หน้าหลัก โลหการ แร่ และพลังงาน ไทเทเนียม 2 % TC 2024 รายการผลิตภัณฑ์

2 % TC

พบผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิตและผู้ค้าส่งที่เชื่อถือได้

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูลความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวเครื่อง Frdocsg65r0338hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูลความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวเครื่อง Frdocsg65r0338hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูลความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวเครื่อง Frdocsg65r0338hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูลความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวเครื่อง Frdocsg65r0338hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูลความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวเครื่อง Frdocsg65r0338hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูลความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวเครื่อง Frdocsg65r0338hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูลความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวเครื่อง Frdocsg65r0338hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีของ Telecom Powerllc TOO Ultra-Fast และ Body ไดโอด VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs=10V 30 MΩ Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerllc TOO Ultra-Fast และ Body ไดโอด VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs=10V 30 MΩ Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerllc TOO Ultra-Fast และ Body ไดโอด VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs=10V 30 MΩ Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerllc TOO Ultra-Fast และ Body ไดโอด VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs=10V 30 MΩ Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerllc TOO Ultra-Fast และ Body ไดโอด VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs=10V 30 MΩ Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerllc TOO Ultra-Fast และ Body ไดโอด VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs=10V 30 MΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีของ Telecom Powerllc TOO Ultra-Fast และ Body ไดโอด VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) สูงสุด @ Vgs=10V 30 MΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS (ON) สูงสุด @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและตัวกล้องที่แข็งแกร่ง Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS ( เปิด ), Max @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและตัวกล้องที่แข็งแกร่ง Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS ( เปิด ), Max @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและตัวกล้องที่แข็งแกร่ง Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS ( เปิด ), Max @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและตัวกล้องที่แข็งแกร่ง Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS ( เปิด ), Max @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและตัวกล้องที่แข็งแกร่ง Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS ( เปิด ), Max @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและตัวกล้องที่แข็งแกร่ง Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS ( เปิด ), Max @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและตัวกล้องที่แข็งแกร่ง Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V RDS ( เปิด ), Max @ Vg=10V 38 MΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลลีฟคูล Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีอินเตอร์ลีฟ LLC อินเตอร์อัลคูลเลอร์ Ultra-Fast และ Body ไดโอด Frd Og65r038hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ROHS EV Charging Aux Flyback Converter One Switch To251 Og90r1K2af การแก้ไขกำลังไฟและการสลับ MOSFET

ROHS EV Charging Aux Flyback Converter One Switch To251 Og90r1K2af การแก้ไขกำลังไฟและการสลับ MOSFET

ROHS EV Charging Aux Flyback Converter One Switch To251 Og90r1K2af การแก้ไขกำลังไฟและการสลับ MOSFET

ROHS EV Charging Aux Flyback Converter One Switch To251 Og90r1K2af การแก้ไขกำลังไฟและการสลับ MOSFET

ROHS EV Charging Aux Flyback Converter One Switch To251 Og90r1K2af การแก้ไขกำลังไฟและการสลับ MOSFET

ROHS EV Charging Aux Flyback Converter One Switch To251 Og90r1K2af การแก้ไขกำลังไฟและการสลับ MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ROHS EV Charging Aux Flyback Converter One Switch To251 Og90r1K2af การแก้ไขกำลังไฟและการสลับ MOSFET

US$1.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยี LLC ที่ทำงานอย่างรวดเร็วและทนทานไดโอดตัวจริง Frd Og65r038hzf To247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

เครื่องชาร์จฟลายเออร์ฟลายเออร์ออปโพโลยีออสก 90r1K2af T251 High กำลังไฟมีสถานะ MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีแบบอินเตอร์ลีฟ LLC High Potomatopomologies) ชนิดเร็วพิเศษและแบบไดโอดตัวเครื่องแข็งแกร่ง VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบอินเตอร์ลีฟ LLC High Potomatopomologies) ชนิดเร็วพิเศษและแบบไดโอดตัวเครื่องแข็งแกร่ง VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบอินเตอร์ลีฟ LLC High Potomatopomologies) ชนิดเร็วพิเศษและแบบไดโอดตัวเครื่องแข็งแกร่ง VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบอินเตอร์ลีฟ LLC High Potomatopomologies) ชนิดเร็วพิเศษและแบบไดโอดตัวเครื่องแข็งแกร่ง VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบอินเตอร์ลีฟ LLC High Potomatopomologies) ชนิดเร็วพิเศษและแบบไดโอดตัวเครื่องแข็งแกร่ง VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

โทโพโลยีแบบอินเตอร์ลีฟ LLC High Potomatopomologies) ชนิดเร็วพิเศษและแบบไดโอดตัวเครื่องแข็งแกร่ง VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีแบบอินเตอร์ลีฟ LLC High Potomatopomologies) ชนิดเร็วพิเศษและแบบไดโอดตัวเครื่องแข็งแกร่ง VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf To247 พาวเวอร์ MOSFET

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf To247 พาวเวอร์ MOSFET

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf To247 พาวเวอร์ MOSFET

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf To247 พาวเวอร์ MOSFET

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf To247 พาวเวอร์ MOSFET

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf To247 พาวเวอร์ MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีแบบ DC-DC High Power Interleaved LLC ทำงานรวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og65r038hzf To247 พาวเวอร์ MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf To247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf To247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf To247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf To247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf To247 Power MOSFET

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf To247 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ตัวไดโอดความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf To247 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีของ Telecom Powerlc ทางภูมิประเทศ Ultra-Fast และ Robust Body Diode VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS (ON) Max @ Vg=10V MΩ 30 Og60r030hzf To247 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

PWM Aux Flyback ชนิดเปลี่ยนได้แบบแข็งออปโปโลยีออคเซ็นเซอร์ Og90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

PWM Aux Flyback ชนิดเปลี่ยนได้แบบแข็งออปโปโลยีออคเซ็นเซอร์ Og90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

PWM Aux Flyback ชนิดเปลี่ยนได้แบบแข็งออปโปโลยีออคเซ็นเซอร์ Og90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

PWM Aux Flyback ชนิดเปลี่ยนได้แบบแข็งออปโปโลยีออคเซ็นเซอร์ Og90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

PWM Aux Flyback ชนิดเปลี่ยนได้แบบแข็งออปโปโลยีออคเซ็นเซอร์ Og90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

PWM Aux Flyback ชนิดเปลี่ยนได้แบบแข็งออปโปโลยีออคเซ็นเซอร์ Og90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

PWM Aux Flyback ชนิดเปลี่ยนได้แบบแข็งออปโปโลยีออคเซ็นเซอร์ Og90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

การให้แสง RoHS Lighting-Fๆ และแข็งแกร่ง Og90r1K2af T251 Power MOSFET

การให้แสง RoHS Lighting-Fๆ และแข็งแกร่ง Og90r1K2af T251 Power MOSFET

การให้แสง RoHS Lighting-Fๆ และแข็งแกร่ง Og90r1K2af T251 Power MOSFET

การให้แสง RoHS Lighting-Fๆ และแข็งแกร่ง Og90r1K2af T251 Power MOSFET

การให้แสง RoHS Lighting-Fๆ และแข็งแกร่ง Og90r1K2af T251 Power MOSFET

การให้แสง RoHS Lighting-Fๆ และแข็งแกร่ง Og90r1K2af T251 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

การให้แสง RoHS Lighting-Fๆ และแข็งแกร่ง Og90r1K2af T251 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

มอเตอร์ขับเคลื่อน DC-DC High Power Og65r038hzf To247 VdS, 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ไดรเวอร์มอเตอร์ DC-DC High Power Interleaved LLC ลักษณะภูมิประเทศรวดเร็วและแข็งแกร่ง FRD OSG60R030HZF TO247 VDS, MIN @ TJ(ma)650V RDS(on), malPower MOSFET

ไดรเวอร์มอเตอร์ DC-DC High Power Interleaved LLC ลักษณะภูมิประเทศรวดเร็วและแข็งแกร่ง FRD OSG60R030HZF TO247 VDS, MIN @ TJ(ma)650V RDS(on), malPower MOSFET

ไดรเวอร์มอเตอร์ DC-DC High Power Interleaved LLC ลักษณะภูมิประเทศรวดเร็วและแข็งแกร่ง FRD OSG60R030HZF TO247 VDS, MIN @ TJ(ma)650V RDS(on), malPower MOSFET

ไดรเวอร์มอเตอร์ DC-DC High Power Interleaved LLC ลักษณะภูมิประเทศรวดเร็วและแข็งแกร่ง FRD OSG60R030HZF TO247 VDS, MIN @ TJ(ma)650V RDS(on), malPower MOSFET

ไดรเวอร์มอเตอร์ DC-DC High Power Interleaved LLC ลักษณะภูมิประเทศรวดเร็วและแข็งแกร่ง FRD OSG60R030HZF TO247 VDS, MIN @ TJ(ma)650V RDS(on), malPower MOSFET

ไดรเวอร์มอเตอร์ DC-DC High Power Interleaved LLC ลักษณะภูมิประเทศรวดเร็วและแข็งแกร่ง FRD OSG60R030HZF TO247 VDS, MIN @ TJ(ma)650V RDS(on), malPower MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ไดรเวอร์มอเตอร์ DC-DC High Power Interleaved LLC ลักษณะภูมิประเทศรวดเร็วและแข็งแกร่ง FRD OSG60R030HZF TO247 VDS, MIN @ TJ(ma)650V RDS(on), malPower MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

เปลี่ยนเครื่องแปลง Flyback Converter One รุ่น RoHS Extral Fast Charging โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ไดโอดตัวกล้องความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

ไดโอดตัวกล้องความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

ไดโอดตัวกล้องความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

ไดโอดตัวกล้องความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

ไดโอดตัวกล้องความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

ไดโอดตัวกล้องความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

ไดโอดตัวกล้องความเร็วสูงพิเศษและความทนทาน Og65r038hzf TO247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

การประยุกต์ใช้งานในรถยนต์ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-11 ( มาตรฐาน ) 1 kHz IGBT

การประยุกต์ใช้งานในรถยนต์ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-11 ( มาตรฐาน ) 1 kHz IGBT

การประยุกต์ใช้งานในรถยนต์ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-11 ( มาตรฐาน ) 1 kHz IGBT

การประยุกต์ใช้งานในรถยนต์ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-11 ( มาตรฐาน ) 1 kHz IGBT

การประยุกต์ใช้งานในรถยนต์ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-11 ( มาตรฐาน ) 1 kHz IGBT

การประยุกต์ใช้งานในรถยนต์ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-11 ( มาตรฐาน ) 1 kHz IGBT

1/ 6

รายการโปรด

การประยุกต์ใช้งานในรถยนต์ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-11 ( มาตรฐาน ) 1 kHz IGBT

US$5.6 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

การชาร์จความเร็วสูงจาก RoHS Extral และการเปลี่ยนเป็น Flyback Converter ตัวเดียว โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

การชาร์จความเร็วสูงจาก RoHS Extral และการเปลี่ยนเป็น Flyback Converter ตัวเดียว โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

การชาร์จความเร็วสูงจาก RoHS Extral และการเปลี่ยนเป็น Flyback Converter ตัวเดียว โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

การชาร์จความเร็วสูงจาก RoHS Extral และการเปลี่ยนเป็น Flyback Converter ตัวเดียว โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

การชาร์จความเร็วสูงจาก RoHS Extral และการเปลี่ยนเป็น Flyback Converter ตัวเดียว โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

การชาร์จความเร็วสูงจาก RoHS Extral และการเปลี่ยนเป็น Flyback Converter ตัวเดียว โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

การชาร์จความเร็วสูงจาก RoHS Extral และการเปลี่ยนเป็น Flyback Converter ตัวเดียว โทโพโลยี Og90r1K2af T251 ไฟฟ้าแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

การกู้คืนอย่างรวดเร็วด้วยโปโลยีของ PC Power DC-DC High Power Interleaved LLC ไดโอด Frd Og60r030hzf TO247 Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

กำลังไฟเซิร์ฟเวอร์ DC-DC กำลังแรงสูง Ultra-Fast และไดโอดตัวกล้อง Frd Og60r030hzf To247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 650V RDS ( เปิด ) Mapower MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

โทโพโลยีสูง DC-DC ความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีสูง DC-DC ความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีสูง DC-DC ความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีสูง DC-DC ความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีสูง DC-DC ความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

โทโพโลยีสูง DC-DC ความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

โทโพโลยีสูง DC-DC ความเร็วสูงพิเศษและไดโอดตัวกล้อง Frd Og65r038hzf T247 VdS, ต่ำสุด @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ฟลายฟลายเออร์ One Switch Opoetologs Osv90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ฟลายฟลายเออร์ One Switch Opoetologs Osv90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ฟลายฟลายเออร์ One Switch Opoetologs Osv90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ฟลายฟลายเออร์ One Switch Opoetologs Osv90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ฟลายฟลายเออร์ One Switch Opoetologs Osv90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ฟลายฟลายเออร์ One Switch Opoetologs Osv90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ฟลายฟลายเออร์ One Switch Opoetologs Osv90r1K2af Toy251 เครื่องจ่ายไฟแรงดันสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

การชาร์จไฟแบบ Vienna Topology EV ชนิด 3 เฟสแบบสองทิศทางที่สถาปัตยกรรม PFC และการควบคุม Pimetst247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

การชาร์จไฟแบบ Vienna Topology EV ชนิด 3 เฟสแบบสองทิศทางที่สถาปัตยกรรม PFC และการควบคุม Pimetst247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

การชาร์จไฟแบบ Vienna Topology EV ชนิด 3 เฟสแบบสองทิศทางที่สถาปัตยกรรม PFC และการควบคุม Pimetst247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

การชาร์จไฟแบบ Vienna Topology EV ชนิด 3 เฟสแบบสองทิศทางที่สถาปัตยกรรม PFC และการควบคุม Pimetst247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

การชาร์จไฟแบบ Vienna Topology EV ชนิด 3 เฟสแบบสองทิศทางที่สถาปัตยกรรม PFC และการควบคุม Pimetst247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

การชาร์จไฟแบบ Vienna Topology EV ชนิด 3 เฟสแบบสองทิศทางที่สถาปัตยกรรม PFC และการควบคุม Pimetst247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

การชาร์จไฟแบบ Vienna Topology EV ชนิด 3 เฟสแบบสองทิศทางที่สถาปัตยกรรม PFC และการควบคุม Pimetst247 Og65r035hf กำลังไฟสูง MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: DIP ( แพคเกจคู่ในสายการผลิต )

การประมวลผลสัญญาณ: Analog Digital Composite และฟังก์ชัน

แอปพลิเคชัน: การวัดอุณหภูมิ

รูปแบบทางภูมิประเทศของ Telecom PowerDC-DC High Power Interleaved LLC ที่รวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

รูปแบบทางภูมิประเทศของ Telecom PowerDC-DC High Power Interleaved LLC ที่รวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

รูปแบบทางภูมิประเทศของ Telecom PowerDC-DC High Power Interleaved LLC ที่รวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

รูปแบบทางภูมิประเทศของ Telecom PowerDC-DC High Power Interleaved LLC ที่รวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

รูปแบบทางภูมิประเทศของ Telecom PowerDC-DC High Power Interleaved LLC ที่รวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

รูปแบบทางภูมิประเทศของ Telecom PowerDC-DC High Power Interleaved LLC ที่รวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

1/ 6

รายการโปรด

รูปแบบทางภูมิประเทศของ Telecom PowerDC-DC High Power Interleaved LLC ที่รวดเร็วและ ไดโอดตัวกล้องแข็งแกร่ง Frd Og60r030hzf TO247 MOSFET กำลัง

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ตัวขับมอเตอร์ DC-DC High PoweotomotologrodefoionpheUltra-Fast และ Diode Body Diodosids65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

ตัวขับมอเตอร์ DC-DC High PoweotomotologrodefoionpheUltra-Fast และ Diode Body Diodosids65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

ตัวขับมอเตอร์ DC-DC High PoweotomotologrodefoionpheUltra-Fast และ Diode Body Diodosids65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

ตัวขับมอเตอร์ DC-DC High PoweotomotologrodefoionpheUltra-Fast และ Diode Body Diodosids65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

ตัวขับมอเตอร์ DC-DC High PoweotomotologrodefoionpheUltra-Fast และ Diode Body Diodosids65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

ตัวขับมอเตอร์ DC-DC High PoweotomotologrodefoionpheUltra-Fast และ Diode Body Diodosids65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

1/ 6

รายการโปรด

ตัวขับมอเตอร์ DC-DC High PoweotomotologrodefoionpheUltra-Fast และ Diode Body Diodosids65r038hzf T247 VdS, Min @ TJ ( สูงสุด ) 700V 38mΩ Power MOSFET

US$0.2 / บางส่วน

660 ชิ้น (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

ติดต่อตอนนี้

เทคโนโลยีการผลิต: Optoelectronic Semiconductor

วัสดุ: Element Semiconductor

พิมพ์: เซมิคอนดักเตอร์ N-type

แพ็คเกจ: SMD

การประมวลผลสัญญาณ: ดิจิตอล

แอปพลิเคชัน: โทรทัศน์

ดัชนีผลิตภัณฑ์ที่รวดเร็ว

0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W XYZ

ไม่พบสิ่งที่มองหาใช่หรือไม่?

การจัดซื้อโดยง่าย

โพสต์คำขอการจัดซื้อและได้รับใบเสนอราคาอย่างรวดเร็ว

โพสคำขอการจัดซื้อ

แคตตาล็อก

อื่นๆ

คุณสมบัติของสินค้า

คุณสมบัติของบริษัท

ประเภทของสมาชิก

ประเภทของธุรกิจ

ความสามารถในการวิจัยและพัฒนา

จังหวัดและภูมิภาค

ประเภทผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

Copyright ©2024 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข