หน้าหลักarrow-rightดัชนีโรงงานของจีนarrow-rightเป้าสำหรับการพ่นออกไซด์ โรงงานarrow-rightรายการของซัพพลายเออร์
ฟิลเตอร์
หมวดหมู่สินค้า
เพิ่มเติม
การรับรองระบบการจัดการ
เพิ่มเติม
ขีดความสามารถด้านวิจัยและพัฒนา
รายได้ประจำปี
เพิ่มเติม
จำนวนพนักงาน
จังหวัดและภูมิภาค
เพิ่มเติม
เกี่ยวกับ เป้าสำหรับการพ่นออกไซด์
  • นวัตกรรมเทคโนโลยี
  • ซัพพลายเชนที่เชื่อถือได้
  • ความสามารถในการผลิตอย่างครบวงจร

เป้าสำหรับการพ่นออกไซด์80+ โรงงานได้รับการตรวจสอบแล้ว

SUZHOU TECHNO-TEC PHOTOELECTRIC MATERIALS CO., LTD

ส่งแบบสอบถาม
In2O3+Cu เป้าหมายเซรามิกออกไซด์อินเดียม+ทองแดงสำหรับการพ่นเป้าหมายเซรามิกสำหรับ LCD/แผงสัมผัส

In2O3+Cu เป้าหมายเซรามิกออกไซด์อินเดียม+ทองแดงสำหรับการพ่นเป้าหมายเซรามิกสำหรับ LCD/แผงสัมผัส

US$40.00
1 กก.(MOQ)
SiO2 เป้าหมายเซรามิกที่มีการสปัตเตอร์ซิลิกอนออกไซด์สำหรับการเคลือบฟิล์ม PVD

SiO2 เป้าหมายเซรามิกที่มีการสปัตเตอร์ซิลิกอนออกไซด์สำหรับการเคลือบฟิล์ม PVD

US$25.00-100.00
1 กก.(MOQ)
เป้าหมายแลนทานัมเรเดียมออกไซด์เซรามิกสำหรับการเคลือบฟิล์มบางทางแสง

เป้าหมายแลนทานัมเรเดียมออกไซด์เซรามิกสำหรับการเคลือบฟิล์มบางทางแสง

US$140.00
1 กก.(MOQ)
เป้าหมายการสปัตเตอร์ของ TeSeO เทลลูไรด์ เซเลเนียม ออกไซด์ เซรามิก สำหรับเซมิคอนดักเตอร์

เป้าหมายการสปัตเตอร์ของ TeSeO เทลลูไรด์ เซเลเนียม ออกไซด์ เซรามิก สำหรับเซมิคอนดักเตอร์

US$500.00
1 กก.(MOQ)
1/4

Changsha Xinkang Advanced Materials Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
Hfo2 เป้าหมายวัสดุเซรามิกออกไซด์ฮาฟเนียมสำหรับการสปัตเตอร์แมกนีตรอน มีขนาดให้เลือกหลายขนาด

Hfo2 เป้าหมายวัสดุเซรามิกออกไซด์ฮาฟเนียมสำหรับการสปัตเตอร์แมกนีตรอน มีขนาดให้เลือกหลายขนาด

US$55.00-85.00
1 บางส่วน(MOQ)
99.99% เซรามิกออกไซด์บริสุทธิ์ของอิตเทรียมสำหรับ Y2o3 การใช้งานอิตเทรียม

99.99% เซรามิกออกไซด์บริสุทธิ์ของอิตเทรียมสำหรับ Y2o3 การใช้งานอิตเทรียม

US$55.00-85.00
1 บางส่วน(MOQ)
99.99% เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์โคบอลต์บริสุทธิ์กลมสำหรับการสปัตเตอร์

99.99% เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์โคบอลต์บริสุทธิ์กลมสำหรับการสปัตเตอร์

US$200.00-1,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
วัสดุผสมออกไซด์ทังสเตน Wo3 เป้าหมายการสปัตเตอร์สำหรับการเคลือบ PVD

วัสดุผสมออกไซด์ทังสเตน Wo3 เป้าหมายการสปัตเตอร์สำหรับการเคลือบ PVD

US$100.00-1,200.00
1 กก.(MOQ)
1/4

Lonwin Industry Group Limited

5.0
ส่งแบบสอบถาม
99.99 % ความบริสุทธิ์สูง Gd2o3 เป้าหมายเซรามิกออกไซด์แกโดลิเนียมสำหรับการสปัตเตอร์

99.99 % ความบริสุทธิ์สูง Gd2o3 เป้าหมายเซรามิกออกไซด์แกโดลิเนียมสำหรับการสปัตเตอร์

US$17.00-55.00
1 กก.(MOQ)
เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อินเดียมดีบุกบริสุทธิ์สูง 99.99% สำหรับการเคลือบ PVD

เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อินเดียมดีบุกบริสุทธิ์สูง 99.99% สำหรับการเคลือบ PVD

US$17.00-55.00
1 กก.(MOQ)
Zro2-Sio2 เป้าหมายเซรามิกซิลิคอนไดออกไซด์ซิลิเกตซิลิคอนออกไซด์ซิลิเกตเซรามิก

Zro2-Sio2 เป้าหมายเซรามิกซิลิคอนไดออกไซด์ซิลิเกตซิลิคอนออกไซด์ซิลิเกตเซรามิก

US$17.00-55.00
1 กก.(MOQ)
Cuo-In2o3 เป้าหมายเซรามิกออกไซด์ทองแดง - เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อินเดียม

Cuo-In2o3 เป้าหมายเซรามิกออกไซด์ทองแดง - เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อินเดียม

US$17.00-55.00
1 กก.(MOQ)
1/4

Inner Mongolia Rongtai Rhenium New Materials Co., Ltd.

5.0
ส่งแบบสอบถาม
เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์ของอิตเทรียมบริสุทธิ์สูงสำหรับการเคลือบ

เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์ของอิตเทรียมบริสุทธิ์สูงสำหรับการเคลือบ

US$115.00-130.00
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อิตเทอร์เบียมบริสุทธิ์สูงสำหรับการใช้งานในอิเล็กทรอนิกส์

เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อิตเทอร์เบียมบริสุทธิ์สูงสำหรับการใช้งานในอิเล็กทรอนิกส์

US$190.00-199.00
1 บางส่วน(MOQ)
ดิสก์เป้าหมายการสปัตเตอร์ที่ทำจากอิตเทรียม แบเรียม ทองแดงออกไซด์ระดับพรีเมียมสำหรับอิเล็กทรอนิกส์

ดิสก์เป้าหมายการสปัตเตอร์ที่ทำจากอิตเทรียม แบเรียม ทองแดงออกไซด์ระดับพรีเมียมสำหรับอิเล็กทรอนิกส์

US$190.00-199.00
1 บางส่วน(MOQ)
โลหะแลนทานัมบริสุทธิ์สูงสำหรับเทคโนโลยีการแสดงผล

โลหะแลนทานัมบริสุทธิ์สูงสำหรับเทคโนโลยีการแสดงผล

US$150.00-350.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Dongguan Gravel Industries and Enterprise Company Limited

ส่งแบบสอบถาม
เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อะลูมิเนียม Al2O3 เป้าหมาย

เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์อะลูมิเนียม Al2O3 เป้าหมาย

US$6,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายออกไซด์อิตเทรียม Y2o3 เป้าหมาย

เป้าหมายออกไซด์อิตเทรียม Y2o3 เป้าหมาย

US$6,500.00
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายออกไซด์อินเดียมดีบุกสำหรับการสปัตเตอร์ในสุญญากาศ เป้าหมาย PVD Creen

เป้าหมายออกไซด์อินเดียมดีบุกสำหรับการสปัตเตอร์ในสุญญากาศ เป้าหมาย PVD Creen

US$4,600.00
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายการสปัตเตอร์แมกนีเซียมออกไซด์ MGO2 เป้าหมาย

เป้าหมายการสปัตเตอร์แมกนีเซียมออกไซด์ MGO2 เป้าหมาย

US$6,500.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Ganzhou Zhanhai New Material Technology Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์ของอิตเทรียมระดับพรีเมียม 4n-5n สำหรับตัวเร่งปฏิกิริยา

เป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์ของอิตเทรียมระดับพรีเมียม 4n-5n สำหรับตัวเร่งปฏิกิริยา

US$50.00-70.00
1 กก.(MOQ)
ผงออกไซด์อิตเทรียมบริสุทธิ์สูงสำหรับการใช้งานเซรามิก Y2o3

ผงออกไซด์อิตเทรียมบริสุทธิ์สูงสำหรับการใช้งานเซรามิก Y2o3

US$50.00-70.00
1 กก.(MOQ)
ผงแร่หายากบริสุทธิ์สูง 99.995% Y2o3 เม็ดสำหรับเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิก

ผงแร่หายากบริสุทธิ์สูง 99.995% Y2o3 เม็ดสำหรับเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิก

US$50.00-65.00
25 กก.(MOQ)
99.999% แร่หายาก ออกไซด์ของอิตเทรียม Y2o3 หมายเลข CAS 1314-36-9, วัสดุผลิตภัณฑ์เซอร์โคเนียพรีเมียม

99.999% แร่หายาก ออกไซด์ของอิตเทรียม Y2o3 หมายเลข CAS 1314-36-9, วัสดุผลิตภัณฑ์เซอร์โคเนียพรีเมียม

US$50.00-65.00
25 กก.(MOQ)
1/4

Zhengzhou CY Scientific Instrument Co., Ltd.

13 ปี
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
การเคลือบฟิล์มบางโลหะและออกไซด์ด้วยการสปัตเตอร์ด้วยแมกนีตรอนแบบคู่เป้าหมาย DC RF

การเคลือบฟิล์มบางโลหะและออกไซด์ด้วยการสปัตเตอร์ด้วยแมกนีตรอนแบบคู่เป้าหมาย DC RF

US$21,000.00-26,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องเคลือบฟิล์ม PTFE ด้วยการสปัตเตอร์แมกนีตรอนแบบสามเป้าหมายแบบ DC

เครื่องเคลือบฟิล์ม PTFE ด้วยการสปัตเตอร์แมกนีตรอนแบบสามเป้าหมายแบบ DC

US$28,500.00-40,100.00
1 บางส่วน(MOQ)
3 เครื่องเคลือบด้วยแมกนีตรอนสปัตเตอร์ริ่งขนาดสามนิ้ว

3 เครื่องเคลือบด้วยแมกนีตรอนสปัตเตอร์ริ่งขนาดสามนิ้ว

US$28,500.00-40,100.00
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องเคลือบฟิล์มเซมิคอนดักเตอร์ด้วยการสปัตเตอร์แมกเนตรอนสามตัว

เครื่องเคลือบฟิล์มเซมิคอนดักเตอร์ด้วยการสปัตเตอร์แมกเนตรอนสามตัว

US$37,300.00-126,870.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Xiamen HiuGong Machinery Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
99.99% แผ่นเป้าหมายออกไซด์ของแกเลียม Ga2o3 เป้าหมาย

99.99% แผ่นเป้าหมายออกไซด์ของแกเลียม Ga2o3 เป้าหมาย

US$300.00
1 บางส่วน(MOQ)
อุปกรณ์เคลือบด้วยพลาสมาสเปรย์ ป้องกันการติดและทนทานต่อการสึกหรอ ซิลิกอน อลูมิเนียม อลูมินา เซอร์โคเนีย

อุปกรณ์เคลือบด้วยพลาสมาสเปรย์ ป้องกันการติดและทนทานต่อการสึกหรอ ซิลิกอน อลูมิเนียม อลูมินา เซอร์โคเนีย

US$35,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Junsion Precision Hardware Co., Ltd.

7 ปี
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
เป้าหมายการพ่นวัสดุไทเทเนียม อลูมิเนียม ทองแดง โครเมียม นิกเกิล ท่อแมกนีตรอน การเคลือบ PVD แบบหมุน

เป้าหมายการพ่นวัสดุไทเทเนียม อลูมิเนียม ทองแดง โครเมียม นิกเกิล ท่อแมกนีตรอน การเคลือบ PVD แบบหมุน

US$0.50-10.00
10 ชิ้น(MOQ)
1/4

Jiangxi CNP New Chemical Materials Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
ออกไซด์ดีบุก (SnO2) วัสดุระเหย เม็ด 1-10mm ความบริสุทธิ์ 99.99% เป้าหมายการสปัตเตอร์

ออกไซด์ดีบุก (SnO2) วัสดุระเหย เม็ด 1-10mm ความบริสุทธิ์ 99.99% เป้าหมายการสปัตเตอร์

US$200.00
1 กก.(MOQ)
1/4

Shenzhen Hongchen New Materials Co., Ltd

ส่งแบบสอบถาม
เป้าหมายของทองแดงแผ่นทองแดงโรงงานผลิตในเมืองกว่างตงแผ่นทองแดงแบบ Tin Oxide ITO SInputering

เป้าหมายของทองแดงแผ่นทองแดงโรงงานผลิตในเมืองกว่างตงแผ่นทองแดงแบบ Tin Oxide ITO SInputering

US$10.00-15.00
1 กก.(MOQ)
ปุ่มควบคุมชิ้นงานสีทองแดงแบบโรตารี่สำหรับตัวนำเคลือบโลหะเซมิคอนดักเตอร์

ปุ่มควบคุมชิ้นงานสีทองแดงแบบโรตารี่สำหรับตัวนำเคลือบโลหะเซมิคอนดักเตอร์

US$10.00-15.00
1 กก.(MOQ)
เป้าหมายการป้อนแผ่นทองแดง 99.95 % จากโรงงานในกวางตุ้ง ผู้ผลิต

เป้าหมายการป้อนแผ่นทองแดง 99.95 % จากโรงงานในกวางตุ้ง ผู้ผลิต

US$10.00-15.00
1 กก.(MOQ)
เคลือบ PVD โรงงานเคลือบ Cu Plate แผ่นทองแดงเป้าหมายสำหรับการป้อนข้อมูลด้วยมัลติอาร์ค Rotary Semiconductor

เคลือบ PVD โรงงานเคลือบ Cu Plate แผ่นทองแดงเป้าหมายสำหรับการป้อนข้อมูลด้วยมัลติอาร์ค Rotary Semiconductor

US$10.00-15.00
1 กก.(MOQ)

CHANGSHA EASCHEM CO., LIMITED

5 ปี
·บริษัทการค้า
ส่งแบบสอบถาม
ราคาจากโรงงาน ขายเป้าหมายการสปัตเตอร์ ITO หมุนเวียนคุณภาพสูง 4n In2o3 และ Sno2

ราคาจากโรงงาน ขายเป้าหมายการสปัตเตอร์ ITO หมุนเวียนคุณภาพสูง 4n In2o3 และ Sno2

ต่อรองได้
1 Piece(MOQ)
โลหะซามาเรียมแท่งเกรน หมายเลข CAS 7440-19-9 Sm 3n 4n

โลหะซามาเรียมแท่งเกรน หมายเลข CAS 7440-19-9 Sm 3n 4n

ต่อรองได้
1 Piece(MOQ)
เป้าหมายการสปัตเตอร์นีโอเบียมคุณภาพสูงที่มีหมายเลข CAS 7440-03-1

เป้าหมายการสปัตเตอร์นีโอเบียมคุณภาพสูงที่มีหมายเลข CAS 7440-03-1

ต่อรองได้
1 Piece(MOQ)
ราคาจำหน่ายโรงงาน เป้าหมาย ITO ความบริสุทธิ์สูง สำหรับ Rpd 4n

ราคาจำหน่ายโรงงาน เป้าหมาย ITO ความบริสุทธิ์สูง สำหรับ Rpd 4n

ต่อรองได้
1 Piece(MOQ)
1/4

Zhengzhou Tainuo Film Materials Co., Ltd.

9 ปี
·ผู้ผลิต/โรงงานผลิต
ส่งแบบสอบถาม
500W ดีซี 300W อาร์เอฟ ดูอัล ทาร์เก็ต แมกนีตรอน สปัตเตอร์ริ่ง โค้ตเตอร์ สำหรับการสปัตเตอร์โลหะและออกไซด์

500W ดีซี 300W อาร์เอฟ ดูอัล ทาร์เก็ต แมกนีตรอน สปัตเตอร์ริ่ง โค้ตเตอร์ สำหรับการสปัตเตอร์โลหะและออกไซด์

US$31,000.00-32,500.00
1 set(MOQ)
4-Inch เครื่องเคลือบฟิล์มออกไซด์ด้วยการสปัตเตอร์แบบแมกเนตรอนเป้าหมายเดี่ยว

4-Inch เครื่องเคลือบฟิล์มออกไซด์ด้วยการสปัตเตอร์แบบแมกเนตรอนเป้าหมายเดี่ยว

US$32,000.00-34,000.00
1 set(MOQ)
เซรามิก, ไดอิเล็กทริก, ออปติก, ออกไซด์, ฟิล์มแข็ง, ฟิล์ม PTFE เครื่องเคลือบด้วยการสปัตเตอร์แมกนีตรอนแบบดูอัลเป้าหมาย

เซรามิก, ไดอิเล็กทริก, ออปติก, ออกไซด์, ฟิล์มแข็ง, ฟิล์ม PTFE เครื่องเคลือบด้วยการสปัตเตอร์แมกนีตรอนแบบดูอัลเป้าหมาย

US$26,500.00
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องเคลือบฟิล์มเซมิคอนดักเตอร์ด้วยการสปัตเตอร์แบบแมกนีตรอน RF แบบสองเป้าหมายในสภาวะสุญญากาศ

เครื่องเคลือบฟิล์มเซมิคอนดักเตอร์ด้วยการสปัตเตอร์แบบแมกนีตรอน RF แบบสองเป้าหมายในสภาวะสุญญากาศ

US$26,500.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Shanghai Zenkaah New Materials Technology Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
วัสดุเป้าหมาย Ito (Indium Tin Oxide) หน้า Indium Tin Oxide Semiconductor Conductive Film แผ่นฟิล์ม Magnetoron SOutput ความแม่นยำของชิ้นงาน , ข้อมูลจำเพาะแบบกำหนดเอง

วัสดุเป้าหมาย Ito (Indium Tin Oxide) หน้า Indium Tin Oxide Semiconductor Conductive Film แผ่นฟิล์ม Magnetoron SOutput ความแม่นยำของชิ้นงาน , ข้อมูลจำเพาะแบบกำหนดเอง

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
สารเป้าหมาย Yterb2o3, Scientific Research Experience,Scotering ถูกเคลือบสารระเหย , การเคลือบสารระเหย , เซมิคอนดักเตอร์

สารเป้าหมาย Yterb2o3, Scientific Research Experience,Scotering ถูกเคลือบสารระเหย , การเคลือบสารระเหย , เซมิคอนดักเตอร์

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
วัสดุเป้าหมายสังกะสีออกไซด์ความบริสุทธิ์สูง (AZO) สังกะสีออกไซด์ , Zinc Oxide (ZnO) ที่ชุบอะลูมิเนียมออกไซด์ (Al2O3), ชิ้นงานแมกเนตรอนสปัตเตอริงออกไซด์และการเชื่อมแผ่นหลัง

วัสดุเป้าหมายสังกะสีออกไซด์ความบริสุทธิ์สูง (AZO) สังกะสีออกไซด์ , Zinc Oxide (ZnO) ที่ชุบอะลูมิเนียมออกไซด์ (Al2O3), ชิ้นงานแมกเนตรอนสปัตเตอริงออกไซด์และการเชื่อมแผ่นหลัง

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)

Ningbo Galaxy International Trading Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
ความต้านทานความร้อน ความแข็งแรงและความทนทาน เป้าหมายกลมไทเทเนียม

ความต้านทานความร้อน ความแข็งแรงและความทนทาน เป้าหมายกลมไทเทเนียม

US$10.00
5 ชิ้น(MOQ)
1/4

Jinan Hengcheng Aluminum Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
บล็อกอลูมิเนียมสำหรับการวิจัยในห้องปฏิบัติการ

บล็อกอลูมิเนียมสำหรับการวิจัยในห้องปฏิบัติการ

US$2,960.00
1 ตัน(MOQ)
1/4

Jiangyin Maideli Advanced Materials Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
Ybco Yb2cuba3o7 ytrium trium Copper Oxide Smilering Target

Ybco Yb2cuba3o7 ytrium trium Copper Oxide Smilering Target

US$250.00-500.00
1 บางส่วน(MOQ)

Tianjin Jilian Technology Co., Ltd.

3 ปี·5.0
·บริษัทการค้า
ส่งแบบสอบถาม
ผงเปลเลตเป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์แมกนีเซียม CAS1309-48-4

ผงเปลเลตเป้าหมายการสปัตเตอร์ออกไซด์แมกนีเซียม CAS1309-48-4

US$550.00-1,500.00
10 ตัน(MOQ)
1/4

Rheniumet Ltd.

17 ปี
·บริษัทการค้า
ส่งแบบสอบถาม
99.98%~99.998% อลูมิเนียม Al เป้าหมายสำหรับตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติก

99.98%~99.998% อลูมิเนียม Al เป้าหมายสำหรับตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติก

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
11 นิ้ว 99.999% เป้าหมายการสปัตเตอร์ของวูลฟราม, เส้นผ่าศูนย์กลาง 301.625 เป้าหมายวูลฟรามสำหรับการเคลือบด้วยการสปัตเตอร์

11 นิ้ว 99.999% เป้าหมายการสปัตเตอร์ของวูลฟราม, เส้นผ่าศูนย์กลาง 301.625 เป้าหมายวูลฟรามสำหรับการเคลือบด้วยการสปัตเตอร์

US$2,800.00-3,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
แทนทาลัมเป้าหมาย, เป้าหมายการสปัตเตอร์แทนทาลัม

แทนทาลัมเป้าหมาย, เป้าหมายการสปัตเตอร์แทนทาลัม

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
99.99% Wti20 เป้าสำหรับการสปัตเตอร์ติ้งทังสเตนไทเทเนียม

99.99% Wti20 เป้าสำหรับการสปัตเตอร์ติ้งทังสเตนไทเทเนียม

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Zhengzhou Shibo Nonferrous Metals Products Co., Ltd.

21 ปี·5.0
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
เป้าหมายโมลิบดีนัมสำหรับการเคลือบด้วยการสปัตเตอร์ในสุญญากาศ

เป้าหมายโมลิบดีนัมสำหรับการเคลือบด้วยการสปัตเตอร์ในสุญญากาศ

US$45.00
1 kg(MOQ)
W1 ASTM B760 และ GB 3875 แผ่นทังสเตน

W1 ASTM B760 และ GB 3875 แผ่นทังสเตน

US$40.00
1 บางส่วน(MOQ)
แผ่นทังสเตนบริสุทธิ์ แผ่นทังสเตนสำหรับเตาเผาวัสดุในสูญญากาศ

แผ่นทังสเตนบริสุทธิ์ แผ่นทังสเตนสำหรับเตาเผาวัสดุในสูญญากาศ

US$45.00
1 บางส่วน(MOQ)
แผ่นกลมโมลิบดีนัมที่มีประสบการณ์ 99.95%

แผ่นกลมโมลิบดีนัมที่มีประสบการณ์ 99.95%

US$30.00
1 kg(MOQ)
1/2

Fuzhou Nuoxin Advanced Material Co. Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
Sputtering Target ITO Indium Tin Oxide 4n 99.99% for Optical Coating

Sputtering Target ITO Indium Tin Oxide 4n 99.99% for Optical Coating

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
Gallium Oxide Sputtering Target Ga2o3 Purity 99.99% 4n

Gallium Oxide Sputtering Target Ga2o3 Purity 99.99% 4n

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
Yttrium Zirconium Oxide Ysz(Zro2/Y2o3 99.99% Sputtering Target Ceramic Target

Yttrium Zirconium Oxide Ysz(Zro2/Y2o3 99.99% Sputtering Target Ceramic Target

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
Ferrous Oxide Feo 4n Sputtering Target for PVD Coating

Ferrous Oxide Feo 4n Sputtering Target for PVD Coating

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)

UV Tech Material Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
ชิ้นงานแบบหมุน Tiox การประยุกต์ใช้งานส่วนใหญ่สำหรับการเคลือบแก้ว Low-E เป้าหมาย Magnetoron SInputstering ชิ้นงาน Titanium Oxide

ชิ้นงานแบบหมุน Tiox การประยุกต์ใช้งานส่วนใหญ่สำหรับการเคลือบแก้ว Low-E เป้าหมาย Magnetoron SInputstering ชิ้นงาน Titanium Oxide

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมาย ITO 99.99 % 97 3 95 : 5 90 Indium Tin Oxide Smพัตต์ สำหรับ Conductive Film ปี 10

เป้าหมาย ITO 99.99 % 97 3 95 : 5 90 Indium Tin Oxide Smพัตต์ สำหรับ Conductive Film ปี 10

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
แผ่นชิ้นงานแผ่นติด ITO แผ่นอินดี้ถาดออกไซด์เป้าหมายถาดใส่แผ่นเซรามิค 99.99 %

แผ่นชิ้นงานแผ่นติด ITO แผ่นอินดี้ถาดออกไซด์เป้าหมายถาดใส่แผ่นเซรามิค 99.99 %

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
Zro2 ใช้ในการเคลือบสุญญากาศ , หมุนชิ้นงาน Zrox, Zro2 สำหรับ Magnetoron Slastering , zirconium Oxide Target

Zro2 ใช้ในการเคลือบสุญญากาศ , หมุนชิ้นงาน Zrox, Zro2 สำหรับ Magnetoron Slastering , zirconium Oxide Target

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)

Xiamen Tmax Battery Equipments Limited

5.0
ส่งแบบสอบถาม
อุปกรณ์เคลือบฟิล์มหลายชั้นที่นำไฟฟ้าแบบการพ่นสปัตเตอร์ด้วยเป้าหมายคู่ RF&DC&MF

อุปกรณ์เคลือบฟิล์มหลายชั้นที่นำไฟฟ้าแบบการพ่นสปัตเตอร์ด้วยเป้าหมายคู่ RF&DC&MF

US$45,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
ระบบสปัตเตอร์แมกนีตรอนสูญญากาศสูงที่หลากหลายพร้อมเป้าหมายหลายตัวสำหรับการเคลือบฟิล์มหลายชั้นแบบผสม

ระบบสปัตเตอร์แมกนีตรอนสูญญากาศสูงที่หลากหลายพร้อมเป้าหมายหลายตัวสำหรับการเคลือบฟิล์มหลายชั้นแบบผสม

US$50,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องเคลือบฟิล์มบางด้วยการสปัตเตอร์แมกนีตรอนอัตโนมัติในห้องปฏิบัติการสำหรับโลหะ ออกไซด์ และเซมิคอนดักเตอร์ใน SEM วัสดุพลังงาน

เครื่องเคลือบฟิล์มบางด้วยการสปัตเตอร์แมกนีตรอนอัตโนมัติในห้องปฏิบัติการสำหรับโลหะ ออกไซด์ และเซมิคอนดักเตอร์ใน SEM วัสดุพลังงาน

US$50,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องเคลือบด้วยแม่เหล็กไฟฟ้าแบบเบนช์ท็อปสำหรับโลหะ ออกไซด์ เซรามิก และเซมิคอนดักเตอร์

เครื่องเคลือบด้วยแม่เหล็กไฟฟ้าแบบเบนช์ท็อปสำหรับโลหะ ออกไซด์ เซรามิก และเซมิคอนดักเตอร์

US$15,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

Ningbo Sen Ao Electronic Technology Co., Ltd

ส่งแบบสอบถาม
แผ่นชิ้นงาน Zro zirconium Oxide SmOutputering Zro 99.95 % เป้าหมายซีรีเนียมออกไซด์แบบพ่นน้ำ

แผ่นชิ้นงาน Zro zirconium Oxide SmOutputering Zro 99.95 % เป้าหมายซีรีเนียมออกไซด์แบบพ่นน้ำ

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
ZnO 99.95 % สำหรับการผลิตกระจกประหยัดพลังงานพลาส Smart แผ่นรองเป้าหมาย Glass zink Oxide ZnO

ZnO 99.95 % สำหรับการผลิตกระจกประหยัดพลังงานพลาส Smart แผ่นรองเป้าหมาย Glass zink Oxide ZnO

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
แผงควบคุมเป้าหมายแบบหมุน Nobium Oxide (Nium Oxide 99.99 % ประสิทธิภาพสูง ชิ้นงานสำหรับพัตต์แบบหมุนได้ที่ใช้วัสดุเคลือบผิว

แผงควบคุมเป้าหมายแบบหมุน Nobium Oxide (Nium Oxide 99.99 % ประสิทธิภาพสูง ชิ้นงานสำหรับพัตต์แบบหมุนได้ที่ใช้วัสดุเคลือบผิว

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องดูดฝุ่น PVD เป้าหมายแบบหมุนเคลือบไทเทเนียมออกไซด์ไทเทเนียม 99.9 % ชิ้นงานไทเทเนียมออกไซด์เคลือบไทเทเนียมเคลือบไทเทเนียม

เครื่องดูดฝุ่น PVD เป้าหมายแบบหมุนเคลือบไทเทเนียมออกไซด์ไทเทเนียม 99.9 % ชิ้นงานไทเทเนียมออกไซด์เคลือบไทเทเนียมเคลือบไทเทเนียม

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)

Beijing Loyaltarget Technology Co, Limited

ส่งแบบสอบถาม
ชิ้นงานอลูมิเนียมสังกะสีออกไซด์ของสะพัตต์แบบ Azo

ชิ้นงานอลูมิเนียมสังกะสีออกไซด์ของสะพัตต์แบบ Azo

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมาย Ito / อิน 2o3: Sn2=10wt%/ITO แผนภูมิแรงดันเป้าหมาย : 90

เป้าหมาย Ito / อิน 2o3: Sn2=10wt%/ITO แผนภูมิแรงดันเป้าหมาย : 90

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายการพัตต์เซรามิค B2O3

เป้าหมายการพัตต์เซรามิค B2O3

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายสำหรับการพัตต์เซรามิค All2O3

เป้าหมายสำหรับการพัตต์เซรามิค All2O3

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)

Enam Optoelectronic Material Co., Ltd

ส่งแบบสอบถาม
Indium Oxide Target, In2o3 Target

Indium Oxide Target, In2o3 Target

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายของพลาริการ์สเทอริง , ฟิล์มกระจก ITO, TTP/TTTTTD/TM/TV-LCD ITO

เป้าหมายของพลาริการ์สเทอริง , ฟิล์มกระจก ITO, TTP/TTTTTD/TM/TV-LCD ITO

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
Ito Target, LED / OLED / TP ITO Target, LED Semiconductor ITO Sassay

Ito Target, LED / OLED / TP ITO Target, LED Semiconductor ITO Sassay

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
ATO Target, IR Window Film ATO , Antimony Tin Oxide Target

ATO Target, IR Window Film ATO , Antimony Tin Oxide Target

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)

Able Target Limited

ส่งแบบสอบถาม
ชิ้นงานที่มีการสปัตเตอริง

ชิ้นงานที่มีการสปัตเตอริง

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
ชิ้นงานสปีปัตเตอริง , Al2O3/อะลูมิเนียม ออกไซด์ , Al2O3/ZnO/Azo Aluminium Oxide

ชิ้นงานสปีปัตเตอริง , Al2O3/อะลูมิเนียม ออกไซด์ , Al2O3/ZnO/Azo Aluminium Oxide

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายของ Gdbacuox Smubering และเป้าหมาย Ybacox Searering , Gdba1.8a3ox Gdba1.cuba1.9 cuba3OV, Yb2cu3o7, Y1b2cub2cu7 ยาบิกุ ฉox

เป้าหมายของ Gdbacuox Smubering และเป้าหมาย Ybacox Searering , Gdba1.8a3ox Gdba1.cuba1.9 cuba3OV, Yb2cu3o7, Y1b2cub2cu7 ยาบิกุ ฉox

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายสำหรับพัตต์ของโลกที่หายาก

เป้าหมายสำหรับพัตต์ของโลกที่หายาก

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)

Weihai Chenyu Vacuum Technology Co., Ltd

4 ปี
·ผู้ผลิต / โรงงานและบริษัทผู้ค้า
ส่งแบบสอบถาม
เครื่องเคลือบฟิล์มโปร่งใสที่มีผลผลิตสูงด้วยเป้าหมาย ITO เครื่องเคลือบอาร์

เครื่องเคลือบฟิล์มโปร่งใสที่มีผลผลิตสูงด้วยเป้าหมาย ITO เครื่องเคลือบอาร์

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องเคลือบด้วยอาร์กอนสำหรับการผลิตแบตช์ขนาดใหญ่ที่มีเป้าหมายแคโทดหลายตัว

เครื่องเคลือบด้วยอาร์กอนสำหรับการผลิตแบตช์ขนาดใหญ่ที่มีเป้าหมายแคโทดหลายตัว

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
เครื่องเคลือบสูญญากาศต่อเนื่องขั้นสูงพร้อมระบบแม่เหล็กอาร์

เครื่องเคลือบสูญญากาศต่อเนื่องขั้นสูงพร้อมระบบแม่เหล็กอาร์

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
สายการเคลือบอัตโนมัติสำหรับการผลิตจำนวนมากที่มีสถานีสิบหกสถานี เครื่องเคลือบอาร์

สายการเคลือบอัตโนมัติสำหรับการผลิตจำนวนมากที่มีสถานีสิบหกสถานี เครื่องเคลือบอาร์

ต่อรองได้
1 บางส่วน(MOQ)
1/4

China Leadmat Advanced Materials Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
Ceramic Sputtering Target

Ceramic Sputtering Target

US$45.00
1 บางส่วน(MOQ)
ชิ้นงานที่มีการสปัตเตอริง

ชิ้นงานที่มีการสปัตเตอริง

US$60.00
1 บางส่วน(MOQ)
เป้าหมายเทนเซอร์อะลูมิเนียม

เป้าหมายเทนเซอร์อะลูมิเนียม

US$15.00
1 บางส่วน(MOQ)

Xi'an Kefeng Powder Metallurgy Co., Ltd.

ส่งแบบสอบถาม
เคฟงฟอยล์ทังสเตนคุณภาพสูงที่มีความหนาตั้งแต่ 0.001inches (0.025mm) ถึง 0.08 นิ้ว (2 มม

เคฟงฟอยล์ทังสเตนคุณภาพสูงที่มีความหนาตั้งแต่ 0.001inches (0.025mm) ถึง 0.08 นิ้ว (2 มม

US$50.00-500.00
10 กก.(MOQ)
โลหะผสมโมลิบดีนัม ทีซียม ในอุตสาหกรรมการอบความร้อนเชิงพาณิชย์

โลหะผสมโมลิบดีนัม ทีซียม ในอุตสาหกรรมการอบความร้อนเชิงพาณิชย์

US$100.00-500.00
10 กก.(MOQ)
1/4
13
เกี่ยวกับเรา การประกาศ ข้อตกลงสำหรับผู้ใช้ นโยบายความเป็นส่วนตัว คอนแทคเตอร์ Made-in-China.com ผลิตภัณฑ์ด่วน ข้อมูลเชิงลึก
ตัวเลือกภาษา: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2026 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข