M471B5173dB0-YK0 หน่วยความจำ 4GB DDR3-1600MHz M471B5173dB0

• shape: SMD
• Conductive Type: Unipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• ผู้ผลิต: Samsung
• D/c: 17 ขึ้นไป
• ไม่ใช่ ของรุ่น: M471B5173DB0-YK0
• แพ็คเกจ: PCIe
• คุณภาพ: ต้นฉบับ 80 %~ 90 ใหม่
• ประเภท: CPU
• แพคเพจการขนส่ง: Box
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8542390000
• กำลังการผลิต: 1000000PCS

คำอธิบายสินค้า

คำอธิบาย

M471B5173DB0-YK0:  CPU

แพ็คเกจ : PCIe

จาก หมายเลขชิ้นส่วน : M471B5173DB0-YK0

จาก : Samsung
เอกสารข้อมูล :  ( ส่งอีเมล์หรือแชทหาเราสำหรับไฟล์ PDF)

สถานะ RoH:  

คุณภาพ : ต้นฉบับ 100 %

การรับประกัน : 180 วัน

โปรดทราบ :
เราจะทดสอบว่าสามารถทำงานได้ 100 เปอร์เซ็นต์ก่อนที่เราจะส่งไปให้ลูกค้าของเราขอบคุณ !

 

ผู้ผลิต	Samsung
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	M471B5173DB0-YK0
ประเภทหน่วยความจำ	SODIMM
ความจุ	4GB
พิน	204 ขา
ประเภทบัส	PC 12800
การแก้ไขข้อผิดพลาด	ไม่ใช่ ECC
รอบเวลา	1.25 แผ่น
CAS	CL11
อัตราการถ่ายโอนข้อมูล	1600MHz
Memory Clock	200 ล้านซ
อันดับ	อันดับที่ 1
แรงดันไฟฟ้า	1.35

 

DDR	DDR3	ประเภท DIMM	SODIMM
ความหนาแน่น	4GB	อันดับ x องค์กร	8 R x 1.9
ความเร็ว	1600 Mbps	แรงดันไฟฟ้า	1.5 / 1.35 V
จำนวนหมุด	204	องค์ประกอบคอมโพเนนต์	(512M x 8 นิ้ว ) x 8
สถานะผลิตภัณฑ์	EOL

 

ทำไมต้องเลือกเรา

• ตั้งอยู่ใน Shenzhen ศูนย์กลางตลาดอิเล็กทรอนิกส์ของประเทศจีน
• 100 % รับประกันคุณภาพของส่วนประกอบ : ของแท้
• มีสต็อกเพียงพอตามความต้องการเร่งด่วนของคุณ
• เพื่อนร่วมงานที่มีความเชี่ยวชาญช่วยคุณแก้ปัญหาเพื่อลดความเสี่ยงของคุณ ด้วยการผลิตแบบออนดีมานด์
• การจัดส่งที่รวดเร็วขึ้น : ส่วนประกอบในสต็อกสามารถจัดส่งได้ภายในวันเดียวกัน
• บริการตลอด 24 ชั่วโมง  

 

ประกาศ :

1. ภาพผลิตภัณฑ์ใช้สำหรับอ้างอิงเท่านั้น
2. คุณสามารถติดต่อพนักงานขายเพื่อสมัคร ในราคาที่ดีขึ้นได้
3.  สำหรับผลิตภัณฑ์เพิ่มเติมโปรดติดต่อทีมขายของเรา