ทรานซิสเตอร์คอนทราอิเล็กทรอนิกส์ MOSFET N-CH 600V Ips60r041c6

• Certification: RoHS
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Installation: SMD Triode
• Working Frequency: High Frequency
• Power Level: High Power
• Function: Darlington Tube, Power Triode, Switching Triode
• ไม่ใช่ ของรุ่น: IPW60R041C6
• Structure: Alloy
• Material: Silicon
• ประเภทผลิตภัณฑ์: MOSFET
• หมายเลขผลิตภัณฑ์: ipw60r041c6
• แรงดันไฟแสดงการชำรุด DS - นาที: 600 V
• การกำหนดค่า: แบบเดี่ยวพร้อมไดโอดในตัว
• เทคโนโลยี FET: เซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์โลหะ
• การกระจายพลังงานสูงสุด ( หน้าท้อง ): 481 W
• ประเภทย่อย: กำลังไฟเพื่อการใช้งานทั่วไปของ FET
• ชนิดโพลาริตี้ / ช่อง: N-channel
• กระแสการระบายสูงสุด ( หน้าท้อง ) (ID): 77.5 A
• แพคเพจการขนส่ง: Tube
• ข้อมูลจำเพาะ: Plastic and copper
• เครื่องหมายการค้า: CHN
• ที่มา: Chn

คำอธิบายสินค้า

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์



 

 

ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง



 ประเภทแพ็คเกจ




ฟิลด์แอปพลิเคชัน



ข้อมูลบริษัท


เรียกร้องความสนใจจากเรา

คำถามที่พบบ่อย

1 คุณคือใคร ?
เราเป็นผู้ผลิตชิปคุณภาพสูงของประเทศจีนซึ่งประกอบด้วย IC, ทรานซิสเตอร์ , ตัวต้านทาน ,
คาปาซิเตอร์ , หน่วยความจำ , IGBT, MOSFET โดยภาพจะถูกนำไปใช้ /SCR, ออปโตอิเล็กทรอนิกส์เกือบทั้งหมด
ของระบบอิเล็กทรอนิกส์ในการผลิตของเรา

2 คุณขายชิ้นส่วนเดิมด้วยหรือไม่
ใช่เรายังจัดหาวัสดุต้นฉบับให้กับเราทั้งหมด ชิปที่ออกแบบมาใช้พื้นฐาน
ต้นฉบับดังนั้นเราจึงร่วมมือกับการออกแบบดั้งเดิมบางอย่าง และการพัฒนา
แผนกที่เรามีแหล่งดั้งเดิมที่ดี

3 ข้อได้เปรียบของคุณคืออะไร
ผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงของเราในราคาที่สมเหตุสมผลสามารถทดแทนได้อย่างสมบูรณ์ เครื่อง
ส่วนประกอบเดิม

4 คุณสามารถให้บริการ OEM ได้หรือไม่
ได้เราสามารถติดต่อเราได้ถ้าคุณมีโครงการและคำขอ plz ติดต่อเรา

5 ฉันสามารถซื้อส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ IM ได้จากคุณหรือไม่
แน่นอนว่าใช่จากการเสนอราคารายการ BOM จนถึงการบริการด่วนแบบถึงที่
เรามีฝ่ายขายมืออาชีพที่จะติดต่อกับคุณตลอดเวลา