• เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V
  • เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V
  • เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V
  • เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V
  • เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V
  • เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V

เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V

การรับรอง: RoHS, CE, ISO, CCC
ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์
ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
โครงสร้าง: ระนาบ
โครงสร้างการห่อหุ้ม: SOT-23S
วัสดุ: ซิลิคอน

ติดต่อซัพพลายเออร์

ทัวร์เสมือนจริง 360°

สมาชิกไดมอนด์ อัตราจาก 2021

ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ

ผู้ผลิต/โรงงานผลิต
  • ภาพรวม
  • การรับรอง
ภาพรวม

ข้อมูลพื้นฐาน

ไม่ใช่ ของรุ่น
Silicongear-SG100N11V
คุณสมบัติ 1.
สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
คุณสมบัติ 2
มีความเสถียรและความเป็นระเบียบดีเยี่ยม
คุณสมบัติ 3.
มีการทดสอบหิมะถล่ม 100 เปอร์เซ็นต์
คุณสมบัติ 4.
ESD ไดโอดในตัว
แอปพลิเคชัน 1.
แหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์ (SMP)
แอปพลิเคชัน 2.
การแก้ไขปัจจัยพลังงาน (PFC)
โปรแกรม 3.
แหล่งจ่ายไฟ Uninterruptible (UP)
โปรแกรม 4.
ตัวแปลง AC เป็น DC
แอปพลิเคชัน 5.
โทรคมนาคม
โปรแกรม 6.
เปิด / ปิดทีวีและเปิดไฟ LED
แพคเพจการขนส่ง
Plastic Package
ข้อมูลจำเพาะ
Customized
เครื่องหมายการค้า
Silicongear
ที่มา
Guangdong, China
กำลังการผลิต
10000 Pieces/Day

คำอธิบายสินค้า

เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V
SG100N11V ใช้เทคโนโลยีและการออกแบบร่องที่ทันสมัยเพื่อให้ RDS (RON) ที่มีค่าธรรมเนียมประตูน้อย อุปกรณ์นี้เหมาะสำหรับใช้ใน PWM การสลับโหลดและการใช้งานอเนกประสงค์

VDSS 100V  
RDS (RON) , 250mΩ ( สูงสุด ) @ VGS=10V
RDS (RON) , 290mΩ ( สูงสุด ) @ VGS=4.5V
รหัส 1.6A

คุณสมบัติ :
•ความต้านทานขณะ ON ต่ำ
•ความสามารถในการ รับอินพุตต่ำ
•ชาร์จมิลเลอร์ต่ำ
•การรั่วไหลของอินพุต / เอาต์พุตต่ำ


การประยุกต์ใช้ งาน :
•แบตเตอรี่ลิเธียมไอออนรอง
•สวิตช์โหลด
•ตัวแปลง DC-DC และ UPS แบบออฟไลน์

 

แพ็คเกจ

SO-23S

ขั้ว

n

ตั้งค่า

แบบเดี่ยว

ESD(Y/N)

ไม่

VdS(V)

100

VGS(+/-)

±20

VGS( TH)_( ขั้นต่ำ V)

1.2

VGs(th)_(by.V)

1.8

VGS(th)_( สูงสุด .v)

2.5

RDS (Ron)@VGS=10V ( ทั่วไป MΩ )

250 ( ปี 300 )

RDS ( เปิด )@VGS=4.5V ( ปกติ MΩ )

260 ( ปี 310 )

RDS (Ron)@VGS=2.5 V ( ทั่วไป MΩ )

-

RDS (Ron)@VGS=1.8V ( ทั่วไป MΩ )

-

ID@TC=0 25 ° C(A)

-

ID@TC=0 70 ° C(A)

-

ID@TC=0 100 ° C(A)

-

ID@TA=0 25 ° C(A)

1.4

ID@TA=0 70 ° C(A)

1.1

เซส (20 pF)

497

โคส (20 pF)

28.4

ซีอาร์เอส pF)

16

Qg@VGS=4.5V (NC)

-

Qg@VGS=10V(NC)

9.5

Qg(NC)

1.5

Qgd(NC)

1.6

 

100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
 

 

100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
โปรไฟล์บริษัท
ตงกวนมารีอิเล็กทรอนิกส์จำกัด
ก่อตั้งขึ้นในปี 2013 ในฐานะซัพพลายเออร์ระดับมืออาชีพด้านการขายอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์และบริการด้านเทคนิค
ทีมบริหารหลักมีภูมิหลังทางอุตสาหกรรมมานานหลายปีและมักจะดึงดูดให้ผู้ที่มีความสามารถโดดเด่นเข้าร่วมและมีกลไกการพัฒนาความสามารถอย่างสมบูรณ์เพื่อให้มั่นใจว่าจะสามารถแข่งขันได้ดีขึ้นอย่างต่อเนื่อง
สายผลิตภัณฑ์หลักของบริษัทได้แก่ :
1 การเรียงใหม่ ; การฟื้นฟูที่รวดเร็วมาก ; Schottky ; Zener Diod; Bridge recover;
2 แรงดันไฟฟ้าต่ำ MOM; ซุปเปอร์จังก์ชัน MOS
3 ไดโอด SIC; SIC MOSFET
สายผลิตภัณฑ์ของ Meirui จะช่วยให้คุณได้รับโซลูชั่นประสิทธิภาพที่โดดเด่นและมีนวัตกรรมสูงซึ่งครอบคลุมถึงแหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์ (SMPS) การประมวลผลการควบคุมมอเตอร์และการขับเคลื่อนอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคโซลูชันระบบแสงยานยนต์และการใช้งานอื่นๆ พื้นที่ส่วนใหญ่ในประเทศ
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V



เครือข่ายการขายและบริการ
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
1 เราเป็น ผู้ผลิตชิ้นส่วนแม่เหล็กระดับมืออาชีพที่มีประสบการณ์กว่า 10 ปีใน การออกแบบและการส่งออก

2 การควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวดการตรวจสอบ QC แบบเข้มงวด : ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดต้องได้รับการตรวจสอบอย่างเข้มงวด 100 เปอร์เซ็นต์ก่อนการจัดส่ง

3 มีบริการ OEM/ODM

4 เรามีระบบการสั่งซื้ออิสระซึ่งมีหน้าที่ตรวจสอบโดยรวมตั้งแต่การจัดซื้อวัตถุดิบไปจนถึงการส่งออกสินค้าสำเร็จรูป

การรับรอง

การรับรอง

100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V
100V N-Channel Power advanced Trench technology MOSFET Lithium-Ion Secondary Batteries Low On-Resistance SOT-23S Silicongear-SG100N11V

คุณภาพที่เหนือกว่าราคาที่น่าสนใจและบริการที่ดีเยี่ยม ของเรา เรามีชื่อเสียงเป็นอย่างมากและยังคงความร่วมมือที่ไว้วางใจได้กับบริษัทที่มีคุณค่าทั่วโลก ขอแสดงความนับถือเราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้ร่วมงานกับคุณเราจะได้แน่ใจว่าคุณภักดีกับเรา

คำถามที่พบบ่อย

คำถาม 1: คุณมีบริการใด

เรานำเสนอโซลูชันแบบเบ็ดเสร็จซึ่งรวมถึง RD, การผลิต PCB, SMT, การทดสอบและการบริการเพิ่มมูลค่าอื่นๆ

 

Q2: ผลิตภัณฑ์หลักของบริการ PCB/MPCBA ของคุณคืออะไร

บริการ PCB / PCBA ของเราส่วนใหญ่ใช้สำหรับอุตสาหกรรมต่างๆได้แก่การแพทย์ , ยานยนต์ , พลังงาน , การวัดแสง / การวัดแสง , อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค

 

Q3: เราสามารถตรวจสอบคุณภาพในระหว่างการผลิตได้หรือไม่

ใช่เราเปิดกว้างและโปร่งใสในกระบวนการผลิตแต่ละกระบวนการโดยไม่มีอะไรซ่อนอยู่ เรายินดีต้อนรับลูกค้าให้ตรวจสอบกระบวนการผลิตของเราและเช็คอินที่บ้าน

 

Q4:4 เราจะแน่ใจได้อย่างไรว่าข้อมูลของเราจะไม่ปล่อยให้บุคคลที่สามเห็นการออกแบบของเรา

เรายินดีที่จะลงนามใน NDA ผลโดยลูกค้าที่อยู่ข้างกฎหมายท้องถิ่นและสัญญาว่าจะรักษาข้อมูลของลูกค้าให้อยู่ในระดับความลับสูง

 

คำถามที่ 5: ไฟล์ใดที่ต้องใช้ในการขอใบเสนอราคาจากคุณ

สำหรับใบเสนอราคา PCB โปรดระบุข้อมูล / ไฟล์ของ Giber และการระบุข้อกำหนดทางเทคนิคที่เกี่ยวข้องรวมถึงข้อกำหนดพิเศษหากคุณมี

สำหรับใบเสนอราคา PCBA โปรดระบุข้อมูล / ไฟล์ Giber และ BOM ( Bill of Material) และหากคุณต้องการให้เราทำการทดสอบฟังก์ชันโปรดระบุคำแนะนำ / ขั้นตอนการทดสอบด้วย

 

คำถามที่ 6: เงื่อนไขการจัดส่งมาตรฐานคืออะไร

เงื่อนไขการจัดส่ง EXW, FCA, FOB, DDU เป็นต้นทั้งหมดมีในการเสนอราคาแต่ละรายการ

 

Q7: ใช้เวลานานเท่าใดสำหรับการเสนอราคา PCB

โดยปกติจะใช้เวลา 12 ชั่วโมงถึง 48 ชั่วโมงทันทีที่วิศวกรภายในได้รับการยืนยันการประเมินผล

 

Q8: คุณมีข้อกำหนดปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ (MONQ) หรือไม่

ไม่เราไม่มีข้อกำหนด MOQ เราสามารถสนับสนุนโครงการของคุณได้ตั้งแต่การผลิตต้นแบบไปจนถึงการผลิตจำนวนมาก

ส่งข้อซักถามของคุณไปยังผู้ให้บริการนี้โดยตรง

*ของ:
*ถึง:
*ข้อความ:

โปรดป้อนตัวอักษรระหว่าง 20 ถึง 4000 ตัว

นี้ไม่ใช่สิ่งที่คุณตามหา? โพสต์คำขอการจัดซื้อตอนนี้

หาสินค้าที่ใกล้เคียงตามหมวดหมู่

หน้าแรกของซัพพลายเออร์ สินค้า เรคติฟายเออร์แบบสะพาน เทคโนโลยีร่องนำไฟฟ้าขั้นสูง 100V N-Channel MOSFET ลิเธียมไอออนรอง ทนทานต่อความทนทานต่ออุณหภูมิขณะทำงาน -23S Siliconge-SG100N11V

สิ่งที่คุณอาจจะชอบ

กลุ่มผลิตภัณฑ์

ติดต่อซัพพลายเออร์

ทัวร์เสมือนจริง 360°

สมาชิกไดมอนด์ อัตราจาก 2021

ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ

ผู้ผลิต/โรงงานผลิต
ประเภทของกรรมสิทธิ์
บริษัท จำกัด