ช่องสุญญากาศสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าบนฮีทซิงค์

• After-sales Service: Engineer Go Oversea for Training
• เงื่อนไข: ใหม่
• การรับรอง: ISO, CE
• การรับประกัน: 12 เดือน
• เกรดอัตโนมัติ: เซมิออโต้
• การติดตั้ง: แนวตั้ง
• ไม่ใช่ ของรุ่น: HV3
• สภาพแวดล้อมของกระบวนการ: ไนโตรเจนกรดฟอร์มิค
• พื้นที่บัดกรี: 260 x 240 มม
• ความสูงของห้อง: >=100 มม
• อุณหภูมิสูงสุด: 500 C
• สุญญากาศสูงสุด: 1x10-6 บาร์
• ชิ้นส่วนทำความร้อน: หลอดไฟทำความร้อนอินฟราเรด
• แรมป์สูงสุดสำหรับทำความร้อน: 120 รอบ / นาที
• ทางลาดลงต่ำสุดสูงสุด: 60 - 120 / นาที
• วิธีทำความเย็น: ไนโตรเจน / ระบายความร้อนด้วยน้ำ ( เปลือกหุ้มแผ่นทำความร้อน )
• แผ่นทำความร้อน: เคลือบกราไฟต์
• การควบคุมที่คลาดเคลื่อน: +/- 1 ° c
• แรงดันไฟฟ้า: 220V 25 A
• น้ำหนัก: 360 กก
• แพคเพจการขนส่ง: Polywood Case and Foam
• ข้อมูลจำเพาะ: 950*1200*1100mm
• เครื่องหมายการค้า: TORCH
• ที่มา: Beijing, China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8514101000
• กำลังการผลิต: 100 Set/Year

คำอธิบายสินค้า

ช่องแบบตะกั่วบัดกรีสุญญากาศสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าบนอ่างล้างความร้อน

รุ่น : HV3

แอปพลิเคชัน :

IGBT/DBC
 เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้า
เซ็นเซอร์
 อุปกรณ์ MEMS
 ดายไฮด์แนบ
  LED กำลังแรงสูง
 การประกอบแบบผสม
 ชิปฟลิป
 การซีลแพ็คเกจ

คุณสมบัติของเตาอบแบบใช้ตะกั่วบัดกรีสุญญากาศ :

อุณหภูมิการบัดกรี : อุณหภูมิการบัดกรีสูงสุดของ HV3 Vacuum eueteinized inized ถูกทำให้มีอุณหภูมิสูงขึ้น≥ 500 º C 1

2 องศาสุญญากาศ : จำกัดระดับสุญญากาศ≤ 10-6 สุญญากาศในการทำงาน PA: 10-4 PA

พื้นที่การเชื่อมที่มีประสิทธิภาพ : ≥ 260ม ม . * 3 มม

ความสูงของเตา : ≥ 4 มม . ปรับแต่งสำหรับความสูงพิเศษ

5 วิธีการให้ความร้อน : การให้ความร้อนอินฟราเรดที่ ด้านล่าง + การให้ความร้อนอินฟราเรดที่ด้านบน  แผ่นทำความร้อนใช้แพลตฟอร์มกราไฟท์ซิลิคอนคาร์ไบด์เซมิคอนดักเตอร์  การสลายตัวไม่ง่ายหลังจากใช้งานเป็นเวลานานและมีการนำความร้อนสูงทำให้อุณหภูมิพื้นผิวของแผ่นทำความร้อนสม่ำเสมอยิ่งขึ้น

6 ความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ : ภายในพื้นที่บัดกรีที่มีประสิทธิภาพ≤± 2 %

120 แรมป์ทำความร้อน : 7 º C / นาที

แรมป์ระบายความร้อน : 8 60-120 º C / นาที ( แรมป์ ของไม่มีโหลด , การระบายความร้อนอุณหภูมิจาก 100 º C)

9 เป็นไปตามข้อกำหนดของการบัดกรีสำหรับอุณหภูมิของวัสดุบัดกรี≤ 500 º C

ตัวอย่างเช่น In97Ag3, In52Sn48, A80Sn20, SAC305, Sn90Sb10, Sn63Pb37, Sn62Pb36Ag2 และการพรีฟอร์มอื่นๆ ( สามารถบัดกรีโดยไม่มีฟลักซ์ชนิดอาร์กติก ), ตะกั่วบัดกรีตะกั่วของส่วนประกอบต่างๆและการอบวัสดุที่มีอุณหภูมิต่ำกว่า 500 องศา
10 อัตราความเป็นโมฆะของการบัดกรี : หลังจากการตรวจสอบลูกค้าเป็นจำนวนมากเมื่อ HV3 Vacuum euetearized inspinspined ineration, สามารถ ควบคุมอัตราการยกเลิกได้ระหว่าง 3 - 0 %

 พารามิเตอร์ทางเทคนิคเตาหลอมสุญญากาศ :

 

รุ่น	HV3
ขนาดการบัดกรี	260 x 240 มม
ความสูงของเตาหลอม	100 มม . ( ไฟท้ายอื่นๆเป็นตัวเลือก )
อุณหภูมิสูงสุด	500 º C
สุญญากาศ	≤3Pa พร้อมปั๊มกลไก ,≤10 3Pa ที่มีโมเลกุล ปั๊ม
เพิ่มความร้อน	120 º C / นาที
ลดความร้อนที่แรมป์	60-120 º C / นาที
แรงดันไฟฟ้า	220V, 25 60A
กำลังไฟพิกัด	18 กิโลวัตต์
น้ำหนัก	360 กก
ขนาด	600 * 600 มม
น้ำหนัก	250KG
อัตราความร้อนสูงสุด	120 º C/min
อัตราการเย็นตัวสูงสุด	เฉพาะ  อุณหภูมิ 60 º C/min ที่ระบายความร้อน ด้วยน้ำ เท่านั้นอุณหภูมิ  พร้อมระบายความร้อนด้วยอากาศ + 120 º C/min
วิธีทำความเย็น	ระบายความร้อนด้วยอากาศ /  ระบายความร้อนด้วยน้ำ ( เปลือก , แผ่นทำความร้อน )

ผลการบัดกรี :


ข้อมูลบริษัท :