การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์โท 263 Sfs280n10kf VdS-800 100 ID-800A RDS ( เปิด ) -2.1มิ ลลิโอห์ม Qg-245nc สำหรับการสลับอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า N-Channel MOSFET

• การรับรอง: RoHS, ISO
• ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain
• ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม
• วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ
• ฟังก์ชัน: ทรานซิสเตอร์แรงดันย้อนกลับสูง, ทรานซิสเตอร์ไมโครเวฟ, สลับทรานซิสเตอร์
• ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
• ไม่ใช่ ของรุ่น: SFS04R02KNF
• โครงสร้าง: การกระจายแสง
• โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
• ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
• วัสดุ: ซิลิคอน
• แพคเพจการขนส่ง: Air
• ข้อมูลจำเพาะ: 35x37x30cm
• เครื่องหมายการค้า: Orientalsemi
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8541290000
• กำลังการผลิต: Over 1kk/Month

คำอธิบายสินค้า

 คำอธิบายทั่วไป
FSMOS ®    MOSFET     อิง กับ      การออกแบบอุปกรณ์ที่เป็นเอกลักษณ์ของ Oriental Semiconductor  เพื่อให้ มี   RDS น้อย ,   มีค่าเกตต่ำ ,  มีการสลับการทำงานรวดเร็ว และ   มีคุณลักษณะของหิมะถล่มที่ยอดเยี่ยม  Vth   series ที่สูง  ได้รับการออกแบบเป็นพิเศษ เพื่อ ใช้ ใน   ระบบควบคุมมอเตอร์ ที่  มีแรงดันไฟฟ้าขณะขับขี่   มากกว่า 10 โวลต์  
 คุณสมบัติ

       RDS ต่ำ (ON) และ หมอก
         สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
       ความน่าเชื่อถือ และ ความเป็นระเบียบที่ยอดเยี่ยม
       สลับการใช้งานได้รวดเร็ว และ  กู้คืนได้อย่างนุ่มนวล



แอปพลิเคชัน
         แหล่งจ่ายไฟโหมดการสลับ
       มอเตอร์ขับเคลื่อน
       การปกป้องแบตเตอรี่
       ตัวแปลง DC-DC
      อินเวอร์เตอร์
      UPS




  พารามิเตอร์ประสิทธิภาพหลัก

พารามิเตอร์	คุ้มค่า	หน่วย
VdS	100	V
ID,  พัลส์	800	ก
RDS(on), สูงสุด  @ VGS  =10V	2.1	MΩ
Qg	245	NC
PD	450	W

  พิกัดสัมบูรณ์ ที่  TJ  = 25 ° C  ยกเว้น  มีการระบุไว้เป็นอย่างอื่น

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
แรงดันแหล่งระบาย	VdS	100	V
แรงดันเกต - มา	VGS	±20	V
ความสิ้นเปลืองการระบายต่อเนื่อง 1) , T=4 25 ° C	ID	340	ก
ไฟพัลส์  ระบายความร้อน 2) , T=4 25 ° C	ID,  พัลส์	800	ก
ไดโอดต่อเนื่องเดินหน้า 1) , T=4 25 ° C	คือ	340	ก
ไดโอดพัลส์ ในปัจจุบัน 2) T=4 25 ° C	คือชีพจร	800	ก
แหล่งจ่ายไฟไม่กระจายกระแสไฟฟ้า 3) TC=50 25 ° C	PD	450	W
จ่ายพลังงานหิมะถล่มแบบเดี่ยว 5)	EAS	540	MJ
อุณหภูมิในการทำงานและเก็บรักษา	Tstg,  TJ	-55 ถึง 150	° C

 ลักษณะเฉพาะของความร้อน

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
ความต้านทานความร้อน , กล่องรวมสาย	RθJC	0.27	° C/W
ความต้านทานความร้อน , สายกลางอากาศ 4)	RθJA	62	° C/W

 คุณลักษณะทางไฟฟ้า ที่  TJ  =0 25 ° C  เว้นแต่  จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าการชำรุดจากแหล่งระบาย	BVDSS	100			V	VGS  =0 0 V, ID  =250 μA
เกณฑ์ขั้นต่ำของประตู แรงดันไฟฟ้า	VGS ( ไทย )	2.0		4.0	V	VdS  =VGS ID = 250 μA
แหล่งระบายน้ำ  ความต้านทานขณะ ON	RDS ( เปิด )		1.8	2.1	MΩ	VGS  =0 10 V, ID=0 50 A
ที่มาประตูทางออก  กระแสรั่วไหล	IGSS			100	ไม่มี	VGS  =0 20 V
				- 100		VGS  =-20 V
แหล่งระบายน้ำ  กระแสรั่วไหล	IDSS			1	μA	VdS  =5 100 V, VGS  =0 V
การต้านทานประตู	RG		1.2		Ω	ƒ = 1 MHz,  ท่อระบายน้ำเปิด

 คุณสมบัติที่มีการเปลี่ยนแปลงตลอดเวลา

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ความจุกระแสไฟฟ้าอินพุต	จูบ		18000		PF	VGS  =20 0  V VdS  =0 25 V ƒ = 100 kHz
ความจุกระแสไฟเอาต์พุต	ยิง		4570		PF
ความจุกระแสไฟของการถ่ายโอนย้อน	ซีอาร์เอส		510		PF
เวลาหน่วงก่อนเปิดเครื่อง	Td ( เปิด )		40		ไม่บุหรี่	VGS  =20 10 V VdS  =0 50 V RG) 2 Ω μ s ID== 25  A
เวลาขาขึ้น	ตอบ		34		ไม่บุหรี่
เวลาหน่วงก่อนปิดเครื่อง	Td ( ปิด )		97		ไม่บุหรี่
เวลาฤดูใบไม้ร่วง	TF		34		ไม่บุหรี่

  ลักษณะเฉพาะของค่าธรรมเนียมประตูทางออก

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ยอดรวมค่าธรรมเนียมประตู	Qg		245		NC	VGS  =20 10 V VdS  =0 50 V ID== 25  A
ค่าธรรมเนียมที่มาที่ประตูทางออก	Qs		74		NC
ชาร์จเกตระบาย	Qgd		54		NC
แรงดันไฟฟ้าบริเวณชั้นทางเข้าออก	ที่ราบสูง		4.5		V

  ลักษณะของไดโอดตัวกล้อง

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าด้านหน้าไดโอด	vSD			1.3	V	คือ = 30 A VGS  =0 0 V
ย้อนเวลากลับสู่สภาพเดิม	สตริเออร์		1 10		ไม่บุหรี่	VR_S = 50 V, คือ = 25 A DI/DT=0 100 A/μs
ชาร์จการกู้คืนกลับด้าน	ระยะเวลา		289		NC
กระแสกลับสู่สถานะเดิมสูงสุด	เออร์ราม		4.3		ก

หมายเหตุ
1      กระแสต่อเนื่องที่คำนวณ ตาม     อุณหภูมิสูงสุดของข้อต่อที่อนุญาต
2     อัตราการเกิดซ้ำความ กว้างพัลส์ จำกัด ตาม  อุณหภูมิรวมสายสูงสุด
PPD      อ้างอิง   อุณหภูมิรวมสายสูงสุดโดยใช้   ความต้านทานความร้อนของกล่องรวมสาย 3
4    ค่า  ของ  RθJA   วัด โดย  ติดตั้งอุปกรณ์  บน   แผงวงจร 2 in 1 FR-4  ที่ มี 4 ออนซ์ ทองแดง ใน    สภาพแวดล้อมที่อากาศยังคงมี  อุณหภูมิ 25 ° C
5     VDD=100 50 V,VGS=5 10 V, L=MH 0.3 เริ่มต้น  TJ  = 25 ° C





 

ซัพพลายเชน

การประกาศผลิตภัณฑ์เป็นสีเขียว