หน้าหลัก ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ สารกึ่งตัวนำ Power Semiconductor 2024 รายการผลิตภัณฑ์

Power Semiconductor

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

Bas21lt1 กรัม SO-2 23 บน Semmary Discrete Semiconductor

Bas21lt1 กรัม SO-2 23 บน Semmary Discrete Semiconductor

Bas21lt1 กรัม SO-2 23 บน Semmary Discrete Semiconductor

Bas21lt1 กรัม SO-2 23 บน Semmary Discrete Semiconductor

Bas21lt1 กรัม SO-2 23 บน Semmary Discrete Semiconductor

Bas21lt1 กรัม SO-2 23 บน Semmary Discrete Semiconductor

1/ 6

รายการโปรด

Bas21lt1 กรัม SO-2 23 บน Semmary Discrete Semiconductor

US$0.2-2 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Shenzhen New Chip international Ltd

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: IC แบบอะนาล็อก

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: ตัวนำทางภายใน

แพ็คเกจ: DIP ( แพคเกจคู่ในสายการผลิต )

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: ตู้เย็น

EV การตั้งชื่อในกองแบบ BDirectional PFC Architecture และ Control 3 Phase Vienna โทโพโลยี TO247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

EV การตั้งชื่อในกองแบบ BDirectional PFC Architecture และ Control 3 Phase Vienna โทโพโลยี TO247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

EV การตั้งชื่อในกองแบบ BDirectional PFC Architecture และ Control 3 Phase Vienna โทโพโลยี TO247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

EV การตั้งชื่อในกองแบบ BDirectional PFC Architecture และ Control 3 Phase Vienna โทโพโลยี TO247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

EV การตั้งชื่อในกองแบบ BDirectional PFC Architecture และ Control 3 Phase Vienna โทโพโลยี TO247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

1/ 5

รายการโปรด

EV การตั้งชื่อในกองแบบ BDirectional PFC Architecture และ Control 3 Phase Vienna โทโพโลยี TO247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: DIP ( แพคเกจคู่ในสายการผลิต )

การประมวลผลสัญญาณ: Analog Digital Composite และฟังก์ชัน

แอปพลิเคชัน: การวัดอุณหภูมิ

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โปรโตไดโอดกำลังไฟ DC-DC สูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้องกำลังแรงสูง Frd Ossg65r038hzf T247 VdS 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โปรโตไดโอดกำลังไฟ DC-DC สูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้องกำลังแรงสูง Frd Ossg65r038hzf T247 VdS 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โปรโตไดโอดกำลังไฟ DC-DC สูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้องกำลังแรงสูง Frd Ossg65r038hzf T247 VdS 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โปรโตไดโอดกำลังไฟ DC-DC สูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้องกำลังแรงสูง Frd Ossg65r038hzf T247 VdS 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โปรโตไดโอดกำลังไฟ DC-DC สูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้องกำลังแรงสูง Frd Ossg65r038hzf T247 VdS 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โปรโตไดโอดกำลังไฟ DC-DC สูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้องกำลังแรงสูง Frd Ossg65r038hzf T247 VdS 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โปรโตไดโอดกำลังไฟ DC-DC สูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้องกำลังแรงสูง Frd Ossg65r038hzf T247 VdS 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีหนึ่งสวิตช์ฟลายเออร์ด้านหลังช่วยแปลง N-Channel Semiconductor Power MOSFET

โทโพโลยีหนึ่งสวิตช์ฟลายเออร์ด้านหลังช่วยแปลง N-Channel Semiconductor Power MOSFET

โทโพโลยีหนึ่งสวิตช์ฟลายเออร์ด้านหลังช่วยแปลง N-Channel Semiconductor Power MOSFET

โทโพโลยีหนึ่งสวิตช์ฟลายเออร์ด้านหลังช่วยแปลง N-Channel Semiconductor Power MOSFET

โทโพโลยีหนึ่งสวิตช์ฟลายเออร์ด้านหลังช่วยแปลง N-Channel Semiconductor Power MOSFET

โทโพโลยีหนึ่งสวิตช์ฟลายเออร์ด้านหลังช่วยแปลง N-Channel Semiconductor Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีหนึ่งสวิตช์ฟลายเออร์ด้านหลังช่วยแปลง N-Channel Semiconductor Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

การเพิ่มความเร็วของ RoHS ทำให้การชาร์จไฟแบบเร็ว DC High Power Interleaved LLC ทำงานได้อย่างรวดเร็ว โทโพโลยีกู้คืนความเร็วสูง Frd Og65r038hzf To247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

การเพิ่มความเร็วของ RoHS ทำให้การชาร์จไฟแบบเร็ว DC High Power Interleaved LLC ทำงานได้อย่างรวดเร็ว โทโพโลยีกู้คืนความเร็วสูง Frd Og65r038hzf To247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

การเพิ่มความเร็วของ RoHS ทำให้การชาร์จไฟแบบเร็ว DC High Power Interleaved LLC ทำงานได้อย่างรวดเร็ว โทโพโลยีกู้คืนความเร็วสูง Frd Og65r038hzf To247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

การเพิ่มความเร็วของ RoHS ทำให้การชาร์จไฟแบบเร็ว DC High Power Interleaved LLC ทำงานได้อย่างรวดเร็ว โทโพโลยีกู้คืนความเร็วสูง Frd Og65r038hzf To247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

การเพิ่มความเร็วของ RoHS ทำให้การชาร์จไฟแบบเร็ว DC High Power Interleaved LLC ทำงานได้อย่างรวดเร็ว โทโพโลยีกู้คืนความเร็วสูง Frd Og65r038hzf To247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

การเพิ่มความเร็วของ RoHS ทำให้การชาร์จไฟแบบเร็ว DC High Power Interleaved LLC ทำงานได้อย่างรวดเร็ว โทโพโลยีกู้คืนความเร็วสูง Frd Og65r038hzf To247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

การเพิ่มความเร็วของ RoHS ทำให้การชาร์จไฟแบบเร็ว DC High Power Interleaved LLC ทำงานได้อย่างรวดเร็ว โทโพโลยีกู้คืนความเร็วสูง Frd Og65r038hzf To247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

240A600V ถึง 247 High Voltage Super Junction Power MOSFET

240A600V ถึง 247 High Voltage Super Junction Power MOSFET

240A600V ถึง 247 High Voltage Super Junction Power MOSFET

240A600V ถึง 247 High Voltage Super Junction Power MOSFET

240A600V ถึง 247 High Voltage Super Junction Power MOSFET

240A600V ถึง 247 High Voltage Super Junction Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

240A600V ถึง 247 High Voltage Super Junction Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

RoHS DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Fast Recovery Frd Ossg65r038hzf Tos247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

RoHS DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Fast Recovery Frd Ossg65r038hzf Tos247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

RoHS DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Fast Recovery Frd Ossg65r038hzf Tos247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

RoHS DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Fast Recovery Frd Ossg65r038hzf Tos247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

RoHS DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Fast Recovery Frd Ossg65r038hzf Tos247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

RoHS DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Fast Recovery Frd Ossg65r038hzf Tos247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

RoHS DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Fast Recovery Frd Ossg65r038hzf Tos247 กำลังไฟแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

กำลังไฟ PC Ultra-Fast และ Body Diode Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs= 10V 38 MΩ Power MOSFET

กำลังไฟ PC Ultra-Fast และ Body Diode Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs= 10V 38 MΩ Power MOSFET

กำลังไฟ PC Ultra-Fast และ Body Diode Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs= 10V 38 MΩ Power MOSFET

กำลังไฟ PC Ultra-Fast และ Body Diode Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs= 10V 38 MΩ Power MOSFET

กำลังไฟ PC Ultra-Fast และ Body Diode Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs= 10V 38 MΩ Power MOSFET

กำลังไฟ PC Ultra-Fast และ Body Diode Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs= 10V 38 MΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

กำลังไฟ PC Ultra-Fast และ Body Diode Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs= 10V 38 MΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og60r030hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og60r030hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og60r030hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og60r030hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og60r030hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og60r030hzf To247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og60r030hzf To247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

คุณสมบัติทางภูมิประเทศแบบ Fast Recovery Diode Frd ซึ่งใช้พลังงานสูงแบบ DC-DC MOSFET กำลัง

คุณสมบัติทางภูมิประเทศแบบ Fast Recovery Diode Frd ซึ่งใช้พลังงานสูงแบบ DC-DC MOSFET กำลัง

คุณสมบัติทางภูมิประเทศแบบ Fast Recovery Diode Frd ซึ่งใช้พลังงานสูงแบบ DC-DC MOSFET กำลัง

คุณสมบัติทางภูมิประเทศแบบ Fast Recovery Diode Frd ซึ่งใช้พลังงานสูงแบบ DC-DC MOSFET กำลัง

คุณสมบัติทางภูมิประเทศแบบ Fast Recovery Diode Frd ซึ่งใช้พลังงานสูงแบบ DC-DC MOSFET กำลัง

คุณสมบัติทางภูมิประเทศแบบ Fast Recovery Diode Frd ซึ่งใช้พลังงานสูงแบบ DC-DC MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

คุณสมบัติทางภูมิประเทศแบบ Fast Recovery Diode Frd ซึ่งใช้พลังงานสูงแบบ DC-DC MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ไดโอดตัวเครื่องความเร็วสูงพิเศษและแข็งแกร่ง DC-DC High Power Interleaved Og65r038hzf 700V 38 MΩ Power MOSFET

ไดโอดตัวเครื่องความเร็วสูงพิเศษและแข็งแกร่ง DC-DC High Power Interleaved Og65r038hzf 700V 38 MΩ Power MOSFET

ไดโอดตัวเครื่องความเร็วสูงพิเศษและแข็งแกร่ง DC-DC High Power Interleaved Og65r038hzf 700V 38 MΩ Power MOSFET

ไดโอดตัวเครื่องความเร็วสูงพิเศษและแข็งแกร่ง DC-DC High Power Interleaved Og65r038hzf 700V 38 MΩ Power MOSFET

ไดโอดตัวเครื่องความเร็วสูงพิเศษและแข็งแกร่ง DC-DC High Power Interleaved Og65r038hzf 700V 38 MΩ Power MOSFET

ไดโอดตัวเครื่องความเร็วสูงพิเศษและแข็งแกร่ง DC-DC High Power Interleaved Og65r038hzf 700V 38 MΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ไดโอดตัวเครื่องความเร็วสูงพิเศษและแข็งแกร่ง DC-DC High Power Interleaved Og65r038hzf 700V 38 MΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

อุปกรณ์ชาร์จความเร็วสูง RoHS EV Aux Flyback Converter หนึ่ง Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

อุปกรณ์ชาร์จความเร็วสูง RoHS EV Aux Flyback Converter หนึ่ง Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

อุปกรณ์ชาร์จความเร็วสูง RoHS EV Aux Flyback Converter หนึ่ง Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

อุปกรณ์ชาร์จความเร็วสูง RoHS EV Aux Flyback Converter หนึ่ง Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

อุปกรณ์ชาร์จความเร็วสูง RoHS EV Aux Flyback Converter หนึ่ง Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

อุปกรณ์ชาร์จความเร็วสูง RoHS EV Aux Flyback Converter หนึ่ง Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

อุปกรณ์ชาร์จความเร็วสูง RoHS EV Aux Flyback Converter หนึ่ง Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีกำลังไฟ DC สูงสุดความเร็วและความทนทานไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีกำลังไฟ DC สูงสุดความเร็วและความทนทานไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีกำลังไฟ DC สูงสุดความเร็วและความทนทานไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีกำลังไฟ DC สูงสุดความเร็วและความทนทานไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีกำลังไฟ DC สูงสุดความเร็วและความทนทานไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีกำลังไฟ DC สูงสุดความเร็วและความทนทานไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีกำลังไฟ DC สูงสุดความเร็วและความทนทานไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

เครื่องแปลงไฟรุ่น Flyback Power MOSFET กำลังไฟสูง

เครื่องแปลงไฟรุ่น Flyback Power MOSFET กำลังไฟสูง

เครื่องแปลงไฟรุ่น Flyback Power MOSFET กำลังไฟสูง

เครื่องแปลงไฟรุ่น Flyback Power MOSFET กำลังไฟสูง

เครื่องแปลงไฟรุ่น Flyback Power MOSFET กำลังไฟสูง

เครื่องแปลงไฟรุ่น Flyback Power MOSFET กำลังไฟสูง

1/ 6

รายการโปรด

เครื่องแปลงไฟรุ่น Flyback Power MOSFET กำลังไฟสูง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์โทโลยี Ultra-Fast และ Body Diode Frd Og60r030hzf กำลังขับรวมของ TO247

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์โทโลยี Ultra-Fast และ Body Diode Frd Og60r030hzf กำลังขับรวมของ TO247

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์โทโลยี Ultra-Fast และ Body Diode Frd Og60r030hzf กำลังขับรวมของ TO247

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์โทโลยี Ultra-Fast และ Body Diode Frd Og60r030hzf กำลังขับรวมของ TO247

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์โทโลยี Ultra-Fast และ Body Diode Frd Og60r030hzf กำลังขับรวมของ TO247

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์โทโลยี Ultra-Fast และ Body Diode Frd Og60r030hzf กำลังขับรวมของ TO247

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์โทโลยี Ultra-Fast และ Body Diode Frd Og60r030hzf กำลังขับรวมของ TO247

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ระบบชาร์จไฟความเร็วสูงรุ่น RoHS EV รุ่น Aux Flyback Converter 1 Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

ระบบชาร์จไฟความเร็วสูงรุ่น RoHS EV รุ่น Aux Flyback Converter 1 Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

ระบบชาร์จไฟความเร็วสูงรุ่น RoHS EV รุ่น Aux Flyback Converter 1 Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

ระบบชาร์จไฟความเร็วสูงรุ่น RoHS EV รุ่น Aux Flyback Converter 1 Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

ระบบชาร์จไฟความเร็วสูงรุ่น RoHS EV รุ่น Aux Flyback Converter 1 Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

ระบบชาร์จไฟความเร็วสูงรุ่น RoHS EV รุ่น Aux Flyback Converter 1 Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ระบบชาร์จไฟความเร็วสูงรุ่น RoHS EV รุ่น Aux Flyback Converter 1 Switch Opoomosg90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีของ Server Power LLC ที่ทำงานเร็วพิเศษและแข็งแกร่งไดโอดตัว VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V 30 MΩ Og60r0hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Server Power LLC ที่ทำงานเร็วพิเศษและแข็งแกร่งไดโอดตัว VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V 30 MΩ Og60r0hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Server Power LLC ที่ทำงานเร็วพิเศษและแข็งแกร่งไดโอดตัว VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V 30 MΩ Og60r0hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Server Power LLC ที่ทำงานเร็วพิเศษและแข็งแกร่งไดโอดตัว VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V 30 MΩ Og60r0hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Server Power LLC ที่ทำงานเร็วพิเศษและแข็งแกร่งไดโอดตัว VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V 30 MΩ Og60r0hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Server Power LLC ที่ทำงานเร็วพิเศษและแข็งแกร่งไดโอดตัว VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V 30 MΩ Og60r0hzf To247 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีของ Server Power LLC ที่ทำงานเร็วพิเศษและแข็งแกร่งไดโอดตัว VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V 30 MΩ Og60r0hzf To247 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

เพิ่มเติม

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

รุ่น

หมายเลขชุด

แพ็คเกจ

การประมวลผลสัญญาณ

แอปพลิเคชัน

วัสดุ

พิมพ์

แบรนด์

เทคโนโลยีการผลิต

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

ช่วงกำลัง

การค้นหายอดนิยม

Copyright ©2024 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข