โหมดทรานซิสเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel Power MOSFET โท 247 Og65r080ht3zf VdS-700V ID-1132A RDS (ON) -80 มิลลิโอห์ม QG-67nc สำหรับอะแดปเตอร์ไฟ LED

• การรับรอง: RoHS, ISO
• ได้อย่างมีพรับ: ท่อโลหะ Porcelain
• ชนิดป้องกันสัญญาณรบกวน: เกราะป้องกันการบาดคม
• วิธีการระบายความร้อน: ท่อระบายความร้อนด้วยอากาศ
• ฟังก์ชัน: สลับทรานซิสเตอร์
• ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
• ไม่ใช่ ของรุ่น: TO247 OSG65R080HT3ZF
• โครงสร้าง: ระนาบ
• โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
• ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
• วัสดุ: ซิลิคอน
• เครื่องหมายการค้า: Orientalsemi
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8541290000
• กำลังการผลิต: Over 1kk/Month

คำอธิบายสินค้า

 คำอธิบายทั่วไป
 GreenMOS ®   High-Voltage  MOSFET  ใช้   เทคโนโลยีการปรับสมดุลการชาร์จ เพื่อให้ ได้      การชาร์จบนเกตที่มีความต้านทานต่ำและการชาร์จบนเกตที่ต่ำกว่า    เป็นระบบวิศวกรรม ที่ ช่วยลด  การสูญเสียการนำไฟฟ้าให้  ประสิทธิภาพของสวิตช์ที่เหนือกว่า และ   มีความสามารถในการเกิดหิมะถล่มที่มีประสิทธิภาพ
 GreenMOS ® Z  series   มาพร้อมกับ    ไดโอดกู้คืนความเร็วสูง  (FRD) เพื่อ ลด  เวลาในการกู้คืนจากระยะย้อนกลับ   เหมาะ สำหรับ   โครงสร้างของสวิตช์ที่มีความสั่นสะเทือน สูงเพื่อให้   มีประสิทธิภาพสูง ขึ้นมีความน่าเชื่อถือสูง ขึ้นและ  มีขนาดเล็กลง

คุณสมบัติ
       RDS ต่ำ (ON) และ หมอก
         สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
       มีความเสถียร และ ความเป็นระเบียบดีเยี่ยม

แอปพลิเคชัน
       ไฟ LED
      อะแดปเตอร์
      โทรคมนาคม
      พลังงานแสงอาทิตย์ / เครื่องกำเนิดไฟฟ้า
      เซิร์ฟเวอร์

  พารามิเตอร์ประสิทธิภาพหลัก

พารามิเตอร์	คุ้มค่า	หน่วย
VdS, MIN  @ TJ( สูงสุด )	700	V
ID,  พัลส์	132	ก
RDS(on), สูงสุด  @ VGS  =10V	80	MΩ
Qg	67	NC

  พิกัดสัมบูรณ์ ที่  TJ  = 25 ° C  ยกเว้น  มีการระบุไว้เป็นอย่างอื่น

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
แรงดันแหล่งระบาย	VdS	650	V
แรงดันเกต - มา	VGS	±30	V
ความสิ้นเปลืองการระบายต่อเนื่อง 1) , T=4 25 ° C	ID	44	ก
ความสิ้นเปลืองการระบายต่อเนื่อง 1) , T=4 100 ° C		27.8
ไฟพัลส์  ระบายความร้อน 2) , T=4 25 ° C	ID,  พัลส์	132	ก
ไดโอดต่อเนื่องเดินหน้า 1) , T=4 25 ° C	คือ	44	ก
ไดโอดพัลส์ ในปัจจุบัน 2) T=4 25 ° C	คือชีพจร	132	ก
แหล่งจ่ายไฟไม่กระจายกระแสไฟฟ้า 3) TC=50 25 ° C	PD	379	W
จ่ายพลังงานหิมะถล่มแบบเดี่ยว 5)	EAS	600	MJ
ความขรุขระ MOSFET DV/DT, VDS  =0 480 V	DV/DT	50	V/NS
Reverse ไดโอด  DV/DT, VDS  =0 0 480 V, ISD≤ID	DV/DT	50	V/NS
อุณหภูมิในการทำงานและเก็บรักษา	Tstg  TJ	-55 ถึง 150	° C

 ข้อมูลการสั่งซื้อ

แพ็คเกจ พิมพ์	หน่วย / ท่อ	ท่อ /    กล่องด้านใน	หน่วย /     กล่องด้านใน	กล่อง /  กล่องด้านใน	หน่วย /       กล่อง
TO247-J	30	20	600	4	2400

 ข้อมูลผลิตภัณฑ์
 

ผลิตภัณฑ์	แพ็คเกจ	ปราศจาก PB	RoHS	ปราศจากฮาโลเจน
OSG65R080HT3ZF	TO247	ใช่	ใช่	ใช่

ซัพพลายเชน

การประกาศผลิตภัณฑ์เป็นสีเขียว