จีน ไอจีบีที ผู้ผลิต, Igbt, IGBT ซัพพลายเออร์

SiC Diode

ไดโอดช็อตกี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีประสิทธิภาพสูง 1200V, 30 a [Bcw120d30d2]

ราคา FOB: US$1.11 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

ไดโอดช็อตกี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูง, 1200V, 30A [Bca120s30d2]

ราคา FOB: US$1.05 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

ไดโอดชอตต์กี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ประสิทธิภาพสูง 1200V, 10A [Bcm120s20d2]

ราคา FOB: US$0.85 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

ไดโอดชอตต์กี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ประสิทธิภาพสูง 1200V, 10A [Bcb120s20d2]

ราคา FOB: US$0.85 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

ไดโอดชอตต์กี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ประสิทธิภาพสูง 1200V, 10A [Bcb120s10d2]

ราคา FOB: US$0.52 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

1200V 10A ไดโอดช็อตกี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ [Bca120s10d2], สำหรับประสิทธิภาพพลังงานสูง

ราคา FOB: US$0.65 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

650V 20A ไดโอดช็อตกี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ Bcn65s20d3, สำหรับประสิทธิภาพพลังงานสูง

ราคา FOB: US$0.55 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

ไดโอดชอตต์กี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ประสิทธิภาพสูง 1200V, 10A [Bch120s10d2]

ราคา FOB: US$0.42 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

SiC MOSFET

1200 วี, 22 เอ, [Bcl120n160W1], โมสเฟตพลังงานชนิดเอ็นช่องซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีประสิทธิภาพสูง

ราคา FOB: US$0.78 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

1200 วี, 69 เอ, [Bcz120n32W1], โมสเฟตพลังงานชนิดเอ็นที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ประสิทธิภาพสูง

ราคา FOB: US$2.87 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

ทรานซิสเตอร์พลังงาน โมสเฟต ซิลิคอนคาร์ไบด์ ประสิทธิภาพสูง ช่อง N, Bcw120n80m1

ราคา FOB: US$4.83 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

SJ MOSFET

650 ว, 8 ก, [Bmt65n065UC1], โมเซฟต์พลังงานซุปเปอร์จังก์ชันประสิทธิภาพสูง

ราคา FOB: US$1.05 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

650 วี, 8 เอ, [Bmd60n650UC1], โมสเฟตพลังงานซุปเปอร์จังก์ชันประสิทธิภาพสูง

ราคา FOB: US$0.55 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

600 วี, 20 เอ, 190 เอ็มโอเมก้า, [Bml60n120UC1], โมสเฟตพลังงานซูเปอร์จังก์ชันประสิทธิภาพสูงที่มีอีเอ็มไอต่ำและการสูญเสียการสลับต่ำ

ราคา FOB: US$0.55 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

600 วี, 20 เอ, 190 เอ็มโอเมก้า, [Bmf60n190c1], โมสเฟตซึ่งมีประสิทธิภาพสูงพร้อมกับการรบกวนแม่เหล็กไฟฟ้าต่ำและการสูญเสียการสลับต่ำ

ราคา FOB: US$0.35 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

Bmd60n600c1, 600V 8A เอสเจ โมสเฟตที่มีการสูญเสียการสลับต่ำและอีเอ็มไอต่ำ

ราคา FOB: US$0.13 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่งแบบสอบถาม

โปรไฟล์บริษัท

จองการทัวร์โรงงาน

	ประเภทของธุรกิจ:	บริษัทการค้า
	สินค้าหลัก:	‪ไอจีบีที‬
	ปีที่ก่อตั้ง:	2024-08-05
	ที่อยู่:	No. 1519, Xinghai South Road, Zhuangshi Street, Zhenhai District, Shenzhen, Guangdong, China

ข้อมูลที่ทำเครื่องหมายโดย ได้รับการยืนยันโดย SGS

บริษัทดำเนินกิจการภายใต้โมเดล Smart IDM ซึ่งมุ่งเน้นการออกแบบการพัฒนาอุปกรณ์การผลิตการขายและการบริการด้านการประยุกต์ใช้งานของชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานรุ่นใหม่ โดยมีความมุ่งมั่นที่จะนำเสนออุปกรณ์โมดูลและโซลูชันระดับบอร์ดที่มีความน่าเชื่อถือสูงในอุตสาหกรรมต่างๆเช่นรถที่ใช้พลังงานรุ่นใหม่กำลังการประมวลผลระบบเก็บข้อมูลพลังงานไฟฟ้าพลังงานลมและไดร์ฟสำหรับอุตสาหกรรม ผลิตภัณฑ์ของบริษัทประกอบด้วย MOSFET ชนิดสารกึ่งตัวนำ (SIC) รุ่นที่สามและโมดูลในช่วงแรงดันไฟฟ้าตั้งแต่ 600V ถึง 2000V, MOSFET ซึ่งใช้ซิลิคอน , ...

ดูทั้งหมด

ใบรับรอง

2 รายการ

Enterprise Certificate

Membership Certificate

ติดต่อผู้จำหน่ายรายนี้

*จาก:

*ถึง:

Miss Aria. Chu

*ข้อความ:

โปรดป้อนตัวอักษรระหว่าง 20 ถึง 4000 ตัว

นี่ไม่ใช่สิ่งที่คุณกำลังมองหาหรือ?  โพสต์คำขอการจัดซื้อตอนนี้

กลุ่มผลิตภัณฑ์

ติดต่อซัพพลายเออร์

Miss Aria. Chu

การจัดหาสินค้าอย่างมีประสิทธิภาพ

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

SiC Diode

SiC MOSFET

SJ MOSFET

โปรไฟล์บริษัท

ใบรับรอง

ติดต่อผู้จำหน่ายรายนี้

กลุ่มผลิตภัณฑ์

ติดต่อซัพพลายเออร์