Miss Sebrinna Huang
ที่อยู่:
2f-3, No. 32, Taiyuan Street, Hsinchu County, Taiwan(China)
โทรศัพท์:
รหัสไปรษณีย์:
แฟกซ์:
| โปรด ลงชื่อเข้าใช้ เพื่อดูรายละเอียดการติดต่อ |
ลงทะเบียนบัญชีผู้ใช้กับ :
2012
ขอบเขตธุรกิจ:
ผลิตภัณฑ์คอมพิวเตอร์, อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เพื่อการบริโภค, เครื่องจักรการผลิตและแปรรูป, ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
การรับรองของระบบการจัดการ:
ISO 9001, ISO 14001
ประเภทของธุรกิจ:
ผู้ผลิต/โรงงานผลิต
แนะนำบริษัท
กำลังการผลิต
CITC มีส่วนประกอบสารกึ่งตัวนำที่ลึกซึ้งและเทคโนโลยีกระบวนการผลิตและประสบการณ์จากสิทธิบัตรที่เกี่ยวข้องกว่า 400 รายการ เทคโนโลยีโครงสร้าง Schottky Dig Diode ที่ใช้พลังงานสูงได้รับรางวัลผู้ผลิต BIR ที่ยอดเยี่ยมจาก Department of Industrial Technology, OEA, ไต้หวัน
เทคโนโลยีกระบวนการของ CITC มีความโดดเด่นในการนำกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์มาใช้เพื่อทำลายข้อจำกัดทางกายภาพโดยองค์ประกอบ Schottky ...
เทคโนโลยีกระบวนการของ CITC มีความโดดเด่นในการนำกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์มาใช้เพื่อทำลายข้อจำกัดทางกายภาพโดยองค์ประกอบ Schottky ...
CITC มีส่วนประกอบสารกึ่งตัวนำที่ลึกซึ้งและเทคโนโลยีกระบวนการผลิตและประสบการณ์จากสิทธิบัตรที่เกี่ยวข้องกว่า 400 รายการ เทคโนโลยีโครงสร้าง Schottky Dig Diode ที่ใช้พลังงานสูงได้รับรางวัลผู้ผลิต BIR ที่ยอดเยี่ยมจาก Department of Industrial Technology, OEA, ไต้หวัน
เทคโนโลยีกระบวนการของ CITC มีความโดดเด่นในการนำกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์มาใช้เพื่อทำลายข้อจำกัดทางกายภาพโดยองค์ประกอบ Schottky ไดโอดแบบเดิมสำหรับ VF พร้อมกันที่มีอัตราการรั่วไหลต่ำและแรงดันไฟฟ้าที่ชำรุดสูง
นอกจากผลิตภัณฑ์ไดโอด Schottky แบบมาตรฐานแล้ว ITC ยังสามารถให้ Super Low VF (VF<0.32V) และ High Power (VV>300V) และผลิตภัณฑ์แบบกำหนดเองเพื่อตอบสนองความต้องการเฉพาะของลูกค้า ความโน้มเอียงที่ต่ำมากและผลิตภัณฑ์ไดโอด Schottky แรงดันไฟฟ้าสูงไม่เพียงแต่จะนำมาใช้ในประเทศเท่านั้นแต่ยังมีบริษัทนานาชาติหลายแห่งอีกด้วย
เมื่อไม่นานมานี้การปกป้องสิ่งแวดล้อมกรีนการประหยัดพลังงานและการลดคาร์บอนเป็นที่ยอมรับอย่างสูงในทุกอุตสาหกรรมตามที่ระบุโดยประสิทธิภาพการแปลงพลังงานที่สูงขึ้นของผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ CITC ได้รับการดำเนินการเพื่อปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์และสอดคล้องตามมาตรฐานการปกป้องสิ่งแวดล้อมนานาชาติ RoHS สำหรับกระบวนการที่ปราศจากฮาโลเจนและพัฒนาไดโอด Schottky ซึ่งยังคงมีแรงดันไฟฟ้าแอสไบแอสที่ลดลงเพื่อประสิทธิภาพในการแปลงพลังงานที่ดีขึ้น
เทคโนโลยีกระบวนการของ CITC มีความโดดเด่นในการนำกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์มาใช้เพื่อทำลายข้อจำกัดทางกายภาพโดยองค์ประกอบ Schottky ไดโอดแบบเดิมสำหรับ VF พร้อมกันที่มีอัตราการรั่วไหลต่ำและแรงดันไฟฟ้าที่ชำรุดสูง
นอกจากผลิตภัณฑ์ไดโอด Schottky แบบมาตรฐานแล้ว ITC ยังสามารถให้ Super Low VF (VF<0.32V) และ High Power (VV>300V) และผลิตภัณฑ์แบบกำหนดเองเพื่อตอบสนองความต้องการเฉพาะของลูกค้า ความโน้มเอียงที่ต่ำมากและผลิตภัณฑ์ไดโอด Schottky แรงดันไฟฟ้าสูงไม่เพียงแต่จะนำมาใช้ในประเทศเท่านั้นแต่ยังมีบริษัทนานาชาติหลายแห่งอีกด้วย
เมื่อไม่นานมานี้การปกป้องสิ่งแวดล้อมกรีนการประหยัดพลังงานและการลดคาร์บอนเป็นที่ยอมรับอย่างสูงในทุกอุตสาหกรรมตามที่ระบุโดยประสิทธิภาพการแปลงพลังงานที่สูงขึ้นของผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ CITC ได้รับการดำเนินการเพื่อปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์และสอดคล้องตามมาตรฐานการปกป้องสิ่งแวดล้อมนานาชาติ RoHS สำหรับกระบวนการที่ปราศจากฮาโลเจนและพัฒนาไดโอด Schottky ซึ่งยังคงมีแรงดันไฟฟ้าแอสไบแอสที่ลดลงเพื่อประสิทธิภาพในการแปลงพลังงานที่ดีขึ้น
ที่อยู่โรงงาน:
2f-3, No. 32, Taiyuan Street, Hsinchu County, Taiwan(China)