Fqpf4n60 ตัวต้านทานคุณภาพเดิม To220 4n60

• การรับรอง: RoHS
• ได้อย่างมีพรับ: DIP
• โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
• ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
• วัสดุ: ซิลิคอน
• ผลิตภัณฑ์: MOSFET
• ไม่ใช่ ของรุ่น: FQPF4N60
• ราคา: โปรดติดต่อของเรา
• การกระจายพลังงาน ( สูงสุด ): 36 วัตต์ (TC)
• ประเภท FET: N-channel
• ขั้วทรานซิสเตอร์: N-channel
• บรรจุภัณฑ์: ท่อ
• เทคโนโลยี FET: เซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์โลหะ
• หมายเลขผลิตภัณฑ์: Fqpf4n60
• คำอธิบายโดยละเอียด: N-channel 600v 2.6a (TC) 36W (TC) ผ่านรู
• ระบายไปยังแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งกำเนิด (vdss): 600 โวลต์
• แพคเพจการขนส่ง: Roll
• ข้อมูลจำเพาะ: standard
• เครื่องหมายการค้า: CHN
• ที่มา: China

คำอธิบายสินค้า

FQPF4N60 Original Quality ทรานซิสเตอร์ TO220 4N60

• ค่าธรรมเนียมประตูน้อย ( ปกติ 15 NC)
• ซีอาร์เอส Low CRs ( ปกติ 8.0 pF)
• สลับการใช้งานได้อย่างรวดเร็ว
 ทดสอบหิมะถล่ม• 100 %