หน้าหลัก อุปกรณ์และส่วนประกอบอุตสาหกรรม เครื่องกำเนิดไฟฟ้าดีเซล ไดโอดเอ็กซ์ไซเตอร์ 2024 รายการผลิตภัณฑ์

ไดโอดเอ็กซ์ไซเตอร์

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

อิเล็กโทรไลต์พื้นผิวของตัวเก็บอิเล็กโทรไลต์ CAMetอะลูมิเนียม CA (2 85 ° C, 2000 ชั่วโมงโปรไฟล์ต่ำ ) 0607 YCAC-135M0047REH-1

อิเล็กโทรไลต์พื้นผิวของตัวเก็บอิเล็กโทรไลต์ CAMetอะลูมิเนียม CA (2 85 ° C, 2000 ชั่วโมงโปรไฟล์ต่ำ ) 0607 YCAC-135M0047REH-1

อิเล็กโทรไลต์พื้นผิวของตัวเก็บอิเล็กโทรไลต์ CAMetอะลูมิเนียม CA (2 85 ° C, 2000 ชั่วโมงโปรไฟล์ต่ำ ) 0607 YCAC-135M0047REH-1

อิเล็กโทรไลต์พื้นผิวของตัวเก็บอิเล็กโทรไลต์ CAMetอะลูมิเนียม CA (2 85 ° C, 2000 ชั่วโมงโปรไฟล์ต่ำ ) 0607 YCAC-135M0047REH-1

อิเล็กโทรไลต์พื้นผิวของตัวเก็บอิเล็กโทรไลต์ CAMetอะลูมิเนียม CA (2 85 ° C, 2000 ชั่วโมงโปรไฟล์ต่ำ ) 0607 YCAC-135M0047REH-1

อิเล็กโทรไลต์พื้นผิวของตัวเก็บอิเล็กโทรไลต์ CAMetอะลูมิเนียม CA (2 85 ° C, 2000 ชั่วโมงโปรไฟล์ต่ำ ) 0607 YCAC-135M0047REH-1

1/ 6

รายการโปรด

อิเล็กโทรไลต์พื้นผิวของตัวเก็บอิเล็กโทรไลต์ CAMetอะลูมิเนียม CA (2 85 ° C, 2000 ชั่วโมงโปรไฟล์ต่ำ ) 0607 YCAC-135M0047REH-1

US$0.19-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

1/ 6

รายการโปรด

ตัวเก็บประจุ Tj Series Standard และ Low Profile Tanalyium MOSFET ไดโอดการใช้งาน AVX-TAJB476M010RNJ

US$0.19-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: AVX

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day

1/ 6

รายการโปรด

ตัวเก็บประจุ Tj Series Standard และ Low Profile Tanalyium MOSFET ไดโอดการใช้งาน AVX-TAJA335M016RNJ

US$0.12-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

ตัวเก็บประจุชนิดดิสก์ที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงแบบลีดเกรดเพื่อการพาณิชย์การกระจายกำลังต่ำที่ความถี่สูง CC45SL33330JNNA

ตัวเก็บประจุชนิดดิสก์ที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงแบบลีดเกรดเพื่อการพาณิชย์การกระจายกำลังต่ำที่ความถี่สูง CC45SL33330JNNA

ตัวเก็บประจุชนิดดิสก์ที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงแบบลีดเกรดเพื่อการพาณิชย์การกระจายกำลังต่ำที่ความถี่สูง CC45SL33330JNNA

ตัวเก็บประจุชนิดดิสก์ที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงแบบลีดเกรดเพื่อการพาณิชย์การกระจายกำลังต่ำที่ความถี่สูง CC45SL33330JNNA

ตัวเก็บประจุชนิดดิสก์ที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงแบบลีดเกรดเพื่อการพาณิชย์การกระจายกำลังต่ำที่ความถี่สูง CC45SL33330JNNA

ตัวเก็บประจุชนิดดิสก์ที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงแบบลีดเกรดเพื่อการพาณิชย์การกระจายกำลังต่ำที่ความถี่สูง CC45SL33330JNNA

1/ 6

รายการโปรด

ตัวเก็บประจุชนิดดิสก์ที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงแบบลีดเกรดเพื่อการพาณิชย์การกระจายกำลังต่ำที่ความถี่สูง CC45SL33330JNNA

US$0.78-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

ไดโอด ESD ในตัว 700V N-Channel Super Junction MOSFET สำหรับการใช้งาน N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R180S

ไดโอด ESD ในตัว 700V N-Channel Super Junction MOSFET สำหรับการใช้งาน N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R180S

ไดโอด ESD ในตัว 700V N-Channel Super Junction MOSFET สำหรับการใช้งาน N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R180S

ไดโอด ESD ในตัว 700V N-Channel Super Junction MOSFET สำหรับการใช้งาน N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R180S

ไดโอด ESD ในตัว 700V N-Channel Super Junction MOSFET สำหรับการใช้งาน N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R180S

ไดโอด ESD ในตัว 700V N-Channel Super Junction MOSFET สำหรับการใช้งาน N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R180S

1/ 6

รายการโปรด

ไดโอด ESD ในตัว 700V N-Channel Super Junction MOSFET สำหรับการใช้งาน N-CH SJ MOS (S3) Semiw-HCS70R180S

US$0.19-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

ตัวขับไดโอดชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ -tky ใช้งานใน MOSFET หัวเลี้ยว VRRM=650V ถ้า (Tc = 153.5 ° C)=10A GlobalPowertech (G3S06510A

ตัวขับไดโอดชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ -tky ใช้งานใน MOSFET หัวเลี้ยว VRRM=650V ถ้า (Tc = 153.5 ° C)=10A GlobalPowertech (G3S06510A

ตัวขับไดโอดชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ -tky ใช้งานใน MOSFET หัวเลี้ยว VRRM=650V ถ้า (Tc = 153.5 ° C)=10A GlobalPowertech (G3S06510A

ตัวขับไดโอดชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ -tky ใช้งานใน MOSFET หัวเลี้ยว VRRM=650V ถ้า (Tc = 153.5 ° C)=10A GlobalPowertech (G3S06510A

ตัวขับไดโอดชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ -tky ใช้งานใน MOSFET หัวเลี้ยว VRRM=650V ถ้า (Tc = 153.5 ° C)=10A GlobalPowertech (G3S06510A

ตัวขับไดโอดชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ -tky ใช้งานใน MOSFET หัวเลี้ยว VRRM=650V ถ้า (Tc = 153.5 ° C)=10A GlobalPowertech (G3S06510A

1/ 6

รายการโปรด

ตัวขับไดโอดชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ -tky ใช้งานใน MOSFET หัวเลี้ยว VRRM=650V ถ้า (Tc = 153.5 ° C)=10A GlobalPowertech (G3S06510A

US$0.21-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

600V N-Channel Super Junction MOSFET แอปพลิเคชัน N-CH SJ SJ-CH ( ซี 3) แอปพลิเคชัน ESD ZenPS, UPS, PP, Telecis, Semmow-HCS60R290S

600V N-Channel Super Junction MOSFET แอปพลิเคชัน N-CH SJ SJ-CH ( ซี 3) แอปพลิเคชัน ESD ZenPS, UPS, PP, Telecis, Semmow-HCS60R290S

600V N-Channel Super Junction MOSFET แอปพลิเคชัน N-CH SJ SJ-CH ( ซี 3) แอปพลิเคชัน ESD ZenPS, UPS, PP, Telecis, Semmow-HCS60R290S

600V N-Channel Super Junction MOSFET แอปพลิเคชัน N-CH SJ SJ-CH ( ซี 3) แอปพลิเคชัน ESD ZenPS, UPS, PP, Telecis, Semmow-HCS60R290S

600V N-Channel Super Junction MOSFET แอปพลิเคชัน N-CH SJ SJ-CH ( ซี 3) แอปพลิเคชัน ESD ZenPS, UPS, PP, Telecis, Semmow-HCS60R290S

600V N-Channel Super Junction MOSFET แอปพลิเคชัน N-CH SJ SJ-CH ( ซี 3) แอปพลิเคชัน ESD ZenPS, UPS, PP, Telecis, Semmow-HCS60R290S

1/ 6

รายการโปรด

600V N-Channel Super Junction MOSFET แอปพลิเคชัน N-CH SJ SJ-CH ( ซี 3) แอปพลิเคชัน ESD ZenPS, UPS, PP, Telecis, Semmow-HCS60R290S

US$0.13-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel 30V กำลังขับรถ MOSFET Fear-v ไดโอดการใช้งาน คอนเวอร์เตอร์ DC/DC WAYON-WMS14P03T1

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel 30V กำลังขับรถ MOSFET Fear-v ไดโอดการใช้งาน คอนเวอร์เตอร์ DC/DC WAYON-WMS14P03T1

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel 30V กำลังขับรถ MOSFET Fear-v ไดโอดการใช้งาน คอนเวอร์เตอร์ DC/DC WAYON-WMS14P03T1

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel 30V กำลังขับรถ MOSFET Fear-v ไดโอดการใช้งาน คอนเวอร์เตอร์ DC/DC WAYON-WMS14P03T1

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel 30V กำลังขับรถ MOSFET Fear-v ไดโอดการใช้งาน คอนเวอร์เตอร์ DC/DC WAYON-WMS14P03T1

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel 30V กำลังขับรถ MOSFET Fear-v ไดโอดการใช้งาน คอนเวอร์เตอร์ DC/DC WAYON-WMS14P03T1

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel 30V กำลังขับรถ MOSFET Fear-v ไดโอดการใช้งาน คอนเวอร์เตอร์ DC/DC WAYON-WMS14P03T1

US$0.09-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ 20V กำลังไฟไดโอดของแอปพลิเคชัน สวิตช์การจัดการ WAYON-WM02P160R

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ 20V กำลังไฟไดโอดของแอปพลิเคชัน สวิตช์การจัดการ WAYON-WM02P160R

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ 20V กำลังไฟไดโอดของแอปพลิเคชัน สวิตช์การจัดการ WAYON-WM02P160R

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ 20V กำลังไฟไดโอดของแอปพลิเคชัน สวิตช์การจัดการ WAYON-WM02P160R

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ 20V กำลังไฟไดโอดของแอปพลิเคชัน สวิตช์การจัดการ WAYON-WM02P160R

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ 20V กำลังไฟไดโอดของแอปพลิเคชัน สวิตช์การจัดการ WAYON-WM02P160R

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ 20V กำลังไฟไดโอดของแอปพลิเคชัน สวิตช์การจัดการ WAYON-WM02P160R

US$0.12-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน , GreenMOOS ® สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental G60R150PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน , GreenMOOS ® สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental G60R150PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน , GreenMOOS ® สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental G60R150PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน , GreenMOOS ® สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental G60R150PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน , GreenMOOS ® สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental G60R150PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน , GreenMOOS ® สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental G60R150PF

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน , GreenMOOS ® สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental G60R150PF

US$0.24-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

คุณสมบัติกระแสไฟสูงของเรคติฟายเออร์แบบประสิทธิภาพสูง HER308G ความน่าเชื่อถือสูง แอปพลิเคชัน DO 201AD

คุณสมบัติกระแสไฟสูงของเรคติฟายเออร์แบบประสิทธิภาพสูง HER308G ความน่าเชื่อถือสูง แอปพลิเคชัน DO 201AD

คุณสมบัติกระแสไฟสูงของเรคติฟายเออร์แบบประสิทธิภาพสูง HER308G ความน่าเชื่อถือสูง แอปพลิเคชัน DO 201AD

คุณสมบัติกระแสไฟสูงของเรคติฟายเออร์แบบประสิทธิภาพสูง HER308G ความน่าเชื่อถือสูง แอปพลิเคชัน DO 201AD

คุณสมบัติกระแสไฟสูงของเรคติฟายเออร์แบบประสิทธิภาพสูง HER308G ความน่าเชื่อถือสูง แอปพลิเคชัน DO 201AD

คุณสมบัติกระแสไฟสูงของเรคติฟายเออร์แบบประสิทธิภาพสูง HER308G ความน่าเชื่อถือสูง แอปพลิเคชัน DO 201AD

1/ 6

รายการโปรด

คุณสมบัติกระแสไฟสูงของเรคติฟายเออร์แบบประสิทธิภาพสูง HER308G ความน่าเชื่อถือสูง แอปพลิเคชัน DO 201AD

US$0.07-1.01 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: Yangjie

1/ 3

รายการโปรด

8a 1000V Bridge พื้นผิวเรคติฟายเออร์ CBS CBS810

US$0.201-0.25 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

1/ 3

รายการโปรด

N-Channel 650V, 7A1) 0.65Ω Longftm Power MOSFET Ls65r650ht

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบสีพื้นกระจก BU2510

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบสีพื้นกระจก BU2510

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบสีพื้นกระจก BU2510

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบสีพื้นกระจก BU2510

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบสีพื้นกระจก BU2510

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบสีพื้นกระจก BU2510

1/ 6

รายการโปรด

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบสีพื้นกระจก BU2510

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

ไดโอดเรคติฟายเออร์แบบกู้คืนเร็ว Utra 8 แอมแปร์ 600 โวลต์ Application Bridge MOPEC-UF08A60

ไดโอดเรคติฟายเออร์แบบกู้คืนเร็ว Utra 8 แอมแปร์ 600 โวลต์ Application Bridge MOPEC-UF08A60

ไดโอดเรคติฟายเออร์แบบกู้คืนเร็ว Utra 8 แอมแปร์ 600 โวลต์ Application Bridge MOPEC-UF08A60

ไดโอดเรคติฟายเออร์แบบกู้คืนเร็ว Utra 8 แอมแปร์ 600 โวลต์ Application Bridge MOPEC-UF08A60

ไดโอดเรคติฟายเออร์แบบกู้คืนเร็ว Utra 8 แอมแปร์ 600 โวลต์ Application Bridge MOPEC-UF08A60

ไดโอดเรคติฟายเออร์แบบกู้คืนเร็ว Utra 8 แอมแปร์ 600 โวลต์ Application Bridge MOPEC-UF08A60

1/ 6

รายการโปรด

ไดโอดเรคติฟายเออร์แบบกู้คืนเร็ว Utra 8 แอมแปร์ 600 โวลต์ Application Bridge MOPEC-UF08A60

US$0.27-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

1/ 3

รายการโปรด

KBU410 แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ - 50 ถึง 1000 โวลต์กระแสส่งต่อ - 4 แอมแปร์

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

1/ 3

รายการโปรด

U30d30 Thru U30d60 30303030A 30600V ถึง 247 Switchmode Dual เร็วพิเศษ 300 แรง เรคติฟายเออร์

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

เรคติฟายเออร์กวาดบริดจ์แบบแก้ว TBP206G

เรคติฟายเออร์กวาดบริดจ์แบบแก้ว TBP206G

เรคติฟายเออร์กวาดบริดจ์แบบแก้ว TBP206G

เรคติฟายเออร์กวาดบริดจ์แบบแก้ว TBP206G

เรคติฟายเออร์กวาดบริดจ์แบบแก้ว TBP206G

เรคติฟายเออร์กวาดบริดจ์แบบแก้ว TBP206G

1/ 6

รายการโปรด

เรคติฟายเออร์กวาดบริดจ์แบบแก้ว TBP206G

US$0.32-0.68 / บางส่วน

10 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน GreenMOS สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental OSS60R099PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน GreenMOS สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental OSS60R099PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน GreenMOS สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental OSS60R099PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน GreenMOS สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental OSS60R099PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน GreenMOS สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental OSS60R099PF

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน GreenMOS สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental OSS60R099PF

1/ 6

รายการโปรด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพกำลัง N-Channel MOSFET กำลังการใช้งาน GreenMOS สูง แรงดันไฟฟ้า MOSFET Oriental OSS60R099PF

US$0.19-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

1/ 3

รายการโปรด

วงจรรวม D3KB100 Single Phase 3.0Amp Recrease Bridge

US$0.1-0.13 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

1/ 3

รายการโปรด

วงจรเรียงกระแสแบบยึดพื้นผิวการกู้คืนความเร็ว RS2MA 2.0AMP

US$0.1-0.12 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

Zener Diode ต่ำความต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทาน 123 พลาสติกหุ้มเซนดีมีความเสถียรสูงและ การประยุกต์ใช้งาน Fetures ที่มีความน่าเชื่อถือสูง MSZ15V

Zener Diode ต่ำความต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทาน 123 พลาสติกหุ้มเซนดีมีความเสถียรสูงและ การประยุกต์ใช้งาน Fetures ที่มีความน่าเชื่อถือสูง MSZ15V

Zener Diode ต่ำความต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทาน 123 พลาสติกหุ้มเซนดีมีความเสถียรสูงและ การประยุกต์ใช้งาน Fetures ที่มีความน่าเชื่อถือสูง MSZ15V

Zener Diode ต่ำความต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทาน 123 พลาสติกหุ้มเซนดีมีความเสถียรสูงและ การประยุกต์ใช้งาน Fetures ที่มีความน่าเชื่อถือสูง MSZ15V

Zener Diode ต่ำความต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทาน 123 พลาสติกหุ้มเซนดีมีความเสถียรสูงและ การประยุกต์ใช้งาน Fetures ที่มีความน่าเชื่อถือสูง MSZ15V

Zener Diode ต่ำความต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทาน 123 พลาสติกหุ้มเซนดีมีความเสถียรสูงและ การประยุกต์ใช้งาน Fetures ที่มีความน่าเชื่อถือสูง MSZ15V

1/ 6

รายการโปรด

Zener Diode ต่ำความต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทานแรงต้านทาน 123 พลาสติกหุ้มเซนดีมีความเสถียรสูงและ การประยุกต์ใช้งาน Fetures ที่มีความน่าเชื่อถือสูง MSZ15V

US$0.13-1.18 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: ZRE

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day

1/ 3

รายการโปรด

N-Channel LSD65R099GF 650V 40A T0o-220f Super Junction MOSFET

US$0.8-0.9 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

ได้รับการรับรอง RoHS ข้อกำหนด 30A 600V ถึง 247 Ultra Fast Recovery ไดโอด

ได้รับการรับรอง RoHS ข้อกำหนด 30A 600V ถึง 247 Ultra Fast Recovery ไดโอด

ได้รับการรับรอง RoHS ข้อกำหนด 30A 600V ถึง 247 Ultra Fast Recovery ไดโอด

ได้รับการรับรอง RoHS ข้อกำหนด 30A 600V ถึง 247 Ultra Fast Recovery ไดโอด

ได้รับการรับรอง RoHS ข้อกำหนด 30A 600V ถึง 247 Ultra Fast Recovery ไดโอด

1/ 5

รายการโปรด

ได้รับการรับรอง RoHS ข้อกำหนด 30A 600V ถึง 247 Ultra Fast Recovery ไดโอด

US$0.8-0.9 / บางส่วน

100 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ผลิตไดโอดแรงดัน MOSFET 900V N-Channel สำหรับการใช้งานเครือข่าย Superior Avalanche ที่ทนทาน เทคโนโลยี Semw-HF11N90

ผลิตไดโอดแรงดัน MOSFET 900V N-Channel สำหรับการใช้งานเครือข่าย Superior Avalanche ที่ทนทาน เทคโนโลยี Semw-HF11N90

ผลิตไดโอดแรงดัน MOSFET 900V N-Channel สำหรับการใช้งานเครือข่าย Superior Avalanche ที่ทนทาน เทคโนโลยี Semw-HF11N90

ผลิตไดโอดแรงดัน MOSFET 900V N-Channel สำหรับการใช้งานเครือข่าย Superior Avalanche ที่ทนทาน เทคโนโลยี Semw-HF11N90

ผลิตไดโอดแรงดัน MOSFET 900V N-Channel สำหรับการใช้งานเครือข่าย Superior Avalanche ที่ทนทาน เทคโนโลยี Semw-HF11N90

ผลิตไดโอดแรงดัน MOSFET 900V N-Channel สำหรับการใช้งานเครือข่าย Superior Avalanche ที่ทนทาน เทคโนโลยี Semw-HF11N90

1/ 6

รายการโปรด

ผลิตไดโอดแรงดัน MOSFET 900V N-Channel สำหรับการใช้งานเครือข่าย Superior Avalanche ที่ทนทาน เทคโนโลยี Semw-HF11N90

US$0.26-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

1/ 3

รายการโปรด

123 N914BW 400mW SOD-0 ไดโอด Fast Switching

US$0.085-1 / บางส่วน

1 บางส่วน (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

โครงสร้าง: ระนาบ

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: Yangjie

1 สาย , สองทิศทาง , ความจุสูงพิเศษ , ไดโอดป้องกัน ESD Ultra Low Power Fashures แอปพลิเคชัน DFN1006&SEUaf;ES2L DSLCV0LBQ

1 สาย , สองทิศทาง , ความจุสูงพิเศษ , ไดโอดป้องกัน ESD Ultra Low Power Fashures แอปพลิเคชัน DFN1006&SEUaf;ES2L DSLCV0LBQ

1 สาย , สองทิศทาง , ความจุสูงพิเศษ , ไดโอดป้องกัน ESD Ultra Low Power Fashures แอปพลิเคชัน DFN1006&SEUaf;ES2L DSLCV0LBQ

1 สาย , สองทิศทาง , ความจุสูงพิเศษ , ไดโอดป้องกัน ESD Ultra Low Power Fashures แอปพลิเคชัน DFN1006&SEUaf;ES2L DSLCV0LBQ

1 สาย , สองทิศทาง , ความจุสูงพิเศษ , ไดโอดป้องกัน ESD Ultra Low Power Fashures แอปพลิเคชัน DFN1006&SEUaf;ES2L DSLCV0LBQ

1 สาย , สองทิศทาง , ความจุสูงพิเศษ , ไดโอดป้องกัน ESD Ultra Low Power Fashures แอปพลิเคชัน DFN1006&SEUaf;ES2L DSLCV0LBQ

1/ 6

รายการโปรด

1 สาย , สองทิศทาง , ความจุสูงพิเศษ , ไดโอดป้องกัน ESD Ultra Low Power Fashures แอปพลิเคชัน DFN1006&SEUaf;ES2L DSLCV0LBQ

US$0.753 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

แอปพลิเคชัน: รถยนต์

การรับรอง: RoHS

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: Customized

มาร์ค: MR

1/ 3

รายการโปรด

RU30D20M2 N-channel MOS Advanced Power MOSFET

US$0.1-0.12 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

มาตรฐาน: low voltage mos FET

1/ 4

รายการโปรด

M7 1.0AMP คุณสมบัติเรคติฟายเออร์ยึดพื้นผิว

US$0.0045-0.005 / บางส่วน

3,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

1/ 3

รายการโปรด

LSD80R350GT N-channel 800V, 15A, 0.35Ω LFE MOSFET

US$0.8-0.95 / บางส่วน

1,000 ชิ้น (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

ทัวร์เสมือนจริง 360°

ติดต่อตอนนี้

โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป

การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC

ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน

วัสดุ: ซิลิคอน

บรรจุภัณฑ์: Plastic Package

ต้นกำเนิด: Guangdong, China

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

คุณสมบัติของสินค้า

การรับรอง

วัสดุ

ความเข้มการส่องสว่าง

โครงสร้างการห่อหุ้ม

โครงสร้าง

แอปพลิเคชัน

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

เอ็กซ์ไซเตอร์

Copyright ©2024 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข