ไดโอดกู้คืนความเร็วสูงทรานซิสเตอร์แรงดันสูง

• Certification: RoHS, ISO
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: High Frequency
• Power Level: Medium Power
• Function: Power Triode, Switching Triode
• ไม่ใช่ ของรุ่น: OSG65R038HZAF TO247
• Structure: NPN
• Material: Silicon
• คำอธิบาย: สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
• ที่มีลักษณะเฉพาะ: มีความเสถียรและความเป็นระเบียบดีเยี่ยม
• แอปพลิเคชัน: กำลังไฟของเครื่องพีซี
• ในอุตสาหกรรม: ไฟ LED
• พิมพ์: แท่นชาร์จ EV ความเร็วสูง
• การรับประกัน: 24 เดือน
• แพคเพจการขนส่ง: Carton
• ข้อมูลจำเพาะ: TO247
• เครื่องหมายการค้า: Orientalsemiconductor
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 854129000
• กำลังการผลิต: 20kkkk/Monthly

คำอธิบายสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

คำอธิบายทั่วไป

GreenMOS ® High-Voltage MOSFET ใช้เทคโนโลยีการปรับสมดุลการชาร์จเพื่อให้ได้การชาร์จบนเกตที่มีความต้านทานต่ำและการชาร์จบนเกตที่ต่ำกว่า เป็นระบบวิศวกรรมที่ช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าและให้ประสิทธิภาพของสวิตช์ที่เหนือกว่าและมีความสามารถในการเกิดหิมะถล่มที่ทรงพลัง
GreenMOS ® Z series มาพร้อมกับไดโอดกู้คืนความเร็วสูง (FRD) เพื่อลดเวลาในการกู้คืนจากระยะย้อนกลับ เหมาะสำหรับโครงสร้างของสวิตช์ที่มีความสั่นสะเทือนสูงเพื่อให้มีประสิทธิภาพสูงขึ้นมีความน่าเชื่อถือสูงขึ้นและมีขนาดเล็กลง

คุณสมบัติ                                                                                                    

• RDS ต่ำ (ON) และหมอก
• สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
• มีความเสถียรและความเป็นระเบียบดีเยี่ยม
• ไดโอดตัวที่รวดเร็วและทนทานเป็นพิเศษ
• AEC Q101 ขึ้นซึ่งมีคุณสมบัติเหมาะสมสำหรับการประยุกต์ใช้งานยานยนต์

แอปพลิเคชัน

• พลังงานของพีซี
• พลังงานโทรคมนาคม
• พลังงานของเซิร์ฟเวอร์
• เครื่องชาร์จ EV
• มอเตอร์ขับเคลื่อน

พารามิเตอร์ประสิทธิภาพหลัก

 

พารามิเตอร์	คุ้มค่า	หน่วย
VdS	650	V
ID, พัลส์	240	ก
RDS(on), สูงสุด @ VGS=10V	38	MΩ
Qg	175	NC

ข้อมูลการมาร์ก

 

ชื่อผลิตภัณฑ์	แพ็คเกจ	การมาร์ก
OSG65R038HZAF	TO247	OSG65R038HZA

ข้อมูลแพ็คเกจและ PIN
 

 การทดสอบ HTRB ทำที่ 600V เข้มงวดกว่าการทดสอบ AEC 80 .C (B5% V(BR) DSS) การทดสอบอื่นๆทั้งหมดจะดำเนินการตาม AEC Q101 ตรวจทาน E

 

พิกัดสัมบูรณ์ที่ TJ=0 25 ° C ยกเว้นในกรณีที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น
 

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
แรงดันแหล่งระบาย	VdS	650	V
แรงดันเกต - มา	VGS	±30	V
ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C	ID	80	ก
ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 100 ° C		50
ไฟพัลส์ระบายความร้อน 2) T=4 25 ° C	ID, พัลส์	240	ก
ไดโอดเดินหน้าต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C	คือ	80	ก
ไดโอดพัลส์ 2, T=4 25 ° C	คือชีพจร	240	ก
ไฟฟ้าไม่กระจายสัญญาณ 3),TC=50 25   ° C	PD	500	W
จ่ายพลังงานหิมะถล่มแบบเดี่ยว 5)	EAS	2048	MJ
MOSFET DV/DT ความขรุขระ , VDS=3... 0 480 V	DV/DT	100	V/NS
Reverse ไดโอด DV/DT, VDS=0 0 480 V, ISD≤ID	DV/DT	50	V/NS
อุณหภูมิในการทำงานและเก็บรักษา	Tstg, TJ	-55 ถึง 150	° C

ลักษณะเฉพาะของความร้อน
 

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
ความต้านทานความร้อน , กล่องรวมสาย	RθJC	0.25	° C/W
ความต้านทานความร้อน , สายกลางอากาศ 4)	RθJA	62	° C/W

คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ TJ=0 25 ° C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าการชำรุดจากแหล่งระบาย	BVDSS	650			V	VGS=0 0 V, ID=0 2 mA
แรงดันไฟฟ้าค่าขีดจำกัดเกต	VGS ( ไทย )	3.0		4.5	V	VdS=VGS, ID=0 2 mA
แหล่งระบายน้ำ ความต้านทานขณะ ON	RDS ( เปิด )		0.032	0.038	Ω	VGS=100 10 V, ID== 40 A
			0.083			VGS=0 10 V, ID=0 40 A, TJ=0 ° C 150 ° C
กระแสรั่วไหลที่เกต - แหล่ง	IGSS			100	ไม่มี	VGS=100 30 V
				-100		VGS=-30 V
กระแสรั่วไหลจากแหล่งระบาย	IDSS			10	μA	VdS=100 650 V, VGS=5 0 V
การต้านทานประตู	RG		2.1		Ω	ƒ = 1 MHz, ท่อระบายน้ำเปิด

คุณสมบัติที่มีการเปลี่ยนแปลงตลอดเวลา

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ความจุกระแสไฟฟ้าอินพุต	จูบ		9276		PF	VGS=100 0 V, VDS=5 50 V, ƒ = 100 kHz
ความจุกระแสไฟเอาต์พุต	ยิง		486		PF
ความจุกระแสไฟของการถ่ายโอนย้อน	ซีอาร์เอส		12.8		PF
ความจุกระแสไฟเอาต์พุตที่มีประสิทธิภาพ , เกี่ยวข้องกับพลังงาน	เพื่อน		278		PF	VGS=100 0 V, VDS=5 0 400 V-2 V
ค่าความจุกระแสไฟเอาต์พุตที่มีประสิทธิภาพ , เกี่ยวข้องกับเวลา	CO ( ชุด )		1477		PF
เวลาหน่วงก่อนเปิดเครื่อง	Td ( เปิด )		55.9		ไม่บุหรี่	VGS=0 10 V, VDS=0 400 V, RG) 2 Ω µ s, ID=40 A
เวลาขาขึ้น	ตอบ		121.2		ไม่บุหรี่
เวลาหน่วงก่อนปิดเครื่อง	Td ( ปิด )		114.2		ไม่บุหรี่
เวลาฤดูใบไม้ร่วง	TF		8.75		ไม่บุหรี่

ลักษณะเฉพาะของค่าธรรมเนียมประตูทางออก

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ยอดรวมค่าธรรมเนียมประตู	Qg		175.0		NC	VGS=100 10 V, VDS== 400 V, ID=40 A
ค่าธรรมเนียมที่มาที่ประตูทางออก	Qs		40.1		NC
ชาร์จเกตระบาย	Qgd		76.1		NC
แรงดันไฟฟ้าบริเวณชั้นทางเข้าออก	ที่ราบสูง		6.4		V

ลักษณะของไดโอดตัวกล้อง

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าด้านหน้าไดโอด	vSD			1.3	V	คือ =5 80 A, VGS=100 0 V
ย้อนเวลากลับสู่สภาพเดิม	สตริเออร์		180		ไม่บุหรี่	คือ = 30 A DI/DT=0 100 A/μs
ชาร์จการกู้คืนกลับด้าน	ระยะเวลา		1.5		UC
กระแสกลับสู่สถานะเดิมสูงสุด	เออร์ราม		15.2		ก

หมายเหตุ

1. กระแสต่อเนื่องที่คำนวณได้ตามอุณหภูมิสูงสุดที่ยอมรับได้ของข้อต่อ
2. อัตราการเกิดซ้ำ ; ความกว้างพัลส์จำกัดโดยอุณหภูมิรวมสายสูงสุด
3. PD อ้างอิงตามอุณหภูมิรวมสายสูงสุดโดยใช้ความต้านทานความร้อนของกล่องรวมสาย
4. VDD=0 100 V, VGS=5 10 V, L=MH 80 H, เริ่มต้น TJ=25 ° C