ฟิลเตอร์
เกี่ยวกับ บรรจุภัณฑ์ทรานซิสเตอร์
นวัตกรรมเทคโนโลยี
ซัพพลายเชนที่เชื่อถือได้
ความสามารถในการผลิตอย่างครบวงจร
บรรจุภัณฑ์ทรานซิสเตอร์400+ โรงงานได้รับการตรวจสอบแล้ว
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
1/4
![1200 วี, 110 เอ, [Bc018sg12swsd], โมสเฟตพลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ชนิด N-Channel ที่มีประสิทธิภาพสูง](https://image.made-in-china.com/221f0j00jnzcDbYWCfry/1200-V-110-a-Bc018sg12swsd-High-Efficiency-N-Channel-Silicon-Carbide-Power-Mosfet.webp "1200 วี, 110 เอ, [Bc018sg12swsd], โมสเฟตพลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ชนิด N-Channel ที่มีประสิทธิภาพสูง")
![1200 วี, 69 เอ, [Bcz120n32W1], โมสเฟตพลังงานชนิดเอ็นที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ประสิทธิภาพสูง](https://image.made-in-china.com/221f0j00QsdcKWhlQwgJ/1200-V-69-a-Bcz120n32W1-High-Efficiency-N-Channel-Silicon-Carbide-Power-Mosfet.webp "1200 วี, 69 เอ, [Bcz120n32W1], โมสเฟตพลังงานชนิดเอ็นที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ประสิทธิภาพสูง")
![650 ว, 8 ก, [Bmt65n065UC1], โมเซฟต์พลังงานซุปเปอร์จังก์ชันประสิทธิภาพสูง](https://image.made-in-china.com/221f0j00RNgkIDYJgUrS/650-V-8-a-Bmt65n065UC1-High-Efficiency-Super-Junction-Power-Mosfet.webp "650 ว, 8 ก, [Bmt65n065UC1], โมเซฟต์พลังงานซุปเปอร์จังก์ชันประสิทธิภาพสูง")
![1200 วี, 22 เอ, [Bcl120n160W1], โมสเฟตพลังงานชนิดเอ็นช่องซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีประสิทธิภาพสูง](https://image.made-in-china.com/221f0j00PFrqDUGygRgN/1200-V-22-a-Bcl120n160W1-High-Efficiency-N-Channel-Silicon-Carbide-Power-Mosfet.webp "1200 วี, 22 เอ, [Bcl120n160W1], โมสเฟตพลังงานชนิดเอ็นช่องซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีประสิทธิภาพสูง")
1/1
1/4
1/4
1/4
1/4