หน้าหลัก ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวม NAND แฟลช 2024 รายการผลิตภัณฑ์

NAND แฟลช

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

ชิป IC แบบดั้งเดิม Macronix Mx35lf1ge4ab-Z4i x35lfxg4ab Series 1 GB (X 1 X 2 / X 4 หน่วยความจำแฟลช SMT NAND 3.6 V - Wson-9 8 ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม Macronix Mx35lf1ge4ab-Z4i x35lfxg4ab Series 1 GB (X 1 X 2 / X 4 หน่วยความจำแฟลช SMT NAND 3.6 V - Wson-9 8 ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม Macronix Mx35lf1ge4ab-Z4i x35lfxg4ab Series 1 GB (X 1 X 2 / X 4 หน่วยความจำแฟลช SMT NAND 3.6 V - Wson-9 8 ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม Macronix Mx35lf1ge4ab-Z4i x35lfxg4ab Series 1 GB (X 1 X 2 / X 4 หน่วยความจำแฟลช SMT NAND 3.6 V - Wson-9 8 ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม Macronix Mx35lf1ge4ab-Z4i x35lfxg4ab Series 1 GB (X 1 X 2 / X 4 หน่วยความจำแฟลช SMT NAND 3.6 V - Wson-9 8 ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม Macronix Mx35lf1ge4ab-Z4i x35lfxg4ab Series 1 GB (X 1 X 2 / X 4 หน่วยความจำแฟลช SMT NAND 3.6 V - Wson-9 8 ในสต็อก

1/ 6

รายการโปรด

ชิป IC แบบดั้งเดิม Macronix Mx35lf1ge4ab-Z4i x35lfxg4ab Series 1 GB (X 1 X 2 / X 4 หน่วยความจำแฟลช SMT NAND 3.6 V - Wson-9 8 ในสต็อก

US$2.27-2.48 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: VLSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: T/R

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml02g100tfi003 SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2gbit 256M X 8bit 20ns 48 PIN TSซอย I-R ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml02g100tfi003 SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2gbit 256M X 8bit 20ns 48 PIN TSซอย I-R ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml02g100tfi003 SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2gbit 256M X 8bit 20ns 48 PIN TSซอย I-R ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml02g100tfi003 SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2gbit 256M X 8bit 20ns 48 PIN TSซอย I-R ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml02g100tfi003 SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2gbit 256M X 8bit 20ns 48 PIN TSซอย I-R ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml02g100tfi003 SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2gbit 256M X 8bit 20ns 48 PIN TSซอย I-R ในสต็อก

1/ 6

รายการโปรด

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml02g100tfi003 SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2gbit 256M X 8bit 20ns 48 PIN TSซอย I-R ในสต็อก

US$2.27-2.48 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: ULSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: T/R

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml01g200tfi000 S34ml01g2 Series 1 GB (128M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml01g200tfi000 S34ml01g2 Series 1 GB (128M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml01g200tfi000 S34ml01g2 Series 1 GB (128M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml01g200tfi000 S34ml01g2 Series 1 GB (128M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml01g200tfi000 S34ml01g2 Series 1 GB (128M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V ในสต็อก

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml01g200tfi000 S34ml01g2 Series 1 GB (128M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V ในสต็อก

1/ 6

รายการโปรด

ชิป IC ดั้งเดิมชิ้นใหม่ Cypress Semiconductor S34ml01g200tfi000 S34ml01g2 Series 1 GB (128M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V ในสต็อก

US$2.27-3.48 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: VLSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Tray

ชิป IC แบบดั้งเดิม WinBondit W29n01hvsina SLC NAND แฟลช 3V/3.3V 8 48 กรัม - บิต 128m X 2PIN Tsop-I IC Flash 1g แบบขนาน 48tsap ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม WinBondit W29n01hvsina SLC NAND แฟลช 3V/3.3V 8 48 กรัม - บิต 128m X 2PIN Tsop-I IC Flash 1g แบบขนาน 48tsap ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม WinBondit W29n01hvsina SLC NAND แฟลช 3V/3.3V 8 48 กรัม - บิต 128m X 2PIN Tsop-I IC Flash 1g แบบขนาน 48tsap ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม WinBondit W29n01hvsina SLC NAND แฟลช 3V/3.3V 8 48 กรัม - บิต 128m X 2PIN Tsop-I IC Flash 1g แบบขนาน 48tsap ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม WinBondit W29n01hvsina SLC NAND แฟลช 3V/3.3V 8 48 กรัม - บิต 128m X 2PIN Tsop-I IC Flash 1g แบบขนาน 48tsap ในสต็อก

ชิป IC แบบดั้งเดิม WinBondit W29n01hvsina SLC NAND แฟลช 3V/3.3V 8 48 กรัม - บิต 128m X 2PIN Tsop-I IC Flash 1g แบบขนาน 48tsap ในสต็อก

1/ 6

รายการโปรด

ชิป IC แบบดั้งเดิม WinBondit W29n01hvsina SLC NAND แฟลช 3V/3.3V 8 48 กรัม - บิต 128m X 2PIN Tsop-I IC Flash 1g แบบขนาน 48tsap ในสต็อก

US$2.27-2.48 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: ULSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: T/R

ไดรฟ์ Solid State รุ่นใหม่ AES 256 บิตจาก Electronics Mz7lh960jr-9 บิตแบบ Solid State 00005 ใหม่ แฟลช 960 GB - NAND 1.3 (6 3 ปี ) Tsจดทะเบียน SATA - 3.3 6 Gb/s 2.5 นิ้วในสต็อค

ไดรฟ์ Solid State รุ่นใหม่ AES 256 บิตจาก Electronics Mz7lh960jr-9 บิตแบบ Solid State 00005 ใหม่ แฟลช 960 GB - NAND 1.3 (6 3 ปี ) Tsจดทะเบียน SATA - 3.3 6 Gb/s 2.5 นิ้วในสต็อค

ไดรฟ์ Solid State รุ่นใหม่ AES 256 บิตจาก Electronics Mz7lh960jr-9 บิตแบบ Solid State 00005 ใหม่ แฟลช 960 GB - NAND 1.3 (6 3 ปี ) Tsจดทะเบียน SATA - 3.3 6 Gb/s 2.5 นิ้วในสต็อค

ไดรฟ์ Solid State รุ่นใหม่ AES 256 บิตจาก Electronics Mz7lh960jr-9 บิตแบบ Solid State 00005 ใหม่ แฟลช 960 GB - NAND 1.3 (6 3 ปี ) Tsจดทะเบียน SATA - 3.3 6 Gb/s 2.5 นิ้วในสต็อค

ไดรฟ์ Solid State รุ่นใหม่ AES 256 บิตจาก Electronics Mz7lh960jr-9 บิตแบบ Solid State 00005 ใหม่ แฟลช 960 GB - NAND 1.3 (6 3 ปี ) Tsจดทะเบียน SATA - 3.3 6 Gb/s 2.5 นิ้วในสต็อค

ไดรฟ์ Solid State รุ่นใหม่ AES 256 บิตจาก Electronics Mz7lh960jr-9 บิตแบบ Solid State 00005 ใหม่ แฟลช 960 GB - NAND 1.3 (6 3 ปี ) Tsจดทะเบียน SATA - 3.3 6 Gb/s 2.5 นิ้วในสต็อค

1/ 6

รายการโปรด

ไดรฟ์ Solid State รุ่นใหม่ AES 256 บิตจาก Electronics Mz7lh960jr-9 บิตแบบ Solid State 00005 ใหม่ แฟลช 960 GB - NAND 1.3 (6 3 ปี ) Tsจดทะเบียน SATA - 3.3 6 Gb/s 2.5 นิ้วในสต็อค

US$80.2-90.1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แบนราบ

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

W29n02kvbidafttr3 W29n02kvidaftettur IC Flash 2gbit Parallel 48tsap

W29n02kvbidafttr3 W29n02kvidaftettur IC Flash 2gbit Parallel 48tsap

W29n02kvbidafttr3 W29n02kvidaftettur IC Flash 2gbit Parallel 48tsap

W29n02kvbidafttr3 W29n02kvidaftettur IC Flash 2gbit Parallel 48tsap

W29n02kvbidafttr3 W29n02kvidaftettur IC Flash 2gbit Parallel 48tsap

W29n02kvbidafttr3 W29n02kvidaftettur IC Flash 2gbit Parallel 48tsap

1/ 6

รายการโปรด

W29n02kvbidafttr3 W29n02kvidaftettur IC Flash 2gbit Parallel 48tsap

US$0.1-0.5 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: ULSIC

เทคนิค: Thick Film IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: N/a

รายการโปรด

IC, Electronics, DDR SDRAM, NAND แฟลช , ไมครอน , Mt25ql256ABA8esf-0se, Mt47h128m8ss-25e: m, Mt53e1g32fw-046 AAT: B

US$0.01 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

R&OTECH (HK) Technology Co., Limited

ติดต่อตอนนี้

บรรจุภัณฑ์: Standard

มาตรฐาน: standard

มาร์ค: standard

ต้นกำเนิด: Standard

กำลังการผลิต: 5000

รายการโปรด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Macronix IC แฟลช Serial NAND 1 กรัม 8 สัปดาห์ Mx35lf1ge4ab-Z4I

US$0.8637-2.5185 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Nation Technology (HK) Company Limited

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: อุปกรณ์วงจรในตัว

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: ตัวนำทางภายใน

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Box

มาตรฐาน: 1*1*1

รายการโปรด

เครื่องตั้งโปรแกรม Rt809h eMMC NAND แฟลชแบบดั้งเดิมพร้อม BGA48 BGA63 BGA64 BGA169 Adapter Rt809h NEMMC NEMD., เครื่องตั้งโปรแกรม eMMC NAND แฟลช IC Rt809h พร้อมอะแดปเตอร์

US$100-800 / บางส่วน

500 ชิ้น (MOQ)

Aibo Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แช่

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: ฟิล์มบาง IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

รายการโปรด

IC, Electronics, DDR SDRAM, NAND แฟลช , ไมครอน , Mtfc128gapalns -It, Mtfcf64gapalbh-It, Mtfcf16gapbh-It, Mtfc8gakajcn-1 ม . Wt, Mtfc4gacajcn-4m It, Micron

US$0.01 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

R&OTECH (HK) Technology Co., Limited

ติดต่อตอนนี้

บรรจุภัณฑ์: Standard

มาตรฐาน: standard

มาร์ค: standard

ต้นกำเนิด: Standard

กำลังการผลิต: 5000

รายการโปรด

Hot Sale Original RT809H eMMC แฟลช NAND แบบ Universal Programmer ได้รวดเร็วมากและไม่มี NAND eMMC EC MCU ISP การอ่านและเขียน Universal ความเร็วสูง โปรแกรมเมอร์ RT8090H

US$100-800 / บางส่วน

500 ชิ้น (MOQ)

Aibo Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แช่

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: ฟิล์มบาง IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

รายการโปรด

Rt809h MMMMMMTM-NAND Flash Programmer ดีกว่า Rt809f/Tl866II Plus NAND with 35 โมดูลรายการ

US$100-800 / บางส่วน

500 ชิ้น (MOQ)

Aibo Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แช่

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: ฟิล์มบาง IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมใหม่ IC Chip Micron Mt28guta1egc-0SIT Parallel และ Flash 1GB 1.8V ถึง 3.6V Uniform -40 ถึง 85c 133 MHz T&R ในสต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมใหม่ IC Chip Micron Mt28guta1egc-0SIT Parallel และ Flash 1GB 1.8V ถึง 3.6V Uniform -40 ถึง 85c 133 MHz T&R ในสต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมใหม่ IC Chip Micron Mt28guta1egc-0SIT Parallel และ Flash 1GB 1.8V ถึง 3.6V Uniform -40 ถึง 85c 133 MHz T&R ในสต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมใหม่ IC Chip Micron Mt28guta1egc-0SIT Parallel และ Flash 1GB 1.8V ถึง 3.6V Uniform -40 ถึง 85c 133 MHz T&R ในสต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมใหม่ IC Chip Micron Mt28guta1egc-0SIT Parallel และ Flash 1GB 1.8V ถึง 3.6V Uniform -40 ถึง 85c 133 MHz T&R ในสต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมใหม่ IC Chip Micron Mt28guta1egc-0SIT Parallel และ Flash 1GB 1.8V ถึง 3.6V Uniform -40 ถึง 85c 133 MHz T&R ในสต็อก

1/ 6

รายการโปรด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมใหม่ IC Chip Micron Mt28guta1egc-0SIT Parallel และ Flash 1GB 1.8V ถึง 3.6V Uniform -40 ถึง 85c 133 MHz T&R ในสต็อก

US$6.8-7.9 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: VLSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Tape and Reel

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip Micron Mt25ql512ABB1ew9-0SIT หรือแฟลช SPI SLC 3V 133MHz 512m/256M/128m 1bit/2bit/4bit 6ns Wdfn-1fn 8 นิ้ว สต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip Micron Mt25ql512ABB1ew9-0SIT หรือแฟลช SPI SLC 3V 133MHz 512m/256M/128m 1bit/2bit/4bit 6ns Wdfn-1fn 8 นิ้ว สต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip Micron Mt25ql512ABB1ew9-0SIT หรือแฟลช SPI SLC 3V 133MHz 512m/256M/128m 1bit/2bit/4bit 6ns Wdfn-1fn 8 นิ้ว สต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip Micron Mt25ql512ABB1ew9-0SIT หรือแฟลช SPI SLC 3V 133MHz 512m/256M/128m 1bit/2bit/4bit 6ns Wdfn-1fn 8 นิ้ว สต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip Micron Mt25ql512ABB1ew9-0SIT หรือแฟลช SPI SLC 3V 133MHz 512m/256M/128m 1bit/2bit/4bit 6ns Wdfn-1fn 8 นิ้ว สต็อก

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip Micron Mt25ql512ABB1ew9-0SIT หรือแฟลช SPI SLC 3V 133MHz 512m/256M/128m 1bit/2bit/4bit 6ns Wdfn-1fn 8 นิ้ว สต็อก

1/ 6

รายการโปรด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip Micron Mt25ql512ABB1ew9-0SIT หรือแฟลช SPI SLC 3V 133MHz 512m/256M/128m 1bit/2bit/4bit 6ns Wdfn-1fn 8 นิ้ว สต็อก

US$4.82-5.43 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: LSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Tape and Reel

Tc58nvg1s3e00 IC Memory Flash 2gbit Parallel 48tsp Tc58nvg1 ดั้งเดิม

Tc58nvg1s3e00 IC Memory Flash 2gbit Parallel 48tsp Tc58nvg1 ดั้งเดิม

Tc58nvg1s3e00 IC Memory Flash 2gbit Parallel 48tsp Tc58nvg1 ดั้งเดิม

Tc58nvg1s3e00 IC Memory Flash 2gbit Parallel 48tsp Tc58nvg1 ดั้งเดิม

Tc58nvg1s3e00 IC Memory Flash 2gbit Parallel 48tsp Tc58nvg1 ดั้งเดิม

Tc58nvg1s3e00 IC Memory Flash 2gbit Parallel 48tsp Tc58nvg1 ดั้งเดิม

1/ 6

รายการโปรด

Tc58nvg1s3e00 IC Memory Flash 2gbit Parallel 48tsp Tc58nvg1 ดั้งเดิม

US$0.1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: LSIC

เทคนิค: Thick Film IC

พิมพ์: IC แบบอะนาล็อก

บรรจุภัณฑ์: N/a

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip PC28f640p30TF65A หรือ Flash Parally/Serial 1.8V 64mbit 4mx16bit 65ns 64 พิน Ebga ในสต็อค

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip PC28f640p30TF65A หรือ Flash Parally/Serial 1.8V 64mbit 4mx16bit 65ns 64 พิน Ebga ในสต็อค

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip PC28f640p30TF65A หรือ Flash Parally/Serial 1.8V 64mbit 4mx16bit 65ns 64 พิน Ebga ในสต็อค

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip PC28f640p30TF65A หรือ Flash Parally/Serial 1.8V 64mbit 4mx16bit 65ns 64 พิน Ebga ในสต็อค

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip PC28f640p30TF65A หรือ Flash Parally/Serial 1.8V 64mbit 4mx16bit 65ns 64 พิน Ebga ในสต็อค

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip PC28f640p30TF65A หรือ Flash Parally/Serial 1.8V 64mbit 4mx16bit 65ns 64 พิน Ebga ในสต็อค

1/ 6

รายการโปรด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมแบบใหม่ IC Chip PC28f640p30TF65A หรือ Flash Parally/Serial 1.8V 64mbit 4mx16bit 65ns 64 พิน Ebga ในสต็อค

US$2.1-2.4 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: VLSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Tray

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมชิ้นใหม่ IC Chip PC28f00AG18FF PC28f00AG18fe และ Flash Parallel / Serial 1.8V 1gbit 64m X 16bit 96ns ใน Stock

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมชิ้นใหม่ IC Chip PC28f00AG18FF PC28f00AG18fe และ Flash Parallel / Serial 1.8V 1gbit 64m X 16bit 96ns ใน Stock

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมชิ้นใหม่ IC Chip PC28f00AG18FF PC28f00AG18fe และ Flash Parallel / Serial 1.8V 1gbit 64m X 16bit 96ns ใน Stock

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมชิ้นใหม่ IC Chip PC28f00AG18FF PC28f00AG18fe และ Flash Parallel / Serial 1.8V 1gbit 64m X 16bit 96ns ใน Stock

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมชิ้นใหม่ IC Chip PC28f00AG18FF PC28f00AG18fe และ Flash Parallel / Serial 1.8V 1gbit 64m X 16bit 96ns ใน Stock

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมชิ้นใหม่ IC Chip PC28f00AG18FF PC28f00AG18fe และ Flash Parallel / Serial 1.8V 1gbit 64m X 16bit 96ns ใน Stock

1/ 6

รายการโปรด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ดั้งเดิมชิ้นใหม่ IC Chip PC28f00AG18FF PC28f00AG18fe และ Flash Parallel / Serial 1.8V 1gbit 64m X 16bit 96ns ใน Stock

US$14.6-18.9 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: ULSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Tray

NAND Flash Storage Chip 210 องศาและหน่วยความจำแฟลชจะต้องมีรหัสผ่าน ผู้ผลิตชิพหน่วยความจำ

NAND Flash Storage Chip 210 องศาและหน่วยความจำแฟลชจะต้องมีรหัสผ่าน ผู้ผลิตชิพหน่วยความจำ

NAND Flash Storage Chip 210 องศาและหน่วยความจำแฟลชจะต้องมีรหัสผ่าน ผู้ผลิตชิพหน่วยความจำ

NAND Flash Storage Chip 210 องศาและหน่วยความจำแฟลชจะต้องมีรหัสผ่าน ผู้ผลิตชิพหน่วยความจำ

NAND Flash Storage Chip 210 องศาและหน่วยความจำแฟลชจะต้องมีรหัสผ่าน ผู้ผลิตชิพหน่วยความจำ

NAND Flash Storage Chip 210 องศาและหน่วยความจำแฟลชจะต้องมีรหัสผ่าน ผู้ผลิตชิพหน่วยความจำ

1/ 6

รายการโปรด

NAND Flash Storage Chip 210 องศาและหน่วยความจำแฟลชจะต้องมีรหัสผ่าน ผู้ผลิตชิพหน่วยความจำ

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช 128MB Mwd 210 Degree หรือ Flash Memory NAND Flash Memory Chip

ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช 128MB Mwd 210 Degree หรือ Flash Memory NAND Flash Memory Chip

ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช 128MB Mwd 210 Degree หรือ Flash Memory NAND Flash Memory Chip

ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช 128MB Mwd 210 Degree หรือ Flash Memory NAND Flash Memory Chip

ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช 128MB Mwd 210 Degree หรือ Flash Memory NAND Flash Memory Chip

1/ 5

รายการโปรด

ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช 128MB Mwd 210 Degree หรือ Flash Memory NAND Flash Memory Chip

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

NAND Flash อุณหภูมิสูง 210 องศาและ Flash Memory Chip หน่วยความจำสำหรับชุด Mwd

NAND Flash อุณหภูมิสูง 210 องศาและ Flash Memory Chip หน่วยความจำสำหรับชุด Mwd

NAND Flash อุณหภูมิสูง 210 องศาและ Flash Memory Chip หน่วยความจำสำหรับชุด Mwd

NAND Flash อุณหภูมิสูง 210 องศาและ Flash Memory Chip หน่วยความจำสำหรับชุด Mwd

NAND Flash อุณหภูมิสูง 210 องศาและ Flash Memory Chip หน่วยความจำสำหรับชุด Mwd

NAND Flash อุณหภูมิสูง 210 องศาและ Flash Memory Chip หน่วยความจำสำหรับชุด Mwd

1/ 6

รายการโปรด

NAND Flash อุณหภูมิสูง 210 องศาและ Flash Memory Chip หน่วยความจำสำหรับชุด Mwd

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

หน่วยความจำแฟลช NAND อุณหภูมิสูงและหน่วยความจำแฟลชความจุสูง ชิพหน่วยความจำแฟลช

หน่วยความจำแฟลช NAND อุณหภูมิสูงและหน่วยความจำแฟลชความจุสูง ชิพหน่วยความจำแฟลช

หน่วยความจำแฟลช NAND อุณหภูมิสูงและหน่วยความจำแฟลชความจุสูง ชิพหน่วยความจำแฟลช

หน่วยความจำแฟลช NAND อุณหภูมิสูงและหน่วยความจำแฟลชความจุสูง ชิพหน่วยความจำแฟลช

หน่วยความจำแฟลช NAND อุณหภูมิสูงและหน่วยความจำแฟลชความจุสูง ชิพหน่วยความจำแฟลช

หน่วยความจำแฟลช NAND อุณหภูมิสูงและหน่วยความจำแฟลชความจุสูง ชิพหน่วยความจำแฟลช

1/ 6

รายการโปรด

หน่วยความจำแฟลช NAND อุณหภูมิสูงและหน่วยความจำแฟลชความจุสูง ชิพหน่วยความจำแฟลช

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

การวัดขณะเจาะ NAND Flash Memory Chip High Temperature IC ผู้ผลิต

การวัดขณะเจาะ NAND Flash Memory Chip High Temperature IC ผู้ผลิต

การวัดขณะเจาะ NAND Flash Memory Chip High Temperature IC ผู้ผลิต

การวัดขณะเจาะ NAND Flash Memory Chip High Temperature IC ผู้ผลิต

การวัดขณะเจาะ NAND Flash Memory Chip High Temperature IC ผู้ผลิต

การวัดขณะเจาะ NAND Flash Memory Chip High Temperature IC ผู้ผลิต

1/ 6

รายการโปรด

การวัดขณะเจาะ NAND Flash Memory Chip High Temperature IC ผู้ผลิต

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

หน่วยความจำแฟลช NAND แบบมัลติเพล็กซ์ 256MB หรือ Flash Storage Chip สำหรับ แอปพลิเคชัน Downhole

หน่วยความจำแฟลช NAND แบบมัลติเพล็กซ์ 256MB หรือ Flash Storage Chip สำหรับ แอปพลิเคชัน Downhole

หน่วยความจำแฟลช NAND แบบมัลติเพล็กซ์ 256MB หรือ Flash Storage Chip สำหรับ แอปพลิเคชัน Downhole

หน่วยความจำแฟลช NAND แบบมัลติเพล็กซ์ 256MB หรือ Flash Storage Chip สำหรับ แอปพลิเคชัน Downhole

หน่วยความจำแฟลช NAND แบบมัลติเพล็กซ์ 256MB หรือ Flash Storage Chip สำหรับ แอปพลิเคชัน Downhole

หน่วยความจำแฟลช NAND แบบมัลติเพล็กซ์ 256MB หรือ Flash Storage Chip สำหรับ แอปพลิเคชัน Downhole

1/ 6

รายการโปรด

หน่วยความจำแฟลช NAND แบบมัลติเพล็กซ์ 256MB หรือ Flash Storage Chip สำหรับ แอปพลิเคชัน Downhole

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

NAND Type High Temp IC Mwd Flash Memory พร้อมด้วย MCM หน่วยความจำแฟลช 210 องศา

NAND Type High Temp IC Mwd Flash Memory พร้อมด้วย MCM หน่วยความจำแฟลช 210 องศา

NAND Type High Temp IC Mwd Flash Memory พร้อมด้วย MCM หน่วยความจำแฟลช 210 องศา

NAND Type High Temp IC Mwd Flash Memory พร้อมด้วย MCM หน่วยความจำแฟลช 210 องศา

NAND Type High Temp IC Mwd Flash Memory พร้อมด้วย MCM หน่วยความจำแฟลช 210 องศา

NAND Type High Temp IC Mwd Flash Memory พร้อมด้วย MCM หน่วยความจำแฟลช 210 องศา

1/ 6

รายการโปรด

NAND Type High Temp IC Mwd Flash Memory พร้อมด้วย MCM หน่วยความจำแฟลช 210 องศา

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

IC Chip ใหม่สกา ยHigh Memory S34ml02g100tfi000 S342g1 Series 2 GB 256M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V - TSOp-p 48 นิ้ว สต็อก

IC Chip ใหม่สกา ยHigh Memory S34ml02g100tfi000 S342g1 Series 2 GB 256M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V - TSOp-p 48 นิ้ว สต็อก

IC Chip ใหม่สกา ยHigh Memory S34ml02g100tfi000 S342g1 Series 2 GB 256M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V - TSOp-p 48 นิ้ว สต็อก

IC Chip ใหม่สกา ยHigh Memory S34ml02g100tfi000 S342g1 Series 2 GB 256M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V - TSOp-p 48 นิ้ว สต็อก

IC Chip ใหม่สกา ยHigh Memory S34ml02g100tfi000 S342g1 Series 2 GB 256M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V - TSOp-p 48 นิ้ว สต็อก

IC Chip ใหม่สกา ยHigh Memory S34ml02g100tfi000 S342g1 Series 2 GB 256M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V - TSOp-p 48 นิ้ว สต็อก

1/ 6

รายการโปรด

IC Chip ใหม่สกา ยHigh Memory S34ml02g100tfi000 S342g1 Series 2 GB 256M X 8 หน่วยความจำแฟลช NAND ในตัว SMT 3 V - TSOp-p 48 นิ้ว สต็อก

US$2.27-2.48 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมทั่วไปมาตรฐาน

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: ULSIC

เทคนิค: เซมิคอนดักเตอร์ IC

พิมพ์: IC ดิจิตอล

บรรจุภัณฑ์: Cut Tape

รายการโปรด

เครื่องตั้งโปรแกรม USB สำหรับ Universal Flash LCD, Rt809h LCD ISP Programmer Rt809h Flash Programmer โดยใช้อะแดปเตอร์ 26 ตัว

US$100-800 / บางส่วน

500 ชิ้น (MOQ)

Aibo Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ได้อย่างมีพรับ: แช่

แอปพลิเคชัน: วงจรรวมเฉพาะ

ชนิดนำไฟฟ้า: รวมวงจรรวมขั้ว

การผสานการทำงาน: GSIC

เทคนิค: ฟิล์มบาง IC

พิมพ์: IC แบบดิจิตอล / อะนาล็อก

ชิปหน่วยความจำ Mwd Component High Temperature Storage 210 Degree

ชิปหน่วยความจำ Mwd Component High Temperature Storage 210 Degree

ชิปหน่วยความจำ Mwd Component High Temperature Storage 210 Degree

ชิปหน่วยความจำ Mwd Component High Temperature Storage 210 Degree

ชิปหน่วยความจำ Mwd Component High Temperature Storage 210 Degree

ชิปหน่วยความจำ Mwd Component High Temperature Storage 210 Degree

1/ 6

รายการโปรด

ชิปหน่วยความจำ Mwd Component High Temperature Storage 210 Degree

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

Flash Memory ความจุสูง 256MB ไม่มีหน่วยความจำแฟลช วงจรรวม

Flash Memory ความจุสูง 256MB ไม่มีหน่วยความจำแฟลช วงจรรวม

Flash Memory ความจุสูง 256MB ไม่มีหน่วยความจำแฟลช วงจรรวม

Flash Memory ความจุสูง 256MB ไม่มีหน่วยความจำแฟลช วงจรรวม

Flash Memory ความจุสูง 256MB ไม่มีหน่วยความจำแฟลช วงจรรวม

Flash Memory ความจุสูง 256MB ไม่มีหน่วยความจำแฟลช วงจรรวม

1/ 6

รายการโปรด

Flash Memory ความจุสูง 256MB ไม่มีหน่วยความจำแฟลช วงจรรวม

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

หน่วยความจำแฟลชกันการช็อต Flash ที่มีอุณหภูมิสูงและหน่วยความจำชนิด Flash จีน ผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับชุด Mwde/LWD

หน่วยความจำแฟลชกันการช็อต Flash ที่มีอุณหภูมิสูงและหน่วยความจำชนิด Flash จีน ผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับชุด Mwde/LWD

หน่วยความจำแฟลชกันการช็อต Flash ที่มีอุณหภูมิสูงและหน่วยความจำชนิด Flash จีน ผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับชุด Mwde/LWD

หน่วยความจำแฟลชกันการช็อต Flash ที่มีอุณหภูมิสูงและหน่วยความจำชนิด Flash จีน ผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับชุด Mwde/LWD

หน่วยความจำแฟลชกันการช็อต Flash ที่มีอุณหภูมิสูงและหน่วยความจำชนิด Flash จีน ผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับชุด Mwde/LWD

หน่วยความจำแฟลชกันการช็อต Flash ที่มีอุณหภูมิสูงและหน่วยความจำชนิด Flash จีน ผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับชุด Mwde/LWD

1/ 6

รายการโปรด

หน่วยความจำแฟลชกันการช็อต Flash ที่มีอุณหภูมิสูงและหน่วยความจำชนิด Flash จีน ผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับชุด Mwde/LWD

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

การอ่านอย่างรวดเร็ว 200 องศาและหน่วยความจำแฟลชของซัพพลายเออร์หน่วยความจำในจีน หน่วยความจำสำหรับบอร์ด Mwd Circuit

การอ่านอย่างรวดเร็ว 200 องศาและหน่วยความจำแฟลชของซัพพลายเออร์หน่วยความจำในจีน หน่วยความจำสำหรับบอร์ด Mwd Circuit

การอ่านอย่างรวดเร็ว 200 องศาและหน่วยความจำแฟลชของซัพพลายเออร์หน่วยความจำในจีน หน่วยความจำสำหรับบอร์ด Mwd Circuit

การอ่านอย่างรวดเร็ว 200 องศาและหน่วยความจำแฟลชของซัพพลายเออร์หน่วยความจำในจีน หน่วยความจำสำหรับบอร์ด Mwd Circuit

การอ่านอย่างรวดเร็ว 200 องศาและหน่วยความจำแฟลชของซัพพลายเออร์หน่วยความจำในจีน หน่วยความจำสำหรับบอร์ด Mwd Circuit

การอ่านอย่างรวดเร็ว 200 องศาและหน่วยความจำแฟลชของซัพพลายเออร์หน่วยความจำในจีน หน่วยความจำสำหรับบอร์ด Mwd Circuit

1/ 6

รายการโปรด

การอ่านอย่างรวดเร็ว 200 องศาและหน่วยความจำแฟลชของซัพพลายเออร์หน่วยความจำในจีน หน่วยความจำสำหรับบอร์ด Mwd Circuit

US$560-620 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

ความจุในการจัดเก็บ: ≤1G

ได้อย่างมีพรับ: แบบสี่เหลี่ยม

วัสดุ: เซรามิค

เปิด Style: กำลังเปิด

ชนิด USB: ดิสก์ USB แบบสร้างสรรค์

ฟังก์ชัน: ดิสก์ USB ที่เก็บข้อมูล

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

แอปพลิเคชัน

ชนิดนำไฟฟ้า

เทคนิค

พิมพ์

การผสานการทำงาน

ได้อย่างมีพรับ

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

สายแฟลช

การค้นหายอดนิยม

Copyright ©2024 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข