ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว | คุณลักษณะผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
|---|---|
| ผู้ผลิต : | STMicroelectronics |
| ประเภทผลิตภัณฑ์ : | MOSFET |
| ROHS) | รายละเอียด |
| เทคโนโลยี : | SI |
| รูปแบบการติดตั้ง : | เจาะทะลุ |
| แพ็คเกจ / กล่อง : | ถึง 247-4 |
| ทรานซิสเตอร์โพลาริตี้ : | N-Channel |
| จำนวนช่อง : | 1 แชนเนล |
| VdS - แรงดันไฟฟ้าการแบ่งส่วนระบาย - ที่มา : | 650 V |
| ID - กระแสระบายต่อเนื่อง : | 54 A |
| RDS เปิด - ความต้านทานแหล่งดูดน้ำ : | 45 mOhms |
| Vgs - แรงดันไฟฟ้าที่ทางเข้าออก : | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ของต้นทาง - ทางเข้าออก : | 4.2 V |
| Qg - ค่าทางเข้าออก : | 80 NC |
| อุณหภูมิการใช้งานต่ำสุด : | - 55 C |
| อุณหภูมิการใช้งานสูงสุด : | + 150 C |
| PD - การกระจายพลังงาน : | 312 W |
| โหมดแชนเนล : | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| บรรจุภัณฑ์ : | ท่อ |
| แบรนด์ : | STMicroelectronics |
| การกำหนดค่า : | แบบเดี่ยว |
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง : | 4 ns |
| ประเภทผลิตภัณฑ์ : | MOSFET |
| เวลาขาขึ้น : | 10 ns |
| จำนวนบรรจุภัณฑ์จากโรงงาน : | 30 |
| ประเภทย่อย : | MOSFET |
| ชนิดทรานซิสเตอร์ : | 1 N-Channel |
| เวลาหน่วงก่อนปิดเครื่องทั่วไป : | 85 ns |
| เวลาดีเลย์เปิดเครื่องทั่วไป : | 28 ns |
| น้ำหนักต่อหน่วย : | 0.214466 ออนซ์ |
ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว 
