การเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ Pdfn5*5*5efg10r08GF 6 VdS-100V ID-100A RDS ( เปิด ) -7 มิลลิโอห์ม Qg-6nC 0.7 สำหรับคอนเวอร์เตอร์ DC-DC ที่สวิตช์ N-Channel Power MOSFET

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• ไม่ใช่ ของรุ่น: PDFN5*6 SFG10R08GF
• Structure: Diffusion
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• แพคเพจการขนส่ง: Carton
• เครื่องหมายการค้า: Orientalsemi
• ที่มา: China
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8541290000
• กำลังการผลิต: Over 1kk/Month

คำอธิบายสินค้า

คำอธิบายทั่วไป

SFGMOS ^® MOSFET อิงกับการออกแบบอุปกรณ์ที่เป็นเอกลักษณ์ของ Oriental Semiconductor เพื่อให้มีคุณสมบัติ RDS น้อย _{( เปิด ),} การชาร์จที่มีค่าประตูต่ำ , การสลับที่รวดเร็วและมีคุณลักษณะของหิมะถล่มที่ยอดเยี่ยม Vth ซีรี่ส์ที่ต่ำได้รับการออกแบบมาเป็นพิเศษเพื่อใช้ในระบบพลังงานที่ปรับให้ตรงกันที่มีแรงดันไฟฟ้าขณะขับขี่ต่ำ
 คุณสมบัติ

• RDS ต่ำ _(ON) และ หมอก
•   สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
• ความน่าเชื่อถือและ ความเป็นระเบียบที่ยอดเยี่ยม
• สลับการใช้งานได้รวดเร็วและ กู้คืนได้อย่างนุ่มนวล

 

แอปพลิเคชัน

• เครื่อง ชาร์จ PD
•  มอเตอร์ขับเคลื่อน
• การสลับอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า
•  ตัวแปลง DC-DC
•  แหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์

 

พารามิเตอร์ประสิทธิภาพหลัก

 

พารามิเตอร์	คุ้มค่า	หน่วย
VdS, MIN @ TJ( สูงสุด )	100	V
ID, พัลส์	300	ก
RDS (ON) สูงสุด @ VGS=10V	7	MΩ
Qg	60.7	NC

ข้อมูลการมาร์ก

 

ชื่อผลิตภัณฑ์	แพ็คเกจ	การมาร์ก
SFG10R08GF	PDFN5* 6	SFG10R08G

 

พิกัดสัมบูรณ์ที่ TJ=0 25 ° C ยกเว้นในกรณีที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
แรงดันแหล่งระบาย	VdS	100	V
แรงดันเกต	VGS	±20	V
ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C	ID	100	ก
ไฟพัลส์ระบายความร้อน 2) T=4 25 ° C	ID, พัลส์	300	ก
ไดโอดเดินหน้าต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C	คือ	100	ก
ไดโอดพัลส์ 2, T=4 25 ° C	คือชีพจร	300	ก
กระจายพลังงาน 3), TC=50 25 ° C	PD	148	W
จ่ายพลังงานหิมะถล่มแบบเดี่ยว 5)	EAS	130	MJ
อุณหภูมิในการทำงานและเก็บรักษา	Tstg,TJ	-55 ถึง 150	° C

 

ลักษณะเฉพาะของความร้อน

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	คุ้มค่า	หน่วย
ความต้านทานความร้อน , กล่องรวมสาย	RθJC	0.84	° C/W
ความต้านทานความร้อน , สายกลางอากาศ 4)	RθJA	62	° C/W

คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ TJ=0 25 ° C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าการชำรุดจากแหล่งระบาย	BVDSS	100			V	VGS=0 0 V, ID=0 μA 250
แรงดันไฟฟ้าค่าขีดจำกัดเกต	VGS ( ไทย )	1.0		2.5	V	VdS=VGS, ID=0 μA 250
แหล่งระบายน้ำ ความต้านทานขณะ ON	RDS ( เปิด )		5.8	7.0	MΩ	VGS=100 10 V, ID== 12 A
แหล่งระบายน้ำ ความต้านทานขณะ ON	RDS ( เปิด )		8.5	10.0	MΩ	VGS=100 4.5 V, ID== 9 A
กระแสรั่วไหลที่เกต - แหล่ง	IGSS			100	ไม่มี	VGS=100 20 V
				-100		VGS=-20 V
กระแสรั่วไหลจากแหล่งระบาย	IDSS			1	μA	VdS=100 100 V, VGS=5 0 V

 

คุณสมบัติที่มีการเปลี่ยนแปลงตลอดเวลา

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ความจุกระแสไฟฟ้าอินพุต	จูบ		3530		PF	VGS=100 0 V, VDS=5 50  V, ƒ = 1  MHz
ความจุกระแสไฟเอาต์พุต	ยิง		560		PF
ความจุกระแสไฟของการถ่ายโอนย้อน	ซีอาร์เอส		9.0		PF
เวลาหน่วงก่อนเปิดเครื่อง	Td ( เปิด )		22.5		ไม่บุหรี่	VGS=0 10 V, VDS=0 50 V, RG) 2 Ω µ s, ID=10 A
เวลาขาขึ้น	ตอบ		8.6		ไม่บุหรี่
เวลาหน่วงก่อนปิดเครื่อง	Td ( ปิด )		66.6		ไม่บุหรี่
เวลาฤดูใบไม้ร่วง	TF		42.1		ไม่บุหรี่

ลักษณะเฉพาะของค่าธรรมเนียมประตูทางออก

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
ยอดรวมค่าธรรมเนียมประตู	Qg		60.7		NC	VGS=100 10 V, VDS== 50 V, ID=10 A
ค่าธรรมเนียมที่มาที่ประตูทางออก	Qs		7.2		NC
ชาร์จเกตระบาย	Qgd		14.6		NC
แรงดันไฟฟ้าบริเวณชั้นทางเข้าออก	ที่ราบสูง		2.9		V

ลักษณะของไดโอดตัวกล้อง

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	ต่ำสุด	ปกติ	สูงสุด	หน่วย	เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าด้านหน้าไดโอด	vSD			1.3	V	คือ =5 30 A, VGS=100 0 V
ย้อนเวลากลับสู่สภาพเดิม	สตริเออร์		67		ไม่บุหรี่	VR_S = 50 V, เป็น == 10 A, DI/DT=0 100 A/μs
ชาร์จการกู้คืนกลับด้าน	ระยะเวลา		160		NC
กระแสกลับสู่สถานะเดิมสูงสุด	เออร์ราม		3.9		ก

หมายเหตุ

1. กระแสต่อเนื่องที่คำนวณได้ตาม อุณหภูมิสูงสุดที่ยอมรับได้ของข้อต่อ
2. อัตราการเกิดซ้ำ ; ความกว้างพัลส์จำกัดโดย อุณหภูมิรวมสายสูงสุด
3. PD อ้างอิงตามอุณหภูมิรวมสายสูงสุดโดยใช้ ความต้านทานความร้อนของกล่องรวมสาย
4.  ค่า ของ  RθJA   วัด โดย  ติดตั้งอุปกรณ์  บน     บอร์ด 2 in 1 FR-9  ที่มี 4  ออนซ์  ทองแดงในสภาพแวดล้อมที่อากาศยังคงมี อุณหภูมิ 25 ° C
5. VDD=0 50 V,VGS=0 10 V, L=MH 0.3 เริ่มต้น TJ=25 ° C

 

ข้อมูลการสั่งซื้อ

 

ประเภทแพ็คเกจ	หน่วย / ม้วน	ม้วนฟิล์ม / กล่องด้านใน	หน่วย / กล่องด้านใน	กล่อง / กล่องด้านใน	หน่วย / กล่อง
PDFN5* 6 C	5000	2	10000	5	50000

ข้อมูลผลิตภัณฑ์
 

ผลิตภัณฑ์	แพ็คเกจ	ปราศจาก PB	RoHS	ปราศจากฮาโลเจน
SFG10R08GF	PDFN5* 6	ใช่	ใช่	ใช่

 

ซัพพลายเชน

การประกาศผลิตภัณฑ์เป็นสีเขียว