ฝาครอบอิเล็กโทรดเซรามิค Niide (Ain) อะลูมิเนียม

• Application: Refractory, Structure Ceramic, Industrial Ceramic
• Type: Ceramic Plates
• ชื่อ: ไนไตรท์อะลูมิเนียม - เซรามิก
• ความหนาแน่น: 3.3 กรัม / ซม .3.
• การนำความร้อน: >180 วัตต์ / เมตร *k
• เพียวริตี: ไนไตรท์อะลูมิเนียม 99.7 %
• ไม่ใช่ ของรุ่น: Aluminum Nitride (AIN) ceramic
• เทคโนโลยี: ไนไตรท์อะลูมิเนียมอัดความร้อน
• คำสำคัญ: ไนไตรท์อะลูมิเนียม HP aln
• ความทนต่อการโค้งงอ: 350MPa
• โมดูลัสยืดหยุ่น: 320gpa
• สายนิรภัย: 8990hl
• สัมประสิทธิ์การขยายตัวเมื่อได้รับความร้อน: 4.4
• ค่าคงที่ dipelectric: 9
• การใช้งาน: การนำความร้อน
• ขนาดสูงสุด: od380*h50 มม
• ประสบการณ์ในการส่งออก: ไนไตรท์อะลูมิเนียม - เซรามิก
• ข้อดี: ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ไนไตรท์อะลูมิเนียม
• วัสดุ: ไนไตรท์อะลูมิเนียมอัล
• แพคเพจการขนส่ง: Air Freight Safety Packing
• ข้อมูลจำเพาะ: 365*345*50mm
• เครื่องหมายการค้า: PENSC aln aluminum nitride
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 6914900000
• กำลังการผลิต: 320000PCS Per Day

คำอธิบายสินค้า

 

โปรไฟล์บริษัท

บริษัทเซรามิกขั้นสูงแห่งประเทศซานตงเซรามิกจำกัดตั้งขึ้นตั้งแต่ปี 1997 โดยเน้นการวิจัยและ ผลิตวัสดุเซรามิค ALN อะลูมิเนียมไนไตรท์

 

เซรามิก HP AlN Cereista, Purity 99.5 %, ความนำความร้อน 140W/ (m*k) ถึง 210W/(m*k)
 

มีเตาหลอมสุญญากาศ 44 ชุดและอุปกรณ์ทดสอบที่เข้ากันจัดอันดับเป็นอันดับแรกของจีนในปริมาณผลผลิตคุณภาพและยอดขาย
อุปกรณ์ทำความร้อนเคลือบเซรามิก Nitride ชนิดอะลูมิเนียมอัดความร้อน 24304 - 00-5
แผ่นเซรามิคกดลงแบบร้อนเคลือบอะลูมิเนียมไนไตรท์อาร
ตัวจับยึดไฟฟ้าสถิตแบบเซรามิค Nitride aln ทางไฟฟ้าสถิตย์ทำจากอะลูมิเนียม
ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์เซมิคอนดักเตอร์เซรามิก Nitride อะลูมิเนียม
แผ่นทำความร้อนเซรามิคชนิดไนไตรท์อะลูมิเนียมอัดความร้อน
อะลูมิเนียมไนไตรเดอ (Ain) เซรามิค

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

 

ไนไตรท์อะลูมิเนียมแบบกดร้อน

- ความบริสุทธิ์สูง
- ฉนวนไฟฟ้า
- การนำความร้อนสูง
- วัสดุการจัดการความร้อนที่สำคัญ
- ลดอนุภาคกำเนิดไฟฟ้า
- ความต้านทานการกัดกร่อน / การกัดกร่อน
- คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุม

ความโก่งงอ	ความหนาแน่น	จุดหลอมเหลว	ความต้านทานของ RT	การใช้ไดอุปกรณ์ไฟฟ้า ค่าคงที่	การสูญเสียไดอิเล็กทริก	แรงดันไฟฟ้าชำรุดแบบไดอุปกรณ์ไฟฟ้า	ความทนต่อการโค้งงอ	โมดูลัสของวัยหนุ่ม
2.5 อุปกรณ์รับสัญญาณ	3.3 กรัม / ซม .3.	2053 º C	ø 1014Ω·ซม	8.8 MHz	5 MHz	>15 kv/mm	380MPa	340 กิโลปา
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวจากความร้อน	ความร้อนเฉพาะที่ RT	การขยายตัวจากความร้อน	การนำความร้อน	ได้อย่างมีพรับ
4.6 ( 10^- 6 ก .)	740J/( กก .K)	5 (^6 ถึง 10 / K)	140 วัตต์ / นาที *k	ปรับแต่ง

 

การใช้งานทั่วไป

 

- แผ่นปิดและอุปกรณ์ MRI ( การถ่ายภาพความต้านทานแม่เหล็ก )
- อุปกรณ์ตรวจจับกำลังสูงเครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบพลาสมาวิทยุทางทหาร
- ตัวจับยึดไฟฟ้าสถิตและแผ่นทำความร้อนสำหรับเซมิคอนดักเตอร์และเซมิคอนดักเตอร์ในตัว วงจร
-  วัสดุหน้าต่างอินฟราเรดและไมโครเวฟ

 

การบรรจุและการจัดส่ง

 

 

Kevin Wang เป็นคนที่เต็มใจจะทำให้สำเร็จด้วยผลประโยชน์ร่วมกัน ความร่วมมือกับของคุณ