1n4007 M7 ไดโอด SMD 1A 1000V ไดโอดรีกติฟายเออร์ In4007 M7

• การปรับแต่ง: มีอยู่
• โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
• แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
• ไม่ใช่ ของรุ่น: 1N4007
• การรับรอง: RoHS, CE, ISO, CCC, SGS
• ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
• สี: สีแดง
• โครงสร้าง: การกระจายแสง
• วัสดุ: ซิลิคอน
• แพคเพจการขนส่ง: ทางทะเลการบรรจุหีบห่อ
• ข้อมูลจำเพาะ: Do-41
• เครื่องหมายการค้า: แบรนด์ zg
• ที่มา: Auhui Province, China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8541100000
• กำลังการผลิต: 500000000000

คำอธิบายสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์


พิกัดสูงสุดและลักษณะทางไฟฟ้า

อัตราที่อุณหภูมิแวดล้อม 25 º C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
หนึ่งเฟสครึ่งคลื่นความเร็ว 60Hz, โหลดความต้านทานหรืออินดักทีฟ สำหรับโหลดแบบเก็บประจุไฟฟ้าให้ลดกำลังลง 20 %
 

	สัญลักษณ์	1N 4001	1N 4002	1N 4003	1N 4004	1N 4005	1N 4006	1N 4007	หน่วย
แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับสูงสุดในช่วงพีคซ้ำสูงสุด	VRม ม	50	100	200	400	600	800	1000	โวลต์
แรงดันไฟฟ้า RMS สูงสุด	VRM	35	70	140	280	420	560	700	โวลต์
แรงดันไฟฟ้าบล็อค DC สูงสุด	VDC	50	100	200	400	600	800	1000	โวลต์
กระแสไฟที่ปรับแรงดันแบบเดินหน้าเฉลี่ยสูงสุด @TA== 75 º C	I(AV)	1.0							แอมป์
กระแสไฟกระชากสำหรับเดินหน้าสูงสุด 8.3ms แบบ Single Half Sine ซูเปอร์ที่กำหนดไว้กับโหลดสูงสุด ( วิธี JEDEC )	IFSM	30.0							แอมป์
แรงดันไฟฟ้าเดินหน้าสูงสุดที่ 1.0A	vf	1.1							โวลต์
กระแสไฟ DC ย้อนกลับสูงสุด TJ=25 º C ที่พิกัดแรงดันไฟฟ้าบล็อค DC TJ=100 º C	IR	5.0 50.0							μA
ค่าความจุกระแสไฟฟ้าในการรวมสายทั่วไป ( หมายเหตุ 1	CJ	15.0							PF
ความต้านทานความร้อนทั่วไป ( หมายเหตุ 2	RθJA	26.0							º C/W
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	TJ	-55ถึง +125							º C
ช่วงอุณหภูมิในการเก็บรักษา	STG	-55ถึง +125							º C

หมายเหตุ :

วัดที่ 1.0 MHz และใช้แรงดันไฟฟ้ากลับด้านที่ 1 0V DC
2 ข้อต่อความต้านทานความร้อนของสภาพแวดล้อม


 

ภาพที่มีรายละเอียด
 

DO 41

 คุณสมบัติ  


  





  1 ต้นทุนต่ำ

2 ทางแยกที่กระจาย

แรงดันไฟฟ้าเดินหน้า 3 ต่ำ

4 กระแสรั่วไหลขณะถอยหลังต่ำ

5 ความสามารถในการอ่านค่ากระแสไฟสูง

6 พลาสติกมีการจำแนก UL 0 V-25
 

ข้อมูลเชิงกล

 

1 ตัวอักษรพิมพ์ใหญ่ : JEDEC De-41 พลาสติกหล่อขึ้นรูป

2 ขั้ว : แถบสีแสดงถึงขั้วลบ

3 0.012 ออนซ์ , 0.34 กรัม

4 ตำแหน่งการติดตั้ง : ทุกรายการ


 

ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง








รายละเอียดแพ็คเกจ








บริษัทของเรา

บริษัท Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.   ก่อตั้งขึ้นในปี 2010 และครอบคลุมพื้นที่ 20000 ตารางเมตรซึ่งตั้งอยู่ใน จังหวัด Anhui ใกล้กับ Shanghai บริษัท ของเรามุ่งเน้นการพัฒนาและผลิตไดโอดเรคติฟายเออร์ , MOSFET , โคสตสกีไดโอด , ไดโอดเพื่อการฟื้นฟูที่รวดเร็ว  สะพานเรคติฟายเออร์ , ซิลิกอนเวเฟอร์ฯลฯภารกิจของเราคือการเป็นซัพพลายเออร์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีคุณค่าที่สุดอยู่ข้างๆคุณ ยินดีต้อนรับสู่การติดต่อเราเพื่อความสัมพันธ์ทางธุรกิจในอนาคตและความสำเร็จร่วมกัน



ใบรับรองของเรา



บริการของเรา

การมอบซีรี่ส์ไดโอดประสิทธิภาพสูงที่ดีที่สุดให้กับลูกค้าคือ ภารกิจอันศักดิ์สิทธิ์ของพนักงานทุกคน

เพื่อสร้างบริษัทให้เป็นซัพพลายเออร์เซมิคอนดักเตอร์ระดับโลก อุปกรณ์แยกต่างหาก

ให้ความสำคัญกับคนเป็นอันดับแรกกับลูกค้า