ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว เซลล์ TOPCON ชนิด N ยึดตามซิลิกอนเวเฟอร์ที่เจือบนผลึก N-ided
เซลล์ที่ใช้แรงดันไฟฟ้าจะมีโครงสร้างเลเยอร์แตกต่างกันไปจนเป็นเซลล์ P ที่มีประจุบวกและเซลล์ N ที่มีประจุลบ เมื่อใช้เซลล์ชนิด P ชั้นฐานจะถูกวัดด้วย bornon ซึ่งมีอิเล็กตรอนน้อยกว่าซิลิคอนหนึ่งตัว ซึ่งจะสร้างรูอิเล็กตรอนและจะเป็นการเตรียมตัวของชั้นวางประจุบวก ในเซลล์ชนิด N ชั้นฐานจะถูกลดปริมาณด้วยฟอสฟอรัส นี่คืออิเล็กตรอนหนึ่งตัวมากกว่าซิลิคอนเสียอีก การโพนนี้จะสร้างอิเล็กตรอนที่ไม่มีการไหลของสาร
ประสิทธิภาพที่สูงกว่าของเซลล์ประเภท N นั้นเกิดจากอิเล็กตรอนที่ไม่มีประจุเหล่านี้ และยังมีส่วนรับผิดชอบในการสูญเสียพลังงานที่ต่ำมากและป้องกันปัญหาต่างๆเช่น PID และฝาปิด
| รุ่นของแผงพลังงานแสงอาทิตย์ | GSM570M10, 144HC | GSM575M10, 144HC | GSM580M10, 144HC | GSM585M10, 144HC | GSM590M10, 144HC |
| กำลังสูงสุดวัตต์ - สูงสุด (WP)* | 570W | 575W | 580W | 585 วัตต์ | 590W |
| แรงดันไฟฟ้าสูงสุด -Vmpp(V) | 42.07 | 42.22 | 42.37 | 42.52 | 42.67 |
| กระแสไฟฟ้าสูงสุด - อิมพาป (A) | 13.55 | 13.62 | 13.69 | 13.76 | 13.83 |
| แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (VOC) | 50.74 | 50.88 | 51.02 | 51.16 | 51.30 |
| กระแสลัดวงจร -ISC-(A) | 14.31 | 14.39 | 14.47 | 14.55 | 14.63 |
| ประสิทธิภาพของโมดูล (%) | 22.06 | 22.25 | 22.44 | 22.64 | 22.84 |
| ความคลาดเคลื่อนของเอาต์พุตกำลัง - Pmax) | 0 ~ +5 | ||||
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของ Pmax | 0.3 %/ º C | ||||
| การปรับค่าอุณหภูมิของ VOC | 0.25 %/ º C | ||||
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของ ISC | 0.046 %/ º C | ||||
| STC | กำลังส่งประกาย 1000W วัตต์ / ตารางเมตรอุณหภูมิเซลล์ 25 Air Mass AM1.5 | ||||
18*185.1*35 มม ./ 1134 KG 2279
31 ชิ้น / แพลเล็ต 620 ชิ้น / 40HC
ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว 
