear-DG120N02Q

1/ 6

รายการโปรด

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า 120V N-Channel MOSFET ระบบการปรับค่าการใช้งานแบบ Single FN5* 6 / Silicongear-DG120N02Q

US$0.14-1.31 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ,สลับทรานซิสเตอร์

ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

อินเวอร์เตอร์แยก IGBT สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ VCE 1200V IC 40A VCE(SAT) IC=40A 1.85V โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานเทศกาล DGW40N120CTL

อินเวอร์เตอร์แยก IGBT สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ VCE 1200V IC 40A VCE(SAT) IC=40A 1.85V โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานเทศกาล DGW40N120CTL

อินเวอร์เตอร์แยก IGBT สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ VCE 1200V IC 40A VCE(SAT) IC=40A 1.85V โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานเทศกาล DGW40N120CTL

อินเวอร์เตอร์แยก IGBT สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ VCE 1200V IC 40A VCE(SAT) IC=40A 1.85V โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานเทศกาล DGW40N120CTL

อินเวอร์เตอร์แยก IGBT สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ VCE 1200V IC 40A VCE(SAT) IC=40A 1.85V โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานเทศกาล DGW40N120CTL

อินเวอร์เตอร์แยก IGBT สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ VCE 1200V IC 40A VCE(SAT) IC=40A 1.85V โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานเทศกาล DGW40N120CTL

1/ 6

รายการโปรด

อินเวอร์เตอร์แยก IGBT สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ VCE 1200V IC 40A VCE(SAT) IC=40A 1.85V โปรแกรมประยุกต์สำหรับงานเทศกาล DGW40N120CTL

US$0.13-1.28 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: Merry

การควบคุมการเข้าถึง 12V/6A ในโหมด Hot Sales สม่ำเสมอ กล่องบรรจุ

การควบคุมการเข้าถึง 12V/6A ในโหมด Hot Sales สม่ำเสมอ กล่องบรรจุ

การควบคุมการเข้าถึง 12V/6A ในโหมด Hot Sales สม่ำเสมอ กล่องบรรจุ

การควบคุมการเข้าถึง 12V/6A ในโหมด Hot Sales สม่ำเสมอ กล่องบรรจุ

การควบคุมการเข้าถึง 12V/6A ในโหมด Hot Sales สม่ำเสมอ กล่องบรรจุ

การควบคุมการเข้าถึง 12V/6A ในโหมด Hot Sales สม่ำเสมอ กล่องบรรจุ

1/ 6

รายการโปรด

การควบคุมการเข้าถึง 12V/6A ในโหมด Hot Sales สม่ำเสมอ กล่องบรรจุ

US$5.8-8.3 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Shenzhen Xinster Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ชนิดเอาต์พุต: AC หรือ DC

การรับรอง: TUV,RoHS

พิมพ์: ODM

โครงสร้างภายใน: ประเภท On-Off

แหล่งจ่ายไฟ: ชนิด Half-Bridge

การเชื่อมต่อ: เสียบปลั๊ก

700V N-Channel Super Junction MOSFET สัญญาณการใช้งานไดโอด N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R420S

700V N-Channel Super Junction MOSFET สัญญาณการใช้งานไดโอด N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R420S

700V N-Channel Super Junction MOSFET สัญญาณการใช้งานไดโอด N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R420S

700V N-Channel Super Junction MOSFET สัญญาณการใช้งานไดโอด N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R420S

700V N-Channel Super Junction MOSFET สัญญาณการใช้งานไดโอด N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R420S

700V N-Channel Super Junction MOSFET สัญญาณการใช้งานไดโอด N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R420S

1/ 6

รายการโปรด

700V N-Channel Super Junction MOSFET สัญญาณการใช้งานไดโอด N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R420S

US$0.21-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

ทรานซิสเตอร์แบบดิจิตอล NPN ( ตัวต้านทานในตัว ) ระดับความไวต่อความชื้นในการใช้งานระดับ 1 SO-4 323 DTC143UAQ

ทรานซิสเตอร์แบบดิจิตอล NPN ( ตัวต้านทานในตัว ) ระดับความไวต่อความชื้นในการใช้งานระดับ 1 SO-4 323 DTC143UAQ

ทรานซิสเตอร์แบบดิจิตอล NPN ( ตัวต้านทานในตัว ) ระดับความไวต่อความชื้นในการใช้งานระดับ 1 SO-4 323 DTC143UAQ

ทรานซิสเตอร์แบบดิจิตอล NPN ( ตัวต้านทานในตัว ) ระดับความไวต่อความชื้นในการใช้งานระดับ 1 SO-4 323 DTC143UAQ

ทรานซิสเตอร์แบบดิจิตอล NPN ( ตัวต้านทานในตัว ) ระดับความไวต่อความชื้นในการใช้งานระดับ 1 SO-4 323 DTC143UAQ

ทรานซิสเตอร์แบบดิจิตอล NPN ( ตัวต้านทานในตัว ) ระดับความไวต่อความชื้นในการใช้งานระดับ 1 SO-4 323 DTC143UAQ

1/ 6

รายการโปรด

ทรานซิสเตอร์แบบดิจิตอล NPN ( ตัวต้านทานในตัว ) ระดับความไวต่อความชื้นในการใช้งานระดับ 1 SO-4 323 DTC143UAQ

US$0.82 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

Fred Module VRRM=600V IFAV=300A การป้องกันการสูญเสียการกู้คืนอุปกรณ์กลับด้านต่ำเดินหน้า การประยุกต์ใช้งานแรงดันไฟฟ้า MF300K06F2

Fred Module VRRM=600V IFAV=300A การป้องกันการสูญเสียการกู้คืนอุปกรณ์กลับด้านต่ำเดินหน้า การประยุกต์ใช้งานแรงดันไฟฟ้า MF300K06F2

Fred Module VRRM=600V IFAV=300A การป้องกันการสูญเสียการกู้คืนอุปกรณ์กลับด้านต่ำเดินหน้า การประยุกต์ใช้งานแรงดันไฟฟ้า MF300K06F2

Fred Module VRRM=600V IFAV=300A การป้องกันการสูญเสียการกู้คืนอุปกรณ์กลับด้านต่ำเดินหน้า การประยุกต์ใช้งานแรงดันไฟฟ้า MF300K06F2

Fred Module VRRM=600V IFAV=300A การป้องกันการสูญเสียการกู้คืนอุปกรณ์กลับด้านต่ำเดินหน้า การประยุกต์ใช้งานแรงดันไฟฟ้า MF300K06F2

Fred Module VRRM=600V IFAV=300A การป้องกันการสูญเสียการกู้คืนอุปกรณ์กลับด้านต่ำเดินหน้า การประยุกต์ใช้งานแรงดันไฟฟ้า MF300K06F2

1/ 6

รายการโปรด

Fred Module VRRM=600V IFAV=300A การป้องกันการสูญเสียการกู้คืนอุปกรณ์กลับด้านต่ำเดินหน้า การประยุกต์ใช้งานแรงดันไฟฟ้า MF300K06F2

US$2.96 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

โมดูล IGBT 1200V/200A 2 ในอัตราความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำหนึ่งแพ็คเกจ แอปพลิเคชัน GD200HFX120C2S

โมดูล IGBT 1200V/200A 2 ในอัตราความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำหนึ่งแพ็คเกจ แอปพลิเคชัน GD200HFX120C2S

โมดูล IGBT 1200V/200A 2 ในอัตราความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำหนึ่งแพ็คเกจ แอปพลิเคชัน GD200HFX120C2S

โมดูล IGBT 1200V/200A 2 ในอัตราความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำหนึ่งแพ็คเกจ แอปพลิเคชัน GD200HFX120C2S

โมดูล IGBT 1200V/200A 2 ในอัตราความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำหนึ่งแพ็คเกจ แอปพลิเคชัน GD200HFX120C2S

โมดูล IGBT 1200V/200A 2 ในอัตราความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำหนึ่งแพ็คเกจ แอปพลิเคชัน GD200HFX120C2S

1/ 6

รายการโปรด

โมดูล IGBT 1200V/200A 2 ในอัตราความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำหนึ่งแพ็คเกจ แอปพลิเคชัน GD200HFX120C2S

US$0.19 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: Merry

เทป / 12 มม . / 4 ม . / สีขาว / LT100H / LetraTag / S0721510

เทป / 12 มม . / 4 ม . / สีขาว / LT100H / LetraTag / S0721510

เทป / 12 มม . / 4 ม . / สีขาว / LT100H / LetraTag / S0721510

เทป / 12 มม . / 4 ม . / สีขาว / LT100H / LetraTag / S0721510

เทป / 12 มม . / 4 ม . / สีขาว / LT100H / LetraTag / S0721510

เทป / 12 มม . / 4 ม . / สีขาว / LT100H / LetraTag / S0721510

1/ 6

รายการโปรด

เทป / 12 มม . / 4 ม . / สีขาว / LT100H / LetraTag / S0721510

US$5.78 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบซีลทองคำ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

เรคติฟายเออร์แบบเร็วสูงพิเศษชนิดแก้ว 30D05C - U30D60C

เรคติฟายเออร์แบบเร็วสูงพิเศษชนิดแก้ว 30D05C - U30D60C

เรคติฟายเออร์แบบเร็วสูงพิเศษชนิดแก้ว 30D05C - U30D60C

เรคติฟายเออร์แบบเร็วสูงพิเศษชนิดแก้ว 30D05C - U30D60C

เรคติฟายเออร์แบบเร็วสูงพิเศษชนิดแก้ว 30D05C - U30D60C

เรคติฟายเออร์แบบเร็วสูงพิเศษชนิดแก้ว 30D05C - U30D60C

1/ 6

รายการโปรด

เรคติฟายเออร์แบบเร็วสูงพิเศษชนิดแก้ว 30D05C - U30D60C

US$0.56-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

CAN บัสไดโอดป้องกัน ESD IEC 61000 - 2 เลเวล 4 4 (ESD) การใช้งานแผ่นป้องกันบัส CAN OTA-4 23 ESD2CAN24T2Q

CAN บัสไดโอดป้องกัน ESD IEC 61000 - 2 เลเวล 4 4 (ESD) การใช้งานแผ่นป้องกันบัส CAN OTA-4 23 ESD2CAN24T2Q

CAN บัสไดโอดป้องกัน ESD IEC 61000 - 2 เลเวล 4 4 (ESD) การใช้งานแผ่นป้องกันบัส CAN OTA-4 23 ESD2CAN24T2Q

CAN บัสไดโอดป้องกัน ESD IEC 61000 - 2 เลเวล 4 4 (ESD) การใช้งานแผ่นป้องกันบัส CAN OTA-4 23 ESD2CAN24T2Q

CAN บัสไดโอดป้องกัน ESD IEC 61000 - 2 เลเวล 4 4 (ESD) การใช้งานแผ่นป้องกันบัส CAN OTA-4 23 ESD2CAN24T2Q

CAN บัสไดโอดป้องกัน ESD IEC 61000 - 2 เลเวล 4 4 (ESD) การใช้งานแผ่นป้องกันบัส CAN OTA-4 23 ESD2CAN24T2Q

1/ 6

รายการโปรด

CAN บัสไดโอดป้องกัน ESD IEC 61000 - 2 เลเวล 4 4 (ESD) การใช้งานแผ่นป้องกันบัส CAN OTA-4 23 ESD2CAN24T2Q

US$0.916 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: รถยนต์

การรับรอง: RoHS

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

โมดูล IGBT ICES-1200V IC-200A Low VCE(SA) ที่มีเทคโนโลยีร่องต่ำ ค่าความเหนี่ยวนำไฟฟ้า MG200H12TLC2

โมดูล IGBT ICES-1200V IC-200A Low VCE(SA) ที่มีเทคโนโลยีร่องต่ำ ค่าความเหนี่ยวนำไฟฟ้า MG200H12TLC2

โมดูล IGBT ICES-1200V IC-200A Low VCE(SA) ที่มีเทคโนโลยีร่องต่ำ ค่าความเหนี่ยวนำไฟฟ้า MG200H12TLC2

โมดูล IGBT ICES-1200V IC-200A Low VCE(SA) ที่มีเทคโนโลยีร่องต่ำ ค่าความเหนี่ยวนำไฟฟ้า MG200H12TLC2

โมดูล IGBT ICES-1200V IC-200A Low VCE(SA) ที่มีเทคโนโลยีร่องต่ำ ค่าความเหนี่ยวนำไฟฟ้า MG200H12TLC2

โมดูล IGBT ICES-1200V IC-200A Low VCE(SA) ที่มีเทคโนโลยีร่องต่ำ ค่าความเหนี่ยวนำไฟฟ้า MG200H12TLC2

1/ 6

รายการโปรด

โมดูล IGBT ICES-1200V IC-200A Low VCE(SA) ที่มีเทคโนโลยีร่องต่ำ ค่าความเหนี่ยวนำไฟฟ้า MG200H12TLC2

US$275 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรอง: RoHS

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

ซิลิคอนคาร์ไบด์ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =14A QC =30nC การใช้งานเป็นศูนย์ แรงดันไฟกลับสู่สถานะเดิม YJD106508PQG2

ซิลิคอนคาร์ไบด์ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =14A QC =30nC การใช้งานเป็นศูนย์ แรงดันไฟกลับสู่สถานะเดิม YJD106508PQG2

ซิลิคอนคาร์ไบด์ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =14A QC =30nC การใช้งานเป็นศูนย์ แรงดันไฟกลับสู่สถานะเดิม YJD106508PQG2

ซิลิคอนคาร์ไบด์ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =14A QC =30nC การใช้งานเป็นศูนย์ แรงดันไฟกลับสู่สถานะเดิม YJD106508PQG2

ซิลิคอนคาร์ไบด์ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =14A QC =30nC การใช้งานเป็นศูนย์ แรงดันไฟกลับสู่สถานะเดิม YJD106508PQG2

ซิลิคอนคาร์ไบด์ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =14A QC =30nC การใช้งานเป็นศูนย์ แรงดันไฟกลับสู่สถานะเดิม YJD106508PQG2

1/ 6

รายการโปรด

ซิลิคอนคาร์ไบด์ไดโอด Schottky VRRM=650V หาก =14A QC =30nC การใช้งานเป็นศูนย์ แรงดันไฟกลับสู่สถานะเดิม YJD106508PQG2

US$0.78 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

เพิ่มเติม

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

การรับรอง

ชนิดเอาต์พุต

ระบบส่งกำลัง

โหมดเริ่มต้น

Modulation System

ระบบจ่ายไฟ

โหมดการเชื่อมต่อ

โหมดควบคุมแรงดันไฟฟ้า

การรับประกัน

แรงดันไฟฟ้าอินพุต

การรับรอง

วัสดุ

ฟังก์ชัน

พลังขับเสียง

โครงสร้าง

สี

การเชื่อมต่อ

ความถี่ในการทำงาน

แหล่งจ่ายไฟ

โครงสร้างภายใน

การใช้งาน

การรับรอง

ระดับพลังงาน

ได้อย่างมีพรับ

โครงสร้างการห่อหุ้ม

วิธีการระบายความร้อน

ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน

ชนิดเอาต์พุต

พิมพ์

แบรนด์

มาตรฐาน Bluetooth

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

เปิด / ปิด

การค้นหายอดนิยม

Copyright ©2024 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข