หน้าหลัก  ไดเร็กทอรีผลิตภัณฑ์  ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์  สารกึ่งตัวนำ

แผ่นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำที่ออกแบบเองขนาด 4-8 นิ้วซิลิคอน Carbide SIC

อ้างอิงราคา FOB:	US$250 / บางส่วน
คำสั่งซื้อขั้นต่ำ:	25 ชิ้น

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ	อ้างอิงราคา FOB
25 ชิ้น	US$250

ท่าเรือ:	Chongqing, China
กำลังการผลิต:	2000 Pieces/Month
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T

ติดต่อตอนนี้

ค้นหารายการที่คล้ายกัน แผ่นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำที่ออกแบบเองขนาด 4-8 นิ้วซิลิคอน Carbide SIC

รายการที่คล้ายกัน

กำลังโหลด...





คุณอาจชอบมัน

กำลังโหลด...





คำอธิบายสินค้า

ข้อมูลบริษัท

ข้อมูลพื้นฐาน

ไม่ใช่ ของรุ่น

Manufacturing Technology

Optoelectronic Semiconductor

Material

Compound Semiconductor

Type

N/P Type Semiconductor

Package

BGA

Signal Processing

Analog Digital Composite and Function

Application

Wind Power, Industrial Power Supply, Aerospace

Model

ULN2003

Batch Number

2010+

Brand

Cys

เครื่องหมายการค้า

แพคเพจการขนส่ง

Carton with Cushioning Material

ข้อมูลจำเพาะ

4 inch/6 inch/8 inch

ที่มา

China

รหัสพิกัดศุลกากร

2849200000

คำอธิบายสินค้า

ข้อมูลจำเพาะ

เกรด		การผลิต Zero MPD	เกรดการผลิตมาตรฐาน ( เกรด P)	เกรดจำลอง ( เกรด D)
เส้นผ่านศูนย์กลาง		99.5 มม .-100ม
ความหนา	4h-N	350μm±15μm	350μm±25μm
	4h-SI	500μm±15μm	500μm±25μm
ตำแหน่งของเวเฟอร์		แกนปิด : 4.0 ° ไปทาง <>±1120 0.5 ° สำหรับ 4H-N บนแกน :<10> 0001±0.5 ° สำหรับ 4H-SI
ความหนาแน่น MicroPipe	4h-N	≤0.2cm²	≤2cm²	≤15cm²
	4h-SI	≤1cm²	≤5cm²	≤15cm²
สภาพต้านทาน	4h-N	0.015 0.024Ω ซม		0.015 0.028Ω ซม
	4h-SI	≥1E10Ω ซม		≥1E5Ω ซม
แนวระนาบหลัก		{5 10 - 10±5.0 °
ความยาวแบนราบหลัก		32.5 มม .±2.0 มม
ความยาวแบนราบรอง		18.0 มม .±2.0 มม
การวางแนวกระดาษแผ่นรอง		ซิลิคอนหงายขึ้น : 90 ° CW จาก Prime flat±5.0 °
การแยกขอบ		3 มม
แลททีวี / ที TV/ ธนู / วอร์ป		≤2.5μm / μ≤15μm μ≤30μm μ≤5μm		≤10μm / μ≤25μm μ≤40μm μ≤15μm
ความขรุขระ		โปแลนด์ Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2nm		RA≤0.5 nm
ขอบแตกจากแสงความเข้มสูง		ไม่มี	ไม่มี	ความยาวสะสม ≤10 มม ., ความยาวเดี่ยว≤2 มม
แผ่นหกเหลี่ยมที่มีไฟความเข้มสูง		พื้นที่สะสม≤0.05 %		พื้นที่สะสม≤0.1 %
ชนิดโพ ลีType เป็นพื้นที่ที่มีความเข้มแสงสูง		ไม่มี	ไม่มี	พื้นที่สะสม≤3 %
รวมถึงการรวมคาร์บอนด้วยภาพ		พื้นที่สะสม≤0.05 %		พื้นที่สะสม≤3 %
รอยขีดข่วนบนพื้นผิวซิลิคอนจากแสงเข้มสูง		ไม่มี	ไม่มี	ความยาวสะสม ≤เส้นผ่านศูนย์กลางของเวเฟอร์ 1 ×
Edge Chip แบ่งตามแสงความเข้มสูง		ไม่อนุญาตให้มีความกว้างและความลึก≥0.2 มม		อนุญาต 5≤1 มม . ต่อเครื่อง
การปนเปื้อนบนพื้นผิวซิลิคอนจากแสงความเข้มสูง		ไม่มี	ไม่มี	ไม่มี
การยกเลิกตำแหน่งสกรูเกลียว (TSD)		≤500cm²	ไม่มี	ไม่มี
บรรจุภัณฑ์		ตลับบรรจุแผ่นเวเฟอร์หลายแผ่นหรือกล่องบรรจุแผ่นเวเฟอร์หนึ่งอัน

เวเฟอร์ที่ขัดเงาด้านข้างสองด้านซิลิคอนคาร์ไบด์ 8 ตร . ม
01 ย้อนกลับ 2022.08 ( ย้อนกลับ )
ไม่ได้	รายการ	หน่วย	การผลิต	การวิจัย	จำลอง
1 ข้อมูลคริสตัล
1.1	ชนิดโพลี	-----	4 ชม	4 ชม	4 ชม
1.2	ทิศทางของพื้นผิว	°	11 20 – 4±0.5	<11e-11>11 20 4 0.5	11 20 – 4±0.5
2 ข้อมูลออปติคอล
2.1	กางเกง	-----	ไนโตรเจนประเภท N	ไนโตรเจน N-ype	ไนโตรเจนประเภท N
2.2	สภาพต้านทาน	โอห์ม : ซม	0.015 0.025	0.01 0.03	ไม่มี
3 วันที่กลไก
3.1	เส้นผ่านศูนย์กลาง	มม	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	ความหนา	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	ทิศทางรอยบาก	°	[1 100 ] +5	1 100	[1 100 ] +5
3.4	ความลึกน๊อต	มม	1 1.5	1 1.5	1 1.5
3.5	ทีวีขนาดนี้	μm	≤5 (10mm *10mm	≤5 (10mm *10mm	≤10 (10mm *10mm
3.6	ทีวี	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	ก้มศีรษะลง	μm	25-25	45-45	65-65
3.8	บิด	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	NM	RA≤0.2	RA≤0.2	RA≤0.2
4 โครงสร้าง
4.1	ความหนาแน่นไมโครท่อ	cm² / μ m	≤2	≤10	≤50
4.2	วัสดุโลหะ	อะตอม	≤1E11	≤1E11	ไม่มี
4.3	TSD	CA / ซม .2	≤500	≤1000	ไม่มี
4.4	BPD	EA / ซม .2	≤2000	≤5000	ไม่มี
4.5	ตามความต้องการ	CA / ซม .2	≤7000	≤10000	ไม่มี
5 รายละเอียดด้านหน้า
5.1	ด้านหน้า	-----	SI	SI	SI
5.2	ผิวสำเร็จ	-----	SI CMP ศรี -Face CMP	SI CMP ศรี -Face CMP	SI CMP ศรี -Face CMP
5.3	อนุภาค	สหภาพยุโรป / เวเฟอร์	100 ( μ size20.3μm	ไม่มี	ไม่มี
5.4	สแครตช์	กล่อง / แผ่นเวเฟอร์	S5, Total Lengs200 มม	ไม่มี	ไม่มี
5.5	ขอบ ชิป / เครื่องรองถุง / การใส่ชิ้นส่วนโดยตรง	-----	ไม่มี	ไม่มี	ไม่มี
5.6	บริเวณชนิดโพ ลิtype	-----	ไม่มี	Arca≤10 %	พื้นที่≤30 %
5.7	การมาร์กด้านหน้า	-----	ไม่มี	ไม่มี	ไม่มี
6 รายละเอียดด้านหลัง
6.1	เสร็จสมบูรณ์	-----	C MP หน้า C	C MP หน้า C	C MP หน้า C
6.2	สแครตช์	/ มม	ไม่มี	ไม่มี	ไม่มี
6.3	รอยบิ่น / รอยเว้าที่ขอบด้านหลัง	-----	ไม่มี	ไม่มี	ไม่มี
6.4	ความขรุขระของหลัง	NM	รา 5	รา 5	รา 5
6.5	การมาร์กย้อนกลับ	-----	น๊อต	น๊อต	น๊อต
7 ขอบ
71	ขอบ	-----	มุมตัด	มุมตัด	มุมตัด
8 ชุด
8.1	หีบห่อ	-----	พร้อมรับพลังไฟเหนือวัตถุด้วยสุญญากาศ บรรจุภัณฑ์	พร้อมรับพลังไฟเหนือวัตถุด้วยสุญญากาศ บรรจุภัณฑ์	พร้อมรับพลังไฟเหนือวัตถุด้วยสุญญากาศ บรรจุภัณฑ์
8.2	บรรจุภัณฑ์	-----	หลายเวเฟอร์ บรรจุภัณฑ์คาสเซ็ตต์	หลายเวเฟอร์ การลดกรดคาสเซ็ท	หลายเวเฟอร์ บรรจุภัณฑ์คาสเซ็ตต์
หมายเหตุ :NA หมายถึงไม่มีข้อกำหนด

โปรไฟล์บริษัท

Chongqing CYS Machinery Co., Ltd ตั้งอยู่ใน Chongqing เป็นหนึ่งในเมืองอุตสาหกรรมที่ใหญ่ที่สุดในประเทศจีน
เรามุ่งเน้นการออกแบบการผลิตพลอยสังเคราะห์และการนำร่องเรืออุปกรณ์สำหรับเรือฯลฯมากกว่า 15 ปี
มีประสบการณ์มากมายด้านการนำเข้าและส่งออก
เพื่อสำรวจตลาดใหม่สำหรับผลิตภัณฑ์ของเราบริษัทของเราจึงมักเปิดตัวผลิตภัณฑ์ที่หลากหลายทั่วโลกเช่นกัน
เราเป็นบริษัทที่มีทีมงานที่มีความสามารถอันดับหนึ่งและคำขวัญของเราก็คือ " การส่งเสริมการพัฒนาอย่างยั่งยืนการสร้างชื่อเสียงที่จริงใจ
ปรับปรุงการบริการเพื่อสร้างสภาพแวดล้อมการลงทุนที่เหมาะสมสร้างความเป็นหุ้นส่วนเชิงกลยุทธ์กับลูกค้าอย่างใกล้ชิดเพื่อให้บริการลูกค้า
ให้ความสำคัญและพัฒนาร่วมกับลูกค้าอย่างเต็มใจ "
ในปัจจุบันการแข่งขันที่ดุเดือดในตลาดและด้วยประสบการณ์ที่สั่งสมมายาวนานในการค้าระหว่างประเทศเราจึงมีชื่อเสียงและดี
ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพและราคาที่น่าสนใจ เราได้ร่วมมือกับบริษัทต่างๆทั่วโลก เราหวังว่างานของเราจะสามารถทำให้คุณ
สมบูรณ์แบบสำหรับธุรกิจ เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้สร้างความสัมพันธ์กับคุณในอนาคตอันใกล้นี้

ที่อยู่: Room 1506, Building 41, Longhu Yuanzhu North District, No. 420 Panxi Road, Jiangbei District, Chongqing, China

ประเภทของธุรกิจ: ผู้ผลิต/โรงงานผลิต

ขอบเขตธุรกิจ: อุปกรณ์และส่วนประกอบอุตสาหกรรม, เครื่องจักรการผลิตและแปรรูป, เครื่องมือและเครื่องวัด, โลหการ แร่ และพลังงาน

ผลิตภัณฑ์หลัก: Ruby Sapphire Marine Product ที่มีความน่าสงสารในอุตสาหกรรม , วัสดุซับสเตรต Silicon Carbide , ตัวแยก

แนะนำบริษัท: Chongqing CYS Machinery Co., Ltd ตั้งอยู่ใน Chongqing เป็นหนึ่งในเมืองอุตสาหกรรมที่ใหญ่ที่สุดในประเทศจีน

เรามุ่งเน้นการออกแบบการผลิตพลอยสังเคราะห์และทิศทางการปรับอุปกรณ์สำหรับเรือฯลฯมากกว่า 15 ปี และมีประสบการณ์มากมายด้านการนำเข้าและส่งออก

เพื่อสำรวจตลาดใหม่สำหรับผลิตภัณฑ์ของเราบริษัทของเราจึงมักเปิดตัวผลิตภัณฑ์ที่หลากหลายทั่วโลกเช่นกัน

เราเป็นบริษัทที่มีทีมงานที่มีความสามารถอันดับหนึ่งและคำขวัญของเราก็คือ " ส่งเสริมการพัฒนาอย่างยั่งยืนสร้างชื่อเสียงที่จริงใจปรับปรุงการบริการสร้างสภาพแวดล้อมในการลงทุนที่เหมาะสมสร้างความร่วมมือเชิงกลยุทธ์กับลูกค้าอย่างใกล้ชิดและให้บริการลูกค้าด้วยความเต็มใจและพัฒนาร่วมกับลูกค้า "

ปัจจุบันการแข่งขันที่น่าสนใจในตลาดและด้วยประสบการณ์ที่เข้มข้นในการค้าระหว่างประเทศเราจึงมีชื่อเสียงเป็นอย่างมากผลิตภัณฑ์คุณภาพดีและราคาที่น่าสนใจ เราได้ร่วมมือกับบริษัทต่างๆทั่วโลก เราหวังว่างานของเราจะทำให้ธุรกิจของคุณสมบูรณ์แบบ เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้สร้างความสัมพันธ์กับคุณในอนาคตอันใกล้นี้

Once receive your question, the supplier will answer you as soon as possible.

ส่งข้อซักถามของคุณไปยังผู้ให้บริการนี้โดยตรง

* ของ:

ถึง:

*ข้อความ:

นี้ไม่ใช่สิ่งที่คุณตามหา? โพสต์คำขอการจัดซื้อตอนนี้

การค้นหาที่มาแรง

เพิ่มเติม

แผ่นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำที่ออกแบบเองขนาด 4-8 นิ้วซิลิคอน Carbide SIC

รายการที่คล้ายกัน

คุณอาจชอบมัน

คำอธิบายสินค้า

ข้อมูลบริษัท

ข้อมูลพื้นฐาน

คำอธิบายสินค้า

ส่งข้อซักถามของคุณไปยังผู้ให้บริการนี้โดยตรง

การค้นหาที่มาแรง

ซัพพลายเออร์และผู้ค้าส่งที่แนะนำ

หมวดหมู่ที่้เกี่ยวข้อง