25A/1200V E63 โมดูล IGBT เปลี่ยน Infineon Fp25r12kt3

• Manufacturing Technology: Integrated Circuits Device
• Material: Compound Semiconductor
• Type: Intrinsic Semiconductor
• Package: MCM
• Signal Processing: Digital
• Application: Inverter
• ไม่ใช่ ของรุ่น: WGL25P120E63
• Model: Wgl25p120e63
• Batch Number: 2021+
• Brand: Cetc
• วัสดุสำคัญ: IGBT+Sic SBD
• แพคเพจการขนส่ง: Carton
• ข้อมูลจำเพาะ: L07.5*W42mm
• ที่มา: Cn
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8504409190

คำอธิบายสินค้า

รูปภาพผลิตภัณฑ์ :


พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์ :
 

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	เงื่อนไข	คุ้มค่า	หน่วย
ตัวปล่อยแรงดันไฟ	CES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25 º C	1200	V
กระแสไฟสะสมต่อเนื่อง	IC	TTC=80 º C, Tvjmax=175 º C	25	ก
กระแสไฟตัวเก็บค่าสูงสุด	ICRM	TTP= 1 มิลลิวินาที	50	ก
แรงดันไฟฟ้าตัวปล่อยสัญญาณประตู	VGES	Tvj=25 º C	±20	V
การกระจายพลังงานรวม ( ตัวแปลง IGBT)	Ptt	T=25 º C Tvjmax=175 º C	166	W

คุณสมบัติ

• ความเหนี่ยวนำไฟฟ้าต่ำ
• การสูญเสียพลังงานจากการสวิตช์ต่ำ
• เซนเซอร์วัดอุณหภูมิ NTC แบบรวม
• มีฐานแยกต่างหาก
• VCE(Sat หรือ VCE) ต่ำพร้อมเทคโนโลยีของ Planner
• VCE(Sat ) พร้อมสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก
• รวมถึงเดินหน้าแบบเร็วและนุ่มนวลเพื่อป้องกันการกลับสู่การทำงานแบบขนาน
• ประสิทธิภาพการลัดวงจรสูง (10 ชิ้น )
• โครงสร้างโมดูลความเหนี่ยวนำต่ำ
• อุณหภูมิรวมสายสูงสุด 175 º C

ประโยชน์ที่ได้รับ

• กระแสเอาต์พุตของอินเวอร์เตอร์ที่สูงขึ้นสำหรับขนาดเฟรมเดียวกัน
• ลดค่าใช้จ่ายของระบบโดยลดความซับซ้อนของระบบอินเวอร์เตอร์
• ประกอบง่ายและเชื่อถือได้มากที่สุด
• ความน่าเชื่อถือในการเชื่อมต่อระหว่างกันสูง
• เหมาะสำหรับกระบวนการอัดและบัดกรี

แอปพลิเคชัน

• พาหนะเพื่อการพาณิชย์การก่อสร้างและเกษตรกรรม (CAV)
• การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์
• โซลูชันสำหรับระบบพลังงานแสงอาทิตย์
• เครื่องจ่ายไฟสำรองแบบต่อเนื่อง (UPS)
• เครื่องเชื่อมซอฟต์สวิตช์
• เซอร์โวแอมพลิฟายเออร์ชนิด AC และ DC

โมดูล IGBT เป็นหนึ่งในแพ็คเกจ IBT ที่ได้รับความนิยมมากที่สุดทั่วโลกและใช้ในแอปพลิเคชันต่างๆมากมายเช่นไดรฟ์สำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป , ยานพาหนะเพื่อการพาณิชย์ , งานก่อสร้างและเกษตรกรรมและ eBUS ; พลังงานแสงอาทิตย์ ; ลม ; แรงฉุดลาก ; UPS และสุดท้าย การส่งและการกระจาย ในรุ่นล่าสุดนี้การเพิ่มกระแสไฟฟ้าของโมดูลเป็น 70 A สามารถทำได้ด้วยเทคโนโลยี IGBT7 ใหม่ซึ่งช่วยเพิ่มความหนาแน่นของพลังงานและลดต้นทุน BOM

แผนผังวงจร


การวาดแพ็คเกจ



 ผลิตภัณฑ์ E53 ซีรี่ส์ :
 

รุ่น	หน่วย Vc( โวลต์ )	IC:(T=4)(A) 80	VCE(Sat ) TJ=125 º C	EON+EOF(TJ=15)( ปี 125 )	รูทเจค (kW)
WGL10P65E63	650	10	1.85	0.52	1.43
WGL15P65E63	650	15	1.85	0.68	1.24
WGL25P65E63	650	25	1.85	1.12	0.95
WGL35P65E63	650	35	1.85	1.63	0.67
WGL40P65E63	650	40	1.85	3.15	0.59
WGL10P120E63	1200	10	1.85	1.52	1.14
WGL15P120E63	1200	15	1.85	2.57	0.87
WGL25P120E63	1200	25	1.85	4.56	0.66
WGL40P120E63	1200	40	1.85	7.41	0.40
WGL35F120E63	1200	35	1.85	6.27	0.42
WGL50F120E63	1200	50	1.85	10.45	0.39
WGL70F120E63	1200	70	1.85	14.62	0.33

คำถามที่พบบ่อย :

1 เหตุใดจึงกำหนด IGBT สำหรับการโอเวอร์โหลด º C

CETC IGBT ได้รับการพัฒนาขึ้นเพื่อการทำงานที่อุณหภูมิต่อเนื่อง 175 ° C ขีดจำกัดโอเวอร์โหลดจะมาจากแพ็คเกจ การประยุกต์ใช้งานส่วนใหญ่ออกแบบมาให้มีโปรไฟล์การใช้งานที่มีการโอเวอร์โหลดและ IGBT เหมาะสมที่สุด CETC IGBT ทำให้เกิดการสูญเสียไฟฟ้าสถิตน้อยที่สุด


2 วิธีการรับมือกับค่าธรรมเนียมประตูสูงที่กำหนดไว้สำหรับแผ่นข้อมูล IGBT

ค่าเกตที่กำหนดในแผ่นข้อมูลใช้สำหรับการทำงานกับ VGE ที่ ± 20 V ลูกค้าส่วนใหญ่ใช้ VGE ในช่วง +5.4 V ถึง +7 V ค่าเกตจะต่ำกว่ามากและค่านี้ความถี่ในการสลับทั่วไปจะสามารถกำหนดได้กับไดรฟ์มาตรฐาน

3 การสนับสนุนด้านเทคนิค

เพื่อให้เราสามารถดำเนินการสอบถามของคุณได้อย่างมีประสิทธิภาพมากที่สุดและมั่นใจได้ว่ากรณีของคุณได้รับการรายงานอย่างถูกต้องเราขอให้คุณส่งคำร้องขอของคุณผ่านทีมบริการของเรา