หน้าหลักarrow-rightดัชนีโรงงานของจีนarrow-rightยูเอสบี เมมโมรี่ ไดรฟ์ 2.0 อินเตอร์เฟซ โรงงานarrow-rightรายการของซัพพลายเออร์
ฟิลเตอร์
หมวดหมู่สินค้า
เพิ่มเติม
การรับรองระบบการจัดการ
ขีดความสามารถด้านวิจัยและพัฒนา
รายได้ประจำปี
จำนวนพนักงาน
จังหวัดและภูมิภาค
เกี่ยวกับ ยูเอสบี เมมโมรี่ ไดรฟ์ 2.0 อินเตอร์เฟซ
  • นวัตกรรมเทคโนโลยี
  • ซัพพลายเชนที่เชื่อถือได้
  • ความสามารถในการผลิตอย่างครบวงจร

ยูเอสบี เมมโมรี่ ไดรฟ์ 2.0 อินเตอร์เฟซ7 โรงงานได้รับการตรวจสอบแล้ว

Shenzhen Edoo-Iot Technology Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
อีดู 10.1 นิ้ว IP68 แท็บเล็ตกันน้ำแอนดรอยด์ 13 NFC WiFi 4G พอร์ต USB Octa Core 128GB หน่วยความจำสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม โลจิสติกส์

อีดู 10.1 นิ้ว IP68 แท็บเล็ตกันน้ำแอนดรอยด์ 13 NFC WiFi 4G พอร์ต USB Octa Core 128GB หน่วยความจำสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม โลจิสติกส์

US$268.80
1 unit(MOQ)
1/4

Shenzhen Yuchengloong Technology Co., Ltd.

7 ปี·5.0
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
ไดรฟ์แฟลชหน่วยความจำอลูมิเนียมความเร็วสูง USB2, 0/3.0 พิมพ์โลโก้ ไดรฟ์ยู-ดิสก์ส่งเสริมการขาย

ไดรฟ์แฟลชหน่วยความจำอลูมิเนียมความเร็วสูง USB2, 0/3.0 พิมพ์โลโก้ ไดรฟ์ยู-ดิสก์ส่งเสริมการขาย

US$0.58-6.78
100 ชิ้น(MOQ)
1/4

Shenzhen Madazon Technology Co., Ltd.

3 ปี·5.0
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
ปากกาหมุน ไดรฟ์ USB แฟลชไดรฟ์ที่ปรับแต่งได้ USB 2 0 3 0 แฟลชไดรฟ์ที่มีโลโก้ที่กำหนดเอง 16GB 32GB 64 GB สีเหลือง สีเขียว สีแดง อุปกรณ์สายคล้องสีน้ำเงิน OEM RoHS USB

ปากกาหมุน ไดรฟ์ USB แฟลชไดรฟ์ที่ปรับแต่งได้ USB 2 0 3 0 แฟลชไดรฟ์ที่มีโลโก้ที่กำหนดเอง 16GB 32GB 64 GB สีเหลือง สีเขียว สีแดง อุปกรณ์สายคล้องสีน้ำเงิน OEM RoHS USB

US$1.30-3.50
100 ชิ้น(MOQ)
1/4

Qingdao ZITN Technology Co., Ltd.

11 ปี
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
16 หน่วยความจำแฟลชแบบพินนอร์ 256MB ชิปหน่วยความจำแฟลชที่ทนความร้อนสูงสำหรับการใช้งานในหลุมเจาะ

16 หน่วยความจำแฟลชแบบพินนอร์ 256MB ชิปหน่วยความจำแฟลชที่ทนความร้อนสูงสำหรับการใช้งานในหลุมเจาะ

US$560.00-620.00
1 บางส่วน(MOQ)
การวัดขณะเจาะชิปหน่วยความจำแฟลช NAND ผู้ผลิตวงจรไอซีอุณหภูมิสูง

การวัดขณะเจาะชิปหน่วยความจำแฟลช NAND ผู้ผลิตวงจรไอซีอุณหภูมิสูง

US$560.00-620.00
1 บางส่วน(MOQ)
256MB หน่วยความจำแฟลชขนาดใหญ่สำหรับการเจาะหน่วยความจำแฟลชที่มีวงจรรวม

256MB หน่วยความจำแฟลชขนาดใหญ่สำหรับการเจาะหน่วยความจำแฟลชที่มีวงจรรวม

US$560.00-620.00
1 บางส่วน(MOQ)
ชิ้นส่วน Mwd หน่วยความจำที่มีอุณหภูมิสูง 210 องศา ชิปหน่วยความจำ

ชิ้นส่วน Mwd หน่วยความจำที่มีอุณหภูมิสูง 210 องศา ชิปหน่วยความจำ

US$560.00-620.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Huazheng Electric Manufacturing (Baoding) Co., Ltd.

18 ปี·4.7
·ผู้ผลิต/โรงงานผลิต
ส่งแบบสอบถาม
Hz2611 เครื่องทดสอบการบิดเบือนขดลวดหม้อแปลง เครื่องวิเคราะห์อิมพีแดนซ์วงจรสั้นแรงดันต่ำ

Hz2611 เครื่องทดสอบการบิดเบือนขดลวดหม้อแปลง เครื่องวิเคราะห์อิมพีแดนซ์วงจรสั้นแรงดันต่ำ

US$1,000.00-1,936.00
1 บางส่วน(MOQ)
ชุดทดสอบอิมพีแดนซ์ลัดวงจรแรงดันต่ำของหม้อแปลง Huazheng Electric Hz2611

ชุดทดสอบอิมพีแดนซ์ลัดวงจรแรงดันต่ำของหม้อแปลง Huazheng Electric Hz2611

US$1,000.00-1,936.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Orangame Electronics Technology Co., Ltd.

15 ปี
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
สถานีเชื่อมต่อ USB-C สำหรับจอภาพคู่ 4K ฮับ USB 3.0 พร้อม Pd

สถานีเชื่อมต่อ USB-C สำหรับจอภาพคู่ 4K ฮับ USB 3.0 พร้อม Pd

US$7.39-7.59
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

NANBEI INSTRUMENT LIMITED

5.0
ส่งแบบสอบถาม
เครื่องตรวจสอบข้อบกพร่องด้วยคลื่นเสียงความถี่สูงแบบพกพาที่มีจอแสดงผล LCD

เครื่องตรวจสอบข้อบกพร่องด้วยคลื่นเสียงความถี่สูงแบบพกพาที่มีจอแสดงผล LCD

US$3,585.00-3,708.00
1 เตรียมตัว(MOQ)
1/4
เกี่ยวกับเรา การประกาศ ข้อตกลงสำหรับผู้ใช้ นโยบายความเป็นส่วนตัว คอนแทคเตอร์ Made-in-China.com ผลิตภัณฑ์ด่วน ข้อมูลเชิงลึก
ตัวเลือกภาษา: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2026 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข