| การปรับแต่ง: | มีอยู่ |
|---|---|
| ประเภทการนำไฟฟ้าได้: | วงจรรวมไอซียูโนโพลาร์ |
| การผสานรวม: | LSI |
|
ยังตัดสินใจไม่ได้ใช่ไหม รับตัวอย่าง $ !
ขอตัวอย่าง
|
ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว ตรวจสอบโดยหน่วยงานตรวจสอบบุคคลที่สามที่เป็นอิสระ
* คำอธิบายทั่วไป
SVF2N65F/N/MMC/D เป็นทรานซิสเตอร์แบบ ช่องสัญญาณในโหมดเพิ่มประสิทธิภาพระบบ N MOs Field Effect ที่ผลิตโดยใช้โครงสร้าง Silan F-CellTM ที่เป็นเอกสิทธิ์ของเทคโนโลยี VDMOS
เซลล์แถบแนวระนาบที่ได้รับการปรับปรุงและแผงขั้วต่อแหวนป้องกันที่ได้รับการปรับปรุงใหม่ได้รับการปรับแต่งเป็นพิเศษเพื่อลดความต้านทานขณะทำงานให้ประสิทธิภาพการสลับที่เหนือกว่าและทนต่อพัลส์พลังงานสูงในโหมดหิมะถล่มและโหมดเพิ่มความเร็วรอบคละ
อุปกรณ์เหล่านี้ใช้กันอย่างแพร่หลายในผู้จัดหาพลังงาน AC-DC, ตัวแปลง DC-DC และตัวขับมอเตอร์ H-Bridge PWM
* ฟีเจอร์
| 1 | 22,650V, RDS(ON) ( ไม่มีสัญญาณ )=4@VGS=10V 4.3 |
| 2 | ซีอาร์เอสย่อมา |
| 3 | สลับการใช้งานได้รวดเร็ว |
| 4 | ปรับปรุงความสามารถในการทำงานของ DV/DT |
