• แหล่งจ่ายไฟ PC ระบบสนับสนุน PFC Osvg65r038hzaf T247 VdS 650V RDS38mΩ ไดโอดกู้ความเร็วสูง MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูง
  • แหล่งจ่ายไฟ PC ระบบสนับสนุน PFC Osvg65r038hzaf T247 VdS 650V RDS38mΩ ไดโอดกู้ความเร็วสูง MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูง
  • แหล่งจ่ายไฟ PC ระบบสนับสนุน PFC Osvg65r038hzaf T247 VdS 650V RDS38mΩ ไดโอดกู้ความเร็วสูง MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูง
  • แหล่งจ่ายไฟ PC ระบบสนับสนุน PFC Osvg65r038hzaf T247 VdS 650V RDS38mΩ ไดโอดกู้ความเร็วสูง MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูง
  • แหล่งจ่ายไฟ PC ระบบสนับสนุน PFC Osvg65r038hzaf T247 VdS 650V RDS38mΩ ไดโอดกู้ความเร็วสูง MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูง
  • แหล่งจ่ายไฟ PC ระบบสนับสนุน PFC Osvg65r038hzaf T247 VdS 650V RDS38mΩ ไดโอดกู้ความเร็วสูง MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูง

แหล่งจ่ายไฟ PC ระบบสนับสนุน PFC Osvg65r038hzaf T247 VdS 650V RDS38mΩ ไดโอดกู้ความเร็วสูง MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูง

พิมพ์: อินเวอร์เตอร์ของไฟฟ้ารถยนต์
การรับรอง: RoHS
คำอธิบาย: สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
ที่มีลักษณะเฉพาะ: มีความเสถียรและความเป็นระเบียบดีเยี่ยม
แอปพลิเคชัน: กำลังไฟของเครื่องพีซี
ในอุตสาหกรรม: ไฟ LED

ติดต่อซัพพลายเออร์

สมาชิกระดับโกลด์ อัตราจาก 2022

ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ

ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้า

ข้อมูลพื้นฐาน

ไม่ใช่ ของรุ่น
OSG65R038HZAF TO247
แพคเพจการขนส่ง
Air
เครื่องหมายการค้า
Orientalsemiconductor
ที่มา
China
รหัสพิกัดศุลกากร
854129000
กำลังการผลิต
20kkkk/Monthly

คำอธิบายสินค้า

คำอธิบายทั่วไป
GreenMOS ® High-Voltage MOSFET ใช้เทคโนโลยีการปรับสมดุลการชาร์จเพื่อให้ได้การชาร์จบนเกตที่มีความต้านทานต่ำและการชาร์จบนเกตที่ต่ำกว่า เป็นระบบวิศวกรรมที่ช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าให้ประสิทธิภาพของสวิตช์ที่เหนือกว่าและมีความสามารถในการเกิดหิมะถล่มที่มีประสิทธิภาพ
GreenMOS ® Z series มาพร้อมกับไดโอดกู้คืนความเร็วสูง (FRD) เพื่อลดเวลาในการกู้คืนจากระยะย้อนกลับ เหมาะสำหรับโครงสร้างของสวิตช์ที่มีความสั่นสะเทือนสูงเพื่อให้มีประสิทธิภาพสูงขึ้นมีความน่าเชื่อถือสูงขึ้นและมีขนาดเล็กลง

คุณสมบัติ
  • RDS ต่ำ (ON) และหมอก
  • สูญเสียการสลับไปใช้น้อยมาก
  • มีความเสถียรและความเป็นระเบียบดีเยี่ยม
  • ไดโอดตัวที่รวดเร็วและทนทานเป็นพิเศษ

แอปพลิเคชัน                                                                                             
  • พลังงานของพีซี
  • พลังงานโทรคมนาคม
  • พลังงานของเซิร์ฟเวอร์
  • เครื่องชาร์จ EV
  • มอเตอร์ขับเคลื่อน

พารามิเตอร์ประสิทธิภาพหลัก
 
พารามิเตอร์ คุ้มค่า หน่วย
VdS, MIN @ TJ( สูงสุด ) 700 V
ID, พัลส์ 240
RDS(on), สูงสุด @ VGS=10V 38
Qg 175 NC

ข้อมูลการมาร์ก
 
ชื่อผลิตภัณฑ์ แพ็คเกจ การมาร์ก
OSG65R038HZF TO247 OSG65R038HZ
พิกัดสัมบูรณ์ที่ TJ=0 25 ° C ยกเว้นในกรณีที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น
 
พารามิเตอร์ สัญลักษณ์ คุ้มค่า หน่วย
แรงดันแหล่งระบาย VdS 650 V
แรงดันเกต - มา VGS ±30 V
ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C
ID
80
ความสิ้นเปลืองของการระบายอย่างต่อเนื่อง 1), T=15 100 ° C 50
ไฟพัลส์ระบายความร้อน 2) T=4 25 ° C ID, พัลส์ 240
ไดโอดเดินหน้าต่อเนื่อง 1), T=15 25 ° C คือ 80
ไดโอดพัลส์ 2, T=4 25 ° C คือชีพจร 240
 ไฟฟ้าไม่กระจายสัญญาณ 3),TC=50 25   ° C PD 500 W
จ่ายพลังงานหิมะถล่มแบบเดี่ยว 5) EAS 2900 MJ
MOSFET DV/DT ความขรุขระ , VDS=3... 0 480 V DV/DT 100 V/NS
Reverse ไดโอด DV/DT, VDS=0 0 480 V, ISD≤ID DV/DT 50 V/NS
อุณหภูมิในการทำงานและเก็บรักษา Tstg, TJ -55 ถึง 150 ° C

ลักษณะเฉพาะของความร้อน
 
พารามิเตอร์ สัญลักษณ์ คุ้มค่า หน่วย
ความต้านทานความร้อน , กล่องรวมสาย RθJC 0.25 ° C/W
ความต้านทานความร้อน , สายกลางอากาศ 4) RθJA 62 ° C/W

คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ TJ=0 25 ° C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
พารามิเตอร์ สัญลักษณ์ ต่ำสุด ปกติ สูงสุด หน่วย เงื่อนไขการทดสอบ

แรงดันไฟฟ้าการชำรุดจากแหล่งระบาย

BVDSS
650    
V
VGS=0 0 V, ID=0 2 mA
700 770   VGS=0 0 V, ID=0 2 mA, TJ=0 150 ° C
เกณฑ์ขั้นต่ำของประตู
แรงดันไฟฟ้า
VGS ( ไทย ) 3.0   4.5 V VdS=VGS, ID=0 2 mA

แหล่งระบายน้ำ
ความต้านทานขณะ ON

RDS ( เปิด )
  0.032 0.038
Ω
VGS=100 10 V, ID== 40 A
  0.083   VGS=0 10 V, ID=0 40 A, TJ=0 ° C 150 ° C
กระแสรั่วไหลที่เกต - แหล่ง
IGSS
    100
ไม่มี
VGS=100 30 V
    -100 VGS=-30 V
กระแสรั่วไหลจากแหล่งระบาย IDSS     10 μA VdS=100 650 V, VGS=5 0 V
การต้านทานประตู RG   2.1   Ω ƒ = 1 MHz, ท่อระบายน้ำเปิด

คุณสมบัติที่มีการเปลี่ยนแปลงตลอดเวลา
พารามิเตอร์ สัญลักษณ์ ต่ำสุด ปกติ สูงสุด หน่วย เงื่อนไขการทดสอบ
ความจุกระแสไฟฟ้าอินพุต จูบ   9276   PF
VGS=100 0 V, VDS=5 50 V,
ƒ = 100 kHz
ความจุกระแสไฟเอาต์พุต ยิง   486   PF
ความจุกระแสไฟของการถ่ายโอนย้อน ซีอาร์เอส   12.8   PF
ความจุกระแสไฟเอาต์พุตที่มีประสิทธิภาพ , เกี่ยวข้องกับพลังงาน เพื่อน   278   PF
VGS=100 0 V, VDS=5 0 400 V-2 V
ค่าความจุกระแสไฟเอาต์พุตที่มีประสิทธิภาพ , เกี่ยวข้องกับเวลา CO ( ชุด )   1477   PF
เวลาหน่วงก่อนเปิดเครื่อง Td ( เปิด )   55.9   ไม่บุหรี่
VGS=0 10 V, VDS=0 400 V, RG) 2 Ω µ s, ID=40 A
เวลาขาขึ้น ตอบ   121.2   ไม่บุหรี่
เวลาหน่วงก่อนปิดเครื่อง Td ( ปิด )   114.2   ไม่บุหรี่
เวลาฤดูใบไม้ร่วง TF   8.75   ไม่บุหรี่

ลักษณะเฉพาะของค่าธรรมเนียมประตูทางออก
พารามิเตอร์ สัญลักษณ์ ต่ำสุด ปกติ สูงสุด หน่วย เงื่อนไขการทดสอบ
ยอดรวมค่าธรรมเนียมประตู Qg   175.0   NC

VGS=100 10 V, VDS== 400 V, ID=40 A
ค่าธรรมเนียมที่มาที่ประตูทางออก Qs   40.1   NC
ชาร์จเกตระบาย Qgd   76.1   NC
แรงดันไฟฟ้าบริเวณชั้นทางเข้าออก ที่ราบสูง   6.4   V

ลักษณะของไดโอดตัวกล้อง
พารามิเตอร์ สัญลักษณ์ ต่ำสุด ปกติ สูงสุด หน่วย เงื่อนไขการทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าด้านหน้าไดโอด vSD     1.3 V คือ =5 80 A, VGS=100 0 V
ย้อนเวลากลับสู่สภาพเดิม สตริเออร์   180   ไม่บุหรี่
คือ = 30 A
DI/DT=0 100 A/μs
ชาร์จการกู้คืนกลับด้าน ระยะเวลา   1.5   UC
กระแสกลับสู่สถานะเดิมสูงสุด เออร์ราม   15.2  

หมายเหตุ
  1. กระแสต่อเนื่องที่คำนวณได้ตามอุณหภูมิสูงสุดที่ยอมรับได้ของข้อต่อ
  2. อัตราการเกิดซ้ำ ; ความกว้างพัลส์จำกัดโดยอุณหภูมิรวมสายสูงสุด
  3. PD อ้างอิงตามอุณหภูมิรวมสายสูงสุดโดยใช้ความต้านทานความร้อนของกล่องรวมสาย
  4. ค่าของ RθJA วัดโดยติดตั้งอุปกรณ์บนบอร์ด 2 in 1 FR-9 ที่มี 4 ออนซ์ ทองแดงในสภาพแวดล้อมที่อากาศยังคงมีอุณหภูมิ 25 ° C
  5. VDD=0 300 V, VGS=5 10 V, L=MH 40 H, เริ่มต้น TJ=25 ° C

 

ส่งข้อซักถามของคุณไปยังผู้ให้บริการนี้โดยตรง

*ของ:
*ถึง:
*ข้อความ:

โปรดป้อนตัวอักษรระหว่าง 20 ถึง 4000 ตัว

นี้ไม่ใช่สิ่งที่คุณตามหา? โพสต์คำขอการจัดซื้อตอนนี้

สิ่งที่คุณอาจจะชอบ

ติดต่อซัพพลายเออร์

สมาชิกระดับโกลด์ อัตราจาก 2022

ซัพพลายเออร์ที่มีใบอนุญาตการทำธุรกิจ

ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้า
ทุนจดทะเบียน
10000000 RMB
พื้นที่โรงงาน
501~1000 ตารางเมตร