หน้าหลัก  ไดเร็กทอรีผลิตภัณฑ์  ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์  วงจรรวม

IBT Field Stop 1200V 200A IGBT Die

อ้างอิงราคา FOB:	US$0.1-0.3 / บางส่วน
คำสั่งซื้อขั้นต่ำ:	30 ชิ้น

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ	อ้างอิงราคา FOB
30 ชิ้น	US$0.1-0.3

ท่าเรือ:	Guangzhou, China
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T

ติดต่อตอนนี้

ค้นหารายการที่คล้ายกัน IBT Field Stop 1200V 200A IGBT Die

รายการที่คล้ายกัน

กำลังโหลด...





คุณอาจชอบมัน

กำลังโหลด...





คำอธิบายสินค้า

ข้อมูลบริษัท

ข้อมูลพื้นฐาน

ไม่ใช่ ของรุ่น

DG200T12K4_01_A

คำอธิบายสินค้า

หมายเหตุ : โปรดติดต่อเราเพื่อขอรับเอกสารข้อมูลที่ครบถ้วนและการสนับสนุนด้านเทคนิคระดับมืออาชีพ !

คุณสมบัติ
1200 ทำประตู VTACH และ โครงสร้างหยุดภาคสนาม
ความสามารถในการลัดวงจรสูง
การสูญเสียการสลับสัญญาณต่ำ
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก

แอปพลิเคชัน

อินเวอร์เตอร์โซลาร์เซลล์

แหล่งจ่ายไฟที่ไม่มีการหยุดชะงัก

เซอร์โวไดรฟ์

ตัวขับมอเตอร์

หมายเลขชิ้นส่วน	VCE	IC	ขนาดของไดย์
DG200T12K4_2003_A 01	1200 V	200A	12.08 มม . × 15.99 มม

พารามิเตอร์เชิงกล

ขนาดแรสเตอร์	12.08 × 15.99		มม .2
ขนาดของแป้นส่งสัญญาณแพ็ด	โปรดดู การดึงชิป
ขนาดแผ่นรองแพ็ด	0.81 × 1.23
พื้นที่ทั้งหมด	193.2
ความหนา	120		μm
ขนาดเวเฟอร์	200		มม
ชิปสูงสุดที่เป็นไปได้ ต่อเวเฟอร์	124
แผ่น โลหะ	ทั้งหมด	ความหนาของโลหะหนาม	5 μ m μm
โลหะด้านหลัง	อัลซิตินวาก	ความหนาของโลหะด้านหลัง	15KÅ
ถนนที่กำลังจะเข้าสู่เส้น	80 μ m μm

การจัดอันดับสูงสุด

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
แรงดันไฟฟ้าตัวปล่อยสัญญาณ Tvj=25 º C	CES	1200	V
กระแสไฟ DC Collector จำกัด ตาม Tvj max	IC	2001	ก
กระแสไฟสูงสุดซ้ำๆจำกัด โดยสูงสุดทา วj	ICM	600	ก
แรงดันไฟฟ้าสูงสุดตัวปล่อยสัญญาณเกต	VGES	±20	V
เวลาการทนต่อการลัดวงจร IGBT ของ IGBT	TSC	10	μs
อุณหภูมิข้อต่อสูงสุด	Tvj, สูงสุด	175	º C
อุณหภูมิข้อต่อขณะทำงาน	ทาวจห์	-40~150	º C

1 ขึ้น อยู่กับคุณสมบัติด้านความร้อน ของชุดประกอบ

คุณสมบัติของไฟฟ้าสถิต ( ทดสอบ บน เวเฟอร์ , Tvj =25 º C)

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	เงื่อนไข	คุ้มค่า			หน่วย
พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	เงื่อนไข	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย
ตัวปล่อยสัญญาณเสีย	CES	VGE=0V, IC=1 mA	1200	--	--	V
แรงดันไฟฟ้าตัวปล่อยสัญญาณแบบ Collector:	เซอร์ส	IC=200A, VGE=15V	1.45	1.65	1.85	V
แรงดันไฟฟ้าค่าขีดจำกัดตัวยิงประตู	VGE(TH)	IC=1mA, VCE=VGE	5.0	5.6	6.2	V
กระแสไฟตัวเก็บแรงดันไฟฟ้า Zero gate	CES	VCE=1200V,VGE=0V	--	--	4	μA
กระแสรั่วไหลของตัวยิงประตู	IGES	VGE=20V, VCE=0V	--	--	300	ไม่มี
ตัวต้านทานเกตในตัว	RG	\	3.6			Ω

ที่อยู่: Building 3, Yiyun Land Centre, No. 26 Guilan North Rd, Nanhai District, Foshan City, Guangzhou, Guangdong, China

ประเภทของธุรกิจ: ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้า, อื่นๆ

ขอบเขตธุรกิจ: ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

การรับรองของระบบการจัดการ: ISO 9001, ISO 14001

ผลิตภัณฑ์หลัก: ซิลิกอนเวเฟอร์ , วงจรรวม (IC) , อุปกรณ์แยก , CZ-HZ, Epi ซ . ซี , โซเซ , กา As และแซฟไฟร์วัสดุเป้าหมาย

แนะนำบริษัท: บริษัท PlubotSemi Co., Ltd ซึ่งเป็นซัพพลายเออร์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์และ IC ทั่วโลกตั้งอยู่ในเมือง Guangzhou มุ่งมั่นที่จะนำเสนอโซลูชันวัสดุเซมิคอนดักเตอร์บริการต่างๆสำหรับบริษัทเซมิคอนดักเตอร์และสถาบันวิจัยระดับโลกให้แก่ลูกค้า

ในฐานะบริษัทกึ่งบริษัทที่มีการรวมตัวกันเราร่วมมือกับโรงงานทั่วโลกมากมายเพื่อรับประกันผลิตภัณฑ์ที่มีการครอบคลุมในวงกว้างและโดดเด่น

เรารวดเร็วและแข่งขันได้

เรามีเวเฟอร์และส่วนประกอบส่วนใหญ่ของ FZ ซิลิกอนเวเฟอร์และถั่ว CZ ซิลิคอนเวเฟอร์และ ingots ซ . เวเฟอร์เหนือวัตถุเวเฟอร์ PVD วัสดุเป้าหมายโมโนริคริสตัลเนียมเวเฟอร์ , เวเฟอร์แซฟไฟร์ , เวเฟอร์คาร์ไบด์ซิลิโคน , แกลเลอรีเซ็นเซน , เม็ดสนในรูปฟอสฟอรัสไนไตรท์และวัสดุเซมิคอนดักเตอร์อื่นๆ

พนักงานที่มีประสบการณ์ของเรายินดีที่จะให้บริการที่ทันท่วงทีและน่าเชื่อถืออย่าลังเลที่จะติดต่อเรา

ความน่าเชื่อถือเป็นรากฐานสำคัญ ! คุณภาพชีวิต ! นวัตกรรมคือพลังขับเคลื่อน !

Once receive your question, the supplier will answer you as soon as possible.

ส่งข้อซักถามของคุณไปยังผู้ให้บริการนี้โดยตรง

* ของ:

ถึง:

*ข้อความ:

นี้ไม่ใช่สิ่งที่คุณตามหา? โพสต์คำขอการจัดซื้อตอนนี้

การค้นหาที่มาแรง

เพิ่มเติม

IBT Field Stop 1200V 200A IGBT Die

รายการที่คล้ายกัน

คุณอาจชอบมัน

คำอธิบายสินค้า

ข้อมูลบริษัท

ข้อมูลพื้นฐาน

คำอธิบายสินค้า

ส่งข้อซักถามของคุณไปยังผู้ให้บริการนี้โดยตรง

การค้นหาที่มาแรง

ซัพพลายเออร์และผู้ค้าส่งที่แนะนำ

หมวดหมู่ที่้เกี่ยวข้อง