การควบคุมระดับบูสต์ PFC RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Low แรงดันไฟฟ้าขณะขับขี่การสลับอย่างรวดเร็ว 40V และการกู้คืนที่นุ่มนวลระบบ RDS ต่ำ (ON) 1.1mΩ MOSFET

• พิมพ์: อินเวอร์เตอร์ของไฟฟ้ารถยนต์
• การรับรอง: RoHS
• คำอธิบาย: สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
• ที่มีลักษณะเฉพาะ: มีความเสถียรและความเป็นระเบียบดีเยี่ยม
• แอปพลิเคชัน: กำลังไฟของเครื่องพีซี
• ในอุตสาหกรรม: ไฟ LED
• ไม่ใช่ ของรุ่น: SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• แพคเพจการขนส่ง: Carton
• ข้อมูลจำเพาะ: 35x37x30cm
• เครื่องหมายการค้า: Orientalsemiconductor
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 854129000
• กำลังการผลิต: 20kkkk/Monthly

คำอธิบายสินค้า

คำอธิบายทั่วไป
FSMOS ® MOSFET อิงกับการออกแบบอุปกรณ์ที่เป็นเอกลักษณ์ของ Oriental Semiconductor เพื่อให้มี RDS น้อย ( เปิด ), การชาร์จที่มีค่าประตูต่ำ , การสลับที่รวดเร็วและมีคุณลักษณะของหิมะถล่มที่ยอดเยี่ยม Vth ซีรี่ส์ที่ต่ำได้รับการปรับแต่งเป็นพิเศษสำหรับระบบเรียงกระแสแบบซิงโครนัสที่มีแรงดันไฟฟ้าขณะขับขี่ต่ำ


คุณสมบัติ

• RDS น้อยและ fm ( รูปแสดงการขึ้นเงินเดือน )
• สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก                                                                  
• ความน่าเชื่อถือและความเป็นระเบียบที่ยอดเยี่ยม
• สลับการใช้งานได้รวดเร็วและกู้คืนได้อย่างนุ่มนวล
• AEC Q101 เหมาะสำหรับการประยุกต์ใช้งานยานยนต์

แอปพลิเคชัน

• อุปกรณ์จ่ายไฟสำหรับผู้บริโภคอิเล็กทรอนิกส์
• การควบคุมมอเตอร์
• การเรียงกระแสแบบซิงโครนัส
• ตัวแปลง DC/DC แบบแยก
• ตัวกลับหัว

พารามิเตอร์ประสิทธิภาพหลัก

 

พารามิเตอร์	คุ้มค่า	หน่วย
VdS	40	V
ID, พัลส์	600	ก
RDS (ON) สูงสุด @ VGS=10V	1.1	MΩ
Qg	118.4	NC

ข้อมูลการมาร์ก

 

ชื่อผลิตภัณฑ์	แพ็คเกจ	การมาร์ก
SFS04R013UGF	PDFN5 x 6	SFS04R013UG

 

 

พิกัดสัมบูรณ์ที่ TJ=0 25 ° C ยกเว้นในกรณีที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น
 

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
แรงดันแหล่งระบาย	VdS	40	V
แรงดันเกต	VGS	±20	V
ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C	ID	200	ก
ไฟพัลส์ระบายความร้อน 2) T=4 25 ° C	ID, พัลส์	600	ก
ไดโอดเดินหน้าต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C	คือ	200	ก
ไดโอดพัลส์ 2, T=4 25 ° C	คือชีพจร	600	ก
กระจายพลังงาน 3), TC=50 25 ° C	PD	178	W
จ่ายพลังงานหิมะถล่มแบบเดี่ยว 5)	EAS	144	MJ
อุณหภูมิในการทำงานและเก็บรักษา	Tstg,TJ	-55 ถึง 175	° C

ลักษณะเฉพาะของความร้อน
 

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
ความต้านทานความร้อน , กล่องรวมสาย	RθJC	0.84	° C/W
ความต้านทานความร้อน , สายกลางอากาศ 4)	RθJA	62	° C/W

คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ TJ=0 25 ° C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าการชำรุดจากแหล่งระบาย	BVDSS	40			V	VGS=0 0 V, ID=0 μA 250
แรงดันไฟฟ้าค่าขีดจำกัดเกต	VGS ( ไทย )	1.2		2.5	V	VdS=VGS, ID=0 μA 250
ความต้านทานสถานะเปิดของแหล่งระบาย	RDS ( เปิด )		0.9	1.1	MΩ	VGS=100 10 V, ID== 20 A
ความต้านทานสถานะเปิดของแหล่งระบาย	RDS ( เปิด )		1.5	2.0	MΩ	VGS=100 6 V, ID== 20 A
กระแสรั่วไหลที่เกต - แหล่ง	IGSS			100	ไม่มี	VGS=100 20 V
				-100		VGS=-20 V
กระแสรั่วไหลจากแหล่งระบาย	IDSS			1	UA	VdS=100 40 V, VGS=5 0 V
การต้านทานประตู	RG		3.2		Ω	ƒ = 1 MHz, ท่อระบายน้ำเปิด

คุณสมบัติที่มีการเปลี่ยนแปลงตลอดเวลา

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ความจุกระแสไฟฟ้าอินพุต	จูบ		5453		PF	VGS=100 0 V, VDS=5 25 V, ƒ = 100 kHz
ความจุกระแสไฟเอาต์พุต	ยิง		1951		PF
ความจุกระแสไฟของการถ่ายโอนย้อน	ซีอาร์เอส		113		PF
เวลาหน่วงก่อนเปิดเครื่อง	Td ( เปิด )		23.9		ไม่บุหรี่	VGS=0 10 V, VDS=0 40 V, RG) 2 Ω µ s, ID=40 A
เวลาขาขึ้น	ตอบ		16.9		ไม่บุหรี่
เวลาหน่วงก่อนปิดเครื่อง	Td ( ปิด )		80.4		ไม่บุหรี่
เวลาฤดูใบไม้ร่วง	TF		97.7		ไม่บุหรี่

ลักษณะเฉพาะของค่าธรรมเนียมประตูทางออก

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ยอดรวมค่าธรรมเนียมประตู	Qg		85.6		NC	VGS=100 10 V VDS=5 40 V, ID=5 A, 40 A
ค่าธรรมเนียมที่มาที่ประตูทางออก	Qs		17.6		NC
ชาร์จเกตระบาย	Qgd		14.5		NC
แรงดันไฟฟ้าบริเวณชั้นทางเข้าออก	ที่ราบสูง		3.6		V

ลักษณะของไดโอดตัวกล้อง

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าด้านหน้าไดโอด	vSD			1.3	V	คือ =5 20 A, VGS=100 0 V
ย้อนเวลากลับสู่สภาพเดิม	สตริเออร์		71.1		ไม่บุหรี่	VR_S = 40 V, เป็น == 40 A, DI/DT=0 100 A/μs
ชาร์จการกู้คืนกลับด้าน	ระยะเวลา		50.1		NC
กระแสกลับสู่สถานะเดิมสูงสุด	เออร์ราม		1.2		ก

หมายเหตุ

1. กระแสต่อเนื่องที่คำนวณได้ตามอุณหภูมิสูงสุดที่ยอมรับได้ของข้อต่อ
2. อัตราการเกิดซ้ำ ; ความกว้างพัลส์จำกัดโดยอุณหภูมิรวมสายสูงสุด
3. PD อ้างอิงตามอุณหภูมิรวมสายสูงสุดโดยใช้ความต้านทานความร้อนของกล่องรวมสาย
4. ค่าของ RθJA วัดโดยอุปกรณ์ที่ติดตั้งบนบอร์ด 1 นิ้ว R-2 ที่มี 4 ออนซ์ ทองแดงในสภาพแวดล้อมที่อากาศยังคงมีอุณหภูมิ 25 ° C

VDD=100 30 V,VG-50 10 V, L=MH 0.3 เริ่มต้น TJ=0 25 ° C