เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC pictures & photos
เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC pictures & photos
เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC pictures & photos
เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC pictures & photos
เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC pictures & photos
เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC pictures & photos
  • เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC
  • เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC
  • เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC
  • เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC
  • เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC
  • เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC
รายการโปรด

เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC

อ้างอิงราคา FOB / ปริมาณการสั่งซื้อ
รับราคาล่าสุด
US$205
20-99 ชิ้น
US$198
100-499 ชิ้น
US$192
500+ ชิ้น
Manufacturing Technology: Chemical Vapor Deposition
Material: Sic
Type: N-type Semiconductor
Package: Custom
Signal Processing: No
Application: Semiconductor

ติดต่อซัพพลายเออร์

ติดต่อตอนนี้
Hebei Baotong New Material Technology Co., Ltd.
ผู้ผลิต/โรงงานผลิต
สมาชิกระดับโกลด์ อัตราจาก 2023

ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ

เหอเป่ย, จีน
ผู้นำเข้าและส่งออก
ซัพพลายเออร์มีสิทธินำเข้าและส่งออก
ทีมงานที่มีประสบการณ์
ซัพพลายเออร์มีพนักงานการค้าต่างประเทศ 6 คน และเจ้าหน้าที่ 6 คนที่มีประสบการณ์การค้าต่างประเทศมากกว่า 6 ปี
จัดส่งที่รวดเร็ว
ซัพพลายเออร์สามารถจัดส่งสินค้าได้ภายใน 30 วัน
การปรับแต่งแบบเต็ม
ซัพพลายเออร์ให้บริการปรับแต่งอย่างเต็มรูปแบบ
เพื่อดูป้ายกำกับความแข็งแกร่งที่ได้รับการยืนยันทั้งหมด (14)

คำอธิบายสินค้า

ข้อมูลบริษัท

ข้อมูลพื้นฐาน

ไม่ใช่ ของรุ่น
4H-N SI
Model
4h-N
Batch Number
No
Brand
No
เกรด
P & D Grade
ข้อมูลจำเพาะ
4 Inches 6 Inches etc
วัตถุดิบ
6n Sic
ประเภท
N or Si
แพคเพจการขนส่ง
Foam Bag
ข้อมูลจำเพาะ
4 6 inches
เครื่องหมายการค้า
No
ที่มา
China
รหัสพิกัดศุลกากร
3818009000
กำลังการผลิต
3000 PCS

คำอธิบายสินค้า

รายละเอียดผลิตภัณฑ์
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SIC)  เรียกว่า วัสดุแกนของเซมิคอนดักเตอร์เจนเนอเรชั่นที่สาม มี  ลักษณะโดดเด่นมากมายเช่นแรงดันไฟฟ้าสูงความถี่สูงแบนด์วิดธ์สูงการนำความร้อนสูง สนามไฟฟ้าสำหรับการวิเคราะห์ความเร็วสูงและ อัตราการอิ่มตัวของค่าความอิ่มตัวของแสง

ข้อมูลจำเพาะ (SIC Substrate)
ข้อมูลจำเพาะ 4  นิ้ว 6 นิ้ว
เส้นผ่านศูนย์กลาง 100.0 มม . +0.01/ 0.0 มม 150.0 มม . +0.01/ 0.0 มม
ความหนา 500.0  μm ± 25.0 μm     หรือ    350.0 μm ± 25.0 μm
 
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Waferเกี่ยวกับ Parameter: ข้อมูลจำเพาะขนาด 4 นิ้ว 6 นิ้วจะแสดงรายการสำหรับ ข้อมูลจำเพาะอื่นๆโปรดติดต่อเราเพื่อขอรายละเอียด
เกี่ยวกับการสั่งซื้อ : เราสามารถ ดำเนินการตามความต้องการของลูกค้าตามข้อมูลจำเพาะความแม่นยำฯลฯ

 
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
 
ชุดผลิตภัณฑ์
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
แอปพลิเคชัน
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer

เรามีซิลิคอนคาร์ไบด์สีดำและสีเขียวซึ่งไม่เพียงแต่เกรดที่ทำให้กัดกร่อนเท่านั้นแต่ยังรวมถึงเกรดที่ทำจากโลหะผสมวัสดุกันเกรดผิวดินใหม่และ SIC ความบริสุทธิ์สูง 4N 5N 6N SIC
โปรไฟล์บริษัท

บริษัท Baotong Silicon Carbide New Material Co., Ltd. เป็นบริษัทซิลิคอนคาร์ไบด์ที่สามารถผนวกรวมการผลิตการแปรรูปและการขายเข้าด้วยกัน ผู้ผลิตของเรามี โรงถลุงคาร์ไบด์ซิลิโคน 26000va สีดำจำนวนหนึ่งแห่งและมีอุปกรณ์ในการผลิตทรายและผงละเอียดจำนวนหนึ่งชิ้นซึ่งสามารถปรับแต่งได้ตามความต้องการของลูกค้า รายละเอียดการประมวลผล

เพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้าในด้านซิลิคอนคาร์ไบด์จึงได้สร้างโรงถลุงคาร์ไบด์ซิลิกอน 400kva ให้เป็นสายการผลิตที่นำมาใช้และปริมาณแท่งซิลิกอนคาร์ไบด์ที่ผลิตได้ต่อเดือนมีจำนวนถึง 6000-7000 ตัน

Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
 
ข้อดีของเรา
•ราคาที่สามารถแข่งขันได้
• สินค้าในสต็อกที่มีข้อมูลจำเพาะมากมาย  
พันธมิตรที่มั่นคงกว่า• 40 คนทั่วโลก
ประสบการณ์• 11 ปีในการผลิตและ ส่งออก
•เสร็จสมบูรณ์ทีม R&D & QC เพื่อให้มั่นใจว่าดีและ คุณภาพที่เสถียร
การต้อนรับลูกค้า
Semiconductor Use 4h-N 4h-Si Sic Substrate Silicon Carbide Wafer
คำถามที่พบบ่อย
คำถาม 1: คุณกำลังซื้อขายบริษัทหรือผู้ผลิตอยู่หรือไม่
A: เราเป็นผู้ผลิต

Q2: ตัวอย่างมีปริมาณหรือไม่มีการเก็บตัวอย่าง
A: ตัวอย่างสามารถไม่มีค่าใช้จ่าย เฉพาะการจัดส่งเท่านั้นที่ต้องชำระเงินโดยฝ่ายของคุณ  

คำถามที่ 3 คุณสามารถปรับแต่งขนาดหรือพารามิเตอร์ของเกรนตามความต้องการของฉันได้หรือไม่
A: ได้เราสามารถปรับแต่งได้

คำถามที่ 4 คุณทดสอบสินค้าทั้งหมดก่อนส่งหรือไม่
ตอบ : เรามีห้องปฏิบัติการทดสอบคุณสมบัติทางเคมีและกายภาพของ SIC ของเรา เราจะทำการทดสอบซ้ำๆในระหว่างการผลิตและก่อนการขนส่งเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์นั้นเป็นไปตามมาตรฐานที่กำหนด
 
รอคอยที่จะได้รับคำถามของคุณ
โปรดถามฉันหากคุณมีข้อสงสัย ขอบคุณ ^^
 

ส่งข้อซักถามของคุณไปยังผู้ให้บริการนี้โดยตรง

*ของ:
*ถึง:
*ข้อความ:

โปรดป้อนตัวอักษรระหว่าง 20 ถึง 4000 ตัว

นี้ไม่ใช่สิ่งที่คุณตามหา? โพสต์คำขอการจัดซื้อตอนนี้

หาสินค้าที่ใกล้เคียงตามหมวดหมู่

หน้าแรกของซัพพลายเออร์ สินค้า ซับสเตรต SIC เซมิคอนดักเตอร์ใช้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาราไซด์ 4h-N 4h-SIC
เพิ่มเติม

สิ่งที่คุณอาจจะชอบ

กลุ่มผลิตภัณฑ์

ติดต่อซัพพลายเออร์

ติดต่อตอนนี้
Hebei Baotong New Material Technology Co., Ltd.
สมาชิกระดับโกลด์ อัตราจาก 2023

ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ

ผู้ผลิต/โรงงานผลิต
พื้นที่โรงงาน
101~500 ตารางเมตร
เกี่ยวกับเรา การประกาศ ข้อตกลงสำหรับผู้ใช้ นโยบายความเป็นส่วนตัว คอนแทคเตอร์ Made-in-China.com ผลิตภัณฑ์ด่วน
ตัวเลือกภาษา: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข