ไธริสเตอร์กำลังสูงสำหรับการใช้งานอินเวอร์เตอร์และเครื่องสับ R1275CH20 2000V DRM

• Application: Inverter
• Batch Number: 2020+
• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Model: R1275CH20 2000V DRM
• Package: Ceramic Shell
• ไม่ใช่ ของรุ่น: R1275CH20
• Signal Processing: Gate Trigger
• Type: P-Type Semiconductor
• การส่งสินค้า: เทียนจิน
• การจัดส่ง: ทางทะเลทางอากาศ
• ของคุณ: จับคู่ qrr annd VT
• การใช้งาน: เซอร์วิส
• แบรนด์: เรือใบ
• แพคเพจการขนส่ง: Carton Box
• ข้อมูลจำเพาะ: 490*330*200 packing size
• เครื่องหมายการค้า: SAILTON/STI
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8541300000
• กำลังการผลิต: 150000 PCS/Year

คำอธิบายสินค้า

ไธริสเตอร์กำลังสูงสำหรับอินเวอร์เตอร์และเครื่องบดสับ R1275CH20 2000V DRM
 

Fast Switching Thyristor เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ปิดการทำงานอย่างรวดเร็วหรือเรียกว่า " ไทริสเตอร์อินเวอร์เตอร์ ", " ไธริสเตอร์ความเร็วสูง " ไทริสเตอร์การสลับอย่างรวดเร็วเป็นส่วนประกอบสำคัญต่อพลังงานของเตาเผาที่มีความสำคัญสูง

 

 

แคปซูล
หมายเลขชิ้นส่วน	ไอที (AV)	VDRM	ITSM	I2 t	VTO	RT	รับ	ลง	RthCH	F	เค้าร่าง
	T=55 º C	VRRM	50Hz TVJM	50Hz TVJM	TVJM	TVJM	TVJM
	ก	V	ก	103	V	MΩ	µs	º C/W	º C/W	กิโลนิวตัน
สูงสุด 1600V
K200/200 12-16	200	1200-1600	4000	80	1.60	1.50	16-25	0.085	0.02	6	T6
KK300/300 12-16	300	1200-1600	4300	92	1.50	1.40	16-25	0.045	0.01	9	T7
K400 12-16	400	1200-1600	8500	361	1.40	1.20	16-25	0.040	0.01	16	T9
สูงถึง 1800 โวลต์
KK500/51 12-18	500	1200-1800	6500	211	1.45	0.60	16-25	0.040	0.01	16	T9
KK600/800 12-18	600	1200-1800	10000	500	1.30	0.50	16-25	0.040	0.01	20	T9
KK800 12-18	800	1200-1800	12000	720	1.35	0.40	16-25	0.030	0.008	20	T10
KK1000/12-18	1000	1200-1800	14000	980	1.55	0.35	16-25	0.020	0.006	25	T11
KK1200/200 12-18	1200	1200-1800	16000	1280	1.50	0.30	16-35	0.018	0.006	32	T12
KK1500/500 12-18	1500	1200-1800	18000	1620	1.45	0.26	16-35	0.018	0.006	32	T12
KKS181/800 12-18	1800	1200-1800	19000	1805	1.42	0.25	16-35	0.013	0.005	45	T13
KK2000/20012-18	2000	1200-1800	23000	2645	1.45	0.20	25-40	0.012	0.005	50	T14
KK2500/1 12-18	2500	1200-1800	31000	4805	1.30	0.15	25-40	0.011	0.002	55	T15
สูงสุด 2200V
KK1200/200 20-22	1200	2000-2200	15000	1125	1.45	0.40	30-50	0.020	0.006	25	T11
KK1500/500 20-22	1500	2000-2200	16000	1280	1.50	0.32	30-50	0.018	0.006	32	T12
KKS181/800 20-22	1800	2000-2200	18000	1620	1.50	0.30	30-50	0.013	0.003	45	T13
KK2000/20020-22	2000	2000-2200	20000	2000	1.50	0.25	30-50	0.012	0.003	50	T14
KK2500/1 20-22	2500	2000-2200	30000	4500	1.30	0.20	30-50	0.011	0.002	55	T15
สูงสุด 3000V
KK1000/25-28	1000	2500-2800	10000	500	1.55	0.50	30-40	0.020	0.006	25	T11
KK1200/200 25-28	1200	2500-2800	12000	720	1.50	0.45	30-40	0.018	0.006	32	T12
KK1500/500 25-28	1500	2500-2800	15000	1125	1.50	0.32	30-40	0.018	0.006	32	T12

 

หมายเลขชิ้นส่วน	ไอที (AV)	VDRM	ITSM	I2 t	VTO	RT	รับ	ลง	RthCH	F	เค้าร่าง
	T=55 º C	VRRM	50Hz TVJM	50Hz TVJM	TVJM	TVJM	TVJM
	ก	V	ก	103	V	MΩ	µs	º C/W	º C/W	กิโลนิวตัน
KKS181/800 25-28	1800	2500-2800	18000	1620	1.50	0.32	30-40	0.013	0.005	45	T13
KK2000/20025-28	2000	2500-2800	20000	2000	1.48	0.25	30-40	0.012	0.005	50	T14
KK2500/1 25-28	2500	2500-2800	25000	3125	1.50	0.18	35-50	0.011	0.002	55	T15
K3002/300025-30	3000	2500-3000	35000	6125	1.32	0.15	70-85	0.007	0.002	70	T16
K4000 25-30	4000	2500-3000	45000	10125	1.30	0.13	100-115	0.006	0.001	90	T17
สูงสุด 3500V
KK3200/3200 35-45	3200	2500-3000	41000	8405	1.65	0.22	150-200	0.006	0.001	90	T17
หากต้องการ 35 มม . โปรดทราบรหัส H ขอบ       ส : 35 มม
แบบอสมมาตร
หมายเลขชิ้นส่วน	ไอที (AV)	VDRM	ITSM	I2 t	VTO	RT	รับ	ลง	RthCH	F	เค้าร่าง
	T=55 º C		50Hz TVJM	50Hz TVJM	TVJM	TVJM	TVJM
	ก	V	ก	103	V	MΩ	µs	º C/W	º C/W	กิโลนิวตัน
K1300	1300	2800	16000	1280	1.50	0.30	50	0.020	0.005	25	T11

ขนาดเค้าร่างของแคปซูล :