nWe Fqp11n60 ถึง 220 11n60 11A600V ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนาม

• การรับรอง: RoHS
• ได้อย่างมีพรับ: แช่
• ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: /
• วิธีการระบายความร้อน: /
• ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์, ทรานซิสเตอร์
• ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
• ไม่ใช่ ของรุ่น: FQP11N60
• โครงสร้าง: /
• ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
• วัสดุ: ซิลิคอน
• ชื่อแบรนด์: ต้นฉบับ
• หมายเลขผลิตภัณฑ์: fqp11n60
• คำอธิบาย: กำลังส่ง MOSFET แบบ N-channel
• ส่งสินค้าโดย: dhm\up\FEDEX\FEDEPOS\EMS\HKH\HK โพสต์
• ประเภท: ทรานซิสเตอร์ - feats, MOSFET
• เทคโนโลยี: MOSFET ( ออกไซด์โลหะ )
• ประเภท FET: N-channel
• ชนิดการติดตั้ง: เจาะทะลุ
• แพคเพจการขนส่ง: Tube
• เครื่องหมายการค้า: /
• ที่มา: จีน
• กำลังการผลิต: 10000

คำอธิบายสินค้า

ตัวป้องกันผลิตภัณฑ์




โปรไฟล์บริษัท


 




บรรจุภัณฑ์ของผลิตภัณฑ์

คำถามที่พบบ่อย

1 คุณคือใคร ?
เราเป็นผู้ผลิตชิปคุณภาพสูงของประเทศจีนซึ่งประกอบด้วย IC, ทรานซิสเตอร์ , ตัวต้านทาน , คาปาซิเตอร์ ,
หน่วยความจำ ,IGBT, MOSFET โดยภาพ (STRAic/SCR, ออปโตอิเล็กทรอนิกส์เกือบทุกองค์ประกอบของอิเล็กทรอนิกส์ในการผลิตของเรา

2 คุณขายชิ้นส่วนเดิมด้วยหรือไม่
ใช่เรายังจัดหาวัสดุต้นฉบับให้กับเราทั้งหมด ชิปที่ออกแบบมาให้ใช้ชิปแบบดั้งเดิมดังนั้นเราจึงต้องใช้ชิปแบบเดิม
ร่วมมือกับแผนกออกแบบและพัฒนาดั้งเดิมที่เรามีแหล่งดั้งเดิมที่ดี

3 ข้อได้เปรียบของคุณคืออะไร
ผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงของเราในราคาที่เหมาะสมสามารถทดแทนชิ้นส่วนเดิมได้ทั้งหมด

4 คุณสามารถให้บริการ OEM ได้หรือไม่
ได้เราสามารถติดต่อเราได้ถ้าคุณมีโครงการและคำขอ plz ติดต่อเรา

5 ฉันสามารถซื้อส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ IM ได้จากคุณหรือไม่
แน่นอนใช่ตั้งแต่การเสนอราคารายการ BOM จนถึงการส่งถึงผู้รับปลายทาง Express service เรามี
การขายแบบมืออาชีพเพื่อติดต่อกับคุณตลอดเวลา