Type: | Position Sensor |
---|---|
Principle: | Photoelectric |
Wires: | NPN (Three-Wires) |
Standard: | Standard |
Application: | Detecting Hidden Dangers |
Certification: | ISO, RoHS, CE |
ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์ป้องกันแสงอินฟราเรด F-C 24VDC 5 มม
(3) 1 พรอกซิมิ ตี้เซนเซอร์ รุ่น 1000 ขึ้นไป
(3) 2 ไฟเบอร์ แอมพลิฟายเออร์ และ ออปติกเซนเซอร์ รุ่น 3000 ขึ้นไป
โ 3 ฟโตอิเล็ก ทริคเซนเซอร์ รุ่น 500 ขึ้นไป
(3) 4 สวิตช์แม่เหล็ก รุ่น 100 ขึ้นไป
(3) 5 เซนเซอร์แบบ LABLE รุ่น 40 ขึ้นไป
รายการ | ตารางข้อมูลจำเพาะ |
ชนิดตรวจจับ | ( ชนิด Groove) ผ่าน การสะท้อนแสง |
การตรวจจับขั้นต่ำ | วัตถุทึบแสง Φ2 .0x0 .8 มม |
ชิ้นงานมาตรฐาน | วัตถุทึบแสง Φ2.0x0 .8 มม . ขึ้น ไป |
การปรับค่าความไวเป็นศูนย์ | ไม่ |
แหล่งกำเนิดแสง | แสง อินฟราเรด 940nm |
Hysteresis | มีระยะการสแกนน้อยกว่า 2 เปอร์เซ็นต์ |
แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน | 5 ~±VDC 10 อิมพัลส์ (P-P) 10 % |
การสิ้นเปลืองกระแสไฟ | <20 mA |
กระแสโหลด | 100mA |
กระแสรั่วไหล | <0.01mA ไม่ มีโหลด |
แรงดันตกค้าง | < 1.5VDC ( กระแสโหลด 50mA, สายไฟ 2M ) |
อัตราการทำซ้ำ | มีระยะการสแกนน้อยกว่า 1 เปอร์เซ็นต์ |
ความถี่ตอบสนอง | 1 กิโลเฮิรตซ์ |
การป้องกันการกลับขั้ว | ใช่ |
การป้องกันการลัดวงจร | ใช่ |
ชนิดเอาต์พุต | NPN NO/ NPN .NC PNP NO/ PNP NC |
เวลาตอบสนอง | 0 .5ms |
ความต้านทานของฉนวน | 20MΩ ( ระหว่างส่วนการชาร์จและโครงสร้างภายนอก ) |
กำลังต้านทานของฉนวน | 50 VDC ~60Hz ระยะเวลา 1 นาที ( ระหว่าง ส่วนการชาร์จ และ ภายนอก ฝาครอบ ) |
อุณหภูมิแวดล้อม | 10 º C ( ไม่ กลั่นตัวเป็นหยดน้ำ ) |
ความชื้นแวดล้อม | ความชื้นสัมพัทธ์ 35 85 % |
แสงรอบข้าง | แสงอาทิตย์ :3,000LX , แสง :2,000LX |
อุณหภูมิในการเก็บรักษา | 20 º ~60 º C ( เมื่อ ใช้การกลั่นตัวเป็นหยดน้ำ หรือการกลั่น ตัวเป็นหยดน้ำ ) |
ความชื้นในการเก็บรักษา | ความ ชื้นสัมพัทธ์ 95 ถึง 35 % ของ HR |
ระดับการป้องกัน | IP65 |
การเชื่อมต่อ | Φ2 8x2M/85-02- สาย Φ2 .8 สาย 4 มม . พร้อม คอนเนคเตอร์ M8 |
วัสดุ | PBT, PC |
น้ำหนัก | ประมาณ : 27 ก ./ 27 ก ./ 30 ก ./ 35 ก ./ 38 ก ./43 ก |
ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ