ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว IRLML6402PBF : Single P-Channel 20 V 0.065 Ohm 8 NC HEXFET ® Power MOSFET - 3 Micro-401
จาก หมายเลขชิ้นส่วน : IRLML6402PBF
เอกสารข้อมูล : 
( ส่งอีเมล์หรือแชทหาเราสำหรับไฟล์ PDF)
สถานะ RoH:
คุณภาพ : ต้นฉบับ 100 %
การรับประกัน : หนึ่งปี
|
สถานะชิ้นส่วน
|
ใช้งานอยู่
|
|
ประเภท FET
|
P-Channel
|
|
เทคโนโลยี
|
MOSFET ( ออกไซด์โลหะ )
|
|
แรงดันระบายสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
|
20 V
|
|
กระแสไฟฟ้า - การระบายต่อเนื่อง (ID) @ 25 ° C
|
3.7 ก . (Ta)
|
|
แรงดันไฟฟ้าไดรฟ์ ( เปิด RDS สูงสุด , เปิด RDS ต่ำสุด )
|
2.5V, 4.5V
|
|
RDS เปิด ( สูงสุด ) @ Id, Vs
|
65mOhm @ 3.7A, 4.5V
|
|
Vgs(TH) ( สูงสุด ) @ Id
|
1.2V @ 250µA
|
|
ค่าธรรมเนียมเกต (Qg) ( สูงสุด ) @ Vgs
|
12 NC @ 5 V
|
|
Vs ( สูงสุด )
|
±12V
|
|
ความจุอินพุต (Ciss ( สูงสุด ) ที่ VdS
|
633 pF @ 10 V
|
|
คุณสมบัติ FET
|
-
|
|
การกระจายพลังงาน ( สูงสุด )
|
1.3 วัตต์ (Ta)
|
|
อุณหภูมิในการทำงาน
|
55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
|
|
ชนิดการติดตั้ง
|
ติดตั้งบนพื้นผิว
|
|
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
|
Micro3 ™ /SO-7 23
|
|
แพ็คเกจ / กล่อง
|
ถึง 236 -6 3 SC-e, SC-666 59 และ SO-37 23-3
|
|
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
|
IRLML6402
|
MOSFET แบบ P-Channel เหล่านี้จากเรคติฟายเออร์แบบสากลใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้ได้ค่าความต้านทานต่อซิลิคอนต่ำมาก ประโยชน์ที่ได้รับเมื่อผนวกกับความเร็วในการสลับที่รวดเร็วและการออกแบบอุปกรณ์ที่คงทนแข็งแรงซึ่ง HEXFET ® power MOSFET เป็นที่รู้จักกันดีจึงเป็นที่รู้จักกันดีสำหรับผู้ออกแบบที่มีอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สูงสำหรับใช้ในการจัดการแบตเตอรี่และโหลด มีลีดเฟรมขนาดใหญ่ที่เพิ่มความร้อนถูกนำมารวมอยู่ในแพ็คเกจ SO-T 23 มาตรฐานเพื่อผลิต HEXFET Power MOSFET พร้อมพื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม แพ็คเกจนี้เรียกว่า Micro3 ™เหมาะสำหรับการใช้งานที่มีพื้นที่พิมพ์บนแผงวงจรเป็นพรีเมี่ยม ตัวเครื่องขนาดเล็ก (<1.1 มม .) ของ Micro3 ช่วยให้สามารถใช้งานในสภาพแวดล้อมที่บางมากได้อย่างสะดวกเช่นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพาและการ์ด PCMCIA ความทนต่อความร้อนและการกระจายพลังงานเป็นสิ่งที่ดีที่สุด
ใบรับรอง
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์ของผลิตภัณฑ์
ทำไมต้องเลือกเรา
ประกาศ :
