เซมิคอนดักเตอร์ 2N7002-SO-6 MOSFET 23 N-Channel Enhancement Mode Field ทรานซิสเตอร์

• โครงสร้างการห่อหุ้ม: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
• แอปพลิเคชัน: Battery operated systems
• การรับรอง: RoHS, CE, ISO, CCC
• Device marking code: MBR4045PT
• เวลาส่งมอบ: 6~8weeks
• Average Rectified Output Current: 40a
• ไม่ใช่ ของรุ่น: 2N7002 SOT-23
• แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับสูงสุดซ้ำๆ: 45 โวลต์
• Surge(Non-repetitive)Forward Current: 300a
• อุณหภูมิในการเก็บรักษา: -55 ~ +150
• อุณหภูมิข้อต่อ: -55 ~ +150
• เกรด: อุตสาหกรรม
• พิมพ์: n
• VDSS (V): 60
• ID (A): 0.34
• PD (W): 0.35
• แพคเพจการขนส่ง: 3000PCS
• เครื่องหมายการค้า: YANGJIE
• ที่มา: Made in China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8542329000

คำอธิบายสินค้า

MOSFET
หมายเลขชิ้นส่วน : 2N7002 SO-232 23 F2

ยอมรับตัวอย่างคำขอ ( ใช้เวลาส่งประมาณ 2 สัปดาห์ )

เวลาจัดส่ง : 6 สัปดาห์  


ข้อมูลสรุปผลิตภัณฑ์
- VDS 60V
- ID 340mA
- RDS(on)( ที่ VGS=10V) <2.5 โอห์ม
- RDS(on)( ที่ VGS=4.5V) <3.0 โอห์ม


คำอธิบายทั่วไป
- เทคโนโลยี MOSEV MV
- สวิตช์สัญญาณขนาดเล็กควบคุมแรงดันไฟฟ้า
 - ความสามารถในการรับอินพุตต่ำ
- การสลับความเร็วแบบเร็ว
- การรั่วไหลของอินพุต / เอาต์พุตต่ำ
 

แอปพลิเคชัน
- ระบบที่ใช้แบตเตอรี่
- รีเลย์แบบโซลิดสเตท
- อินเตอร์เฟซระดับลอจิกโดยตรง :TTL-CMOS

เอกสารข้อมูล