ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว คำอธิบายทั่วไป
GreenMOS ® High-Voltage MOSFET ใช้เทคโนโลยีการปรับสมดุลการชาร์จเพื่อให้ได้การชาร์จบนเกตที่มีความต้านทานต่ำและการชาร์จบนเกตที่ต่ำกว่า เป็นระบบวิศวกรรมที่ช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าให้ประสิทธิภาพของสวิตช์ที่เหนือกว่าและมีความสามารถในการเกิดหิมะถล่มที่มีประสิทธิภาพ| พารามิเตอร์ | คุ้มค่า | หน่วย |
| VdS | 650 | V |
| ID, พัลส์ | 96 | ก |
| RDS(on), สูงสุด @ VGS=10V | 99 | MΩ |
| Qg | 66.6 | NC |
| ชื่อผลิตภัณฑ์ | แพ็คเกจ | การมาร์ก |
| OSG65R099HSZAF | TO247 | OSG65R099HSZA |
| พารามิเตอร์ | สัญลักษณ์ | คุ้มค่า | หน่วย |
| แรงดันแหล่งระบาย | VdS | 650 | V |
| แรงดันเกต - มา | VGS | ±30 | V |
| ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C | ID |
32 | ก |
| ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 100 ° C | 20 | ||
| ไฟพัลส์ระบายความร้อน 2) T=4 25 ° C | ID, พัลส์ | 96 | ก |
| ไดโอดเดินหน้าต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C | คือ | 32 | ก |
| ไดโอดพัลส์ 2, T=4 25 ° C | คือชีพจร | 96 | ก |
| ไฟฟ้าไม่กระจายสัญญาณ 3),TC=50 25 ° C | PD | 278 | W |
| จ่ายพลังงานหิมะถล่มแบบเดี่ยว 5) | EAS | 648 | MJ |
| MOSFET DV/DT ความขรุขระ , VDS=3... 0 480 V | DV/DT | 50 | V/NS |
| Reverse ไดโอด DV/DT, VDS=0 0 480 V, ISD≤ID | DV/DT | 50 | V/NS |
| อุณหภูมิในการทำงานและเก็บรักษา | Tstg, TJ | -55 ถึง 150 | ° C |
| พารามิเตอร์ | สัญลักษณ์ | คุ้มค่า | หน่วย |
| ความต้านทานความร้อน , กล่องรวมสาย | RθJC | 0.45 | ° C/W |
| ความต้านทานความร้อน , สายกลางอากาศ 4) | RθJA | 62 | ° C/W |
| พารามิเตอร์ | สัญลักษณ์ | ต่ำสุด | ปกติ | สูงสุด | หน่วย | เงื่อนไขการทดสอบ |
| แรงดันไฟฟ้าการชำรุดจากแหล่งระบาย | BVDSS | 650 | V | VGS=0 0 V, ID=0 1 mA | ||
| แรงดันไฟฟ้าค่าขีดจำกัดเกต | VGS ( ไทย ) | 3.0 | 4.5 | V | VdS=VGS, ID=0 1 mA | |
ความต้านทานสถานะเปิดของแหล่งระบาย |
RDS ( เปิด ) |
0.090 | 0.099 | Ω |
VGS=100 10 V, ID== 16 A | |
| 0.21 | VGS=0 10 V, ID=0 16 A, TJ=0 ° C 150 ° C | |||||
| กระแสรั่วไหลที่เกต - แหล่ง | IGSS |
100 | ไม่มี |
VGS=100 30 V | ||
| -100 | VGS=-30 V | |||||
| กระแสรั่วไหลจากแหล่งระบาย | IDSS | 10 | μA | VdS=100 650 V, VGS=5 0 V | ||
| การต้านทานประตู | RG | 7.8 | Ω | ƒ = 1 MHz, ท่อระบายน้ำเปิด |
| พารามิเตอร์ | สัญลักษณ์ | ต่ำสุด | ปกติ | สูงสุด | หน่วย | เงื่อนไขการทดสอบ |
| ความจุกระแสไฟฟ้าอินพุต | จูบ | 3988 | PF | VGS=100 0 V, VDS=5 50 V, ƒ = 100 kHz |
||
| ความจุกระแสไฟเอาต์พุต | ยิง | 210 | PF | |||
| ความจุกระแสไฟของการถ่ายโอนย้อน | ซีอาร์เอส | 7.4 | PF | |||
| ความจุกระแสไฟเอาต์พุตที่มีประสิทธิภาพ , เกี่ยวข้องกับพลังงาน | เพื่อน | 124 | PF | VGS=100 0 V, VDS=5 0 400 V-2 V |
||
| ค่าความจุกระแสไฟเอาต์พุตที่มีประสิทธิภาพ , เกี่ยวข้องกับเวลา | CO ( ชุด ) | 585 | PF | |||
| เวลาหน่วงก่อนเปิดเครื่อง | Td ( เปิด ) | 46.0 | ไม่บุหรี่ | VGS=0 10 V, VDS=0 400 V, RG) 2 Ω µ s, ID=20 A |
||
| เวลาขาขึ้น | ตอบ | 60.3 | ไม่บุหรี่ | |||
| เวลาหน่วงก่อนปิดเครื่อง | Td ( ปิด ) | 93.0 | ไม่บุหรี่ | |||
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง | TF | 3.7 | ไม่บุหรี่ |
| พารามิเตอร์ | สัญลักษณ์ | ต่ำสุด | ปกติ | สูงสุด | หน่วย | เงื่อนไขการทดสอบ |
| ยอดรวมค่าธรรมเนียมประตู | Qg | 66.6 | NC | VGS=100 10 V, VDS== 400 V, ID=20 A |
||
| ค่าธรรมเนียมที่มาที่ประตูทางออก | Qs | 20.6 | NC | |||
| ชาร์จเกตระบาย | Qgd | 24.8 | NC | |||
| แรงดันไฟฟ้าบริเวณชั้นทางเข้าออก | ที่ราบสูง | 6.7 | V |
| พารามิเตอร์ | สัญลักษณ์ | ต่ำสุด | ปกติ | สูงสุด | หน่วย | เงื่อนไขการทดสอบ |
| แรงดันไฟฟ้าด้านหน้าไดโอด | vSD | 1.3 | V | คือ =5 32 A, VGS=100 0 V | ||
| ย้อนเวลากลับสู่สภาพเดิม | สตริเออร์ | 151.7 | ไม่บุหรี่ | คือ = 20 A DI/DT=0 100 A/μs |
||
| ชาร์จการกู้คืนกลับด้าน | ระยะเวลา | 1.0 | μC | |||
| กระแสกลับสู่สถานะเดิมสูงสุด | เออร์ราม | 12.3 | ก |
ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ
ซัพพลายเออร์ที่ผ่านการตรวจสอบแล้ว 
