พบประมาณ 2812 สินค้า

โมดูล IGBT ของ Infineon ของแท้ในราคาส่ง FF450r12kt4. สำหรับรุ่นอื่น ๆ กรุณาปรึกษาบริการลูกค้า

ราคา FOB: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

เซิร์ฟเวอร์พลังงานไดโอดฟื้นฟูอย่างรวดเร็วตัวควบคุมแรงดันสูงโมสเฟต

ราคา FOB: US$0.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 660 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

หลอดอิเล็กตรอนแบบระบายความร้อนด้วยอากาศ Fu-728f เททรอดโลหะเซรามิกสำหรับขยายสัญญาณ

ราคา FOB: US$470-670 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: ISO
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Suitable for Long-Distance Transportation
  • มาตรฐาน: Simple tone output power 1.8kW
  • มาร์ค: Beijing Jenerator

ตัวควบคุมไตรแอกประสิทธิภาพสูงสำหรับโซลูชันการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพ

ราคา FOB: US$0.05-3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
  • มาตรฐาน: 40cm*40cm*20cm
  • มาร์ค: FUANSHI
  • ต้นกำเนิด: China
  • รหัส HS: 8541300000

40n50y to-247 40A โมสเฟตแบบแผ่นเรียบ

ราคา FOB: US$0.18-1.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ทรานซิสเตอร์พลังงาน IGBT ของอินฟิเนียน Ihw15n120r3 15A 1200V

ราคา FOB: US$0.8-1.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน

Transistors2sc5200 ชุดทดสอบมอสเฟตทรานซิสเตอร์

ราคา FOB: US$0.1-0.2 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
  • การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Ipp075n15n3g ทรานซิสเตอร์พลังงาน MOS แบบ N-Channel 60V 120A To220

ราคา FOB: US$0.8-1.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง
  • บรรจุภัณฑ์: /

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Bdx53 to-220c 100% ใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

BTA312-600b ไตรแอก - การสลับประสิทธิภาพสูงสำหรับการควบคุมพลังงาน AC

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

หลอดอิเล็กทรอนิกส์ RS3060cj (RS3060CJ, RS3060CJC, RS3060CL)

ราคา FOB: US$4,000-5,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

โมดูล IGBT ของ Infineon Bsm300GB120dlc_E3256 Bsm200GB170dlc_E3256 Bsm150GB120dlc_E3256 Bsm100GB120dlc_E3256 Bsm400GB120dlc_E3256

ราคา FOB: US$99-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม

รายการ BOM Hyg038n03lr1d ทรานซิสเตอร์ Mosfet G038n03 N-Channel เดี่ยว (เราทำ PCB PCBA)

ราคา FOB: US$0.03 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Standard
  • มาตรฐาน: Standard

การออกแบบขั้นสูง Vcmnt32D คอมโบทรานซิสเตอร์มอสเฟต, OEM Dfnwb2X2 SKD เซมิคอนดักเตอร์

ราคา FOB: US$0.0201-0.037 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ขายส่ง โมดูล IGBT แบรนด์ FUJI ของแท้ 2mbi150vh-170 2mbi200vh-170 2mbi300vh-170-50

ราคา FOB: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค โมสเฟตพลังงาน

ราคา FOB: US$0.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 660 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ท่ออิเล็กทรอนิกส์พลังงานไตรโอด ITL2-1 (ITL5-1, ITL12-1)

ราคา FOB: US$400-700 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: ISO
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Suitable for Long-Distance Transportation
  • มาตรฐาน: Output power 5kW
  • มาร์ค: Beijing Jenerator

ประสิทธิภาพสูง 6A ไตรโอด Fst06A-800bw ไตรแอก สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม

ราคา FOB: US$0.05-3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
  • มาตรฐาน: 40cm*40cm*20cm
  • มาร์ค: FUANSHI
  • ต้นกำเนิด: China
  • รหัส HS: 8541300000

Sc1r0n170y 5A 1700V to-247-3L ในสต็อก ไซลิคอนคาร์ไบด์ โมสเฟต ไดรเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์ บอม ใหม่ ของแท้

ราคา FOB: US$0.18-1.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ใหม่ Bt136-600e ไตรแอก 4A 600V to-220 ทรานซิสเตอร์ Bt136 600e

ราคา FOB: US$0.2-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Tube
  • มาตรฐาน: Plastic and copper

โซลูชันการผลิตแผงวงจรพิมพ์คุณภาพสูงสำหรับการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่เชื่อถือได้

ราคา FOB: US$0.1-0.2 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
  • การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ทรานซิสเตอร์กำลังสูง NPN 100V 25A Tip35c

ราคา FOB: US$0.18 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: /
  • มาตรฐาน: /
  • ต้นกำเนิด: China

ดิจิทัลอิเล็กทรอนิกส์คอมโพเนนต์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Stt818A Sot23-6L 100% ของใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Tip107: ทรานซิสเตอร์ PNP ดาร์ลิงตันสำหรับการควบคุมมอเตอร์และการสลับพลังงาน

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

โมดูลไดโอดซานเร็กซ์ Mds100ax1600V Mds75A1800V Mds200ax2000V Mds250ax160V Mds160ax1600V Mds150ax1600V

ราคา FOB: US$99-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม

ทริโอดอิเล็กทรอนิกส์สุญญากาศเซรามิกความถี่สูง (RS3021CJ, RS2048CJ)

ราคา FOB: US$1,300-1,800 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

การออกแบบที่จดสิทธิบัตร ทรานซิสเตอร์ NPN Bjt เซมิคอนดักเตอร์ VC2N4401Z TO-92 600mA วงจรรวม

ราคา FOB: US$0.0198-0.037 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • วัสดุ: ซิลิคอน

ต้นฉบับ Cla50e1200hb ไทริสเตอร์ SCR ประสิทธิภาพสูง 1.2 Kv 79 การกู้คืนมาตรฐาน (เรามีบริการ Bom PCB PCBA)

ราคา FOB: US$0.7 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • บรรจุภัณฑ์: Standard
  • มาตรฐาน: Standard

ขายส่งโมดูล IGBT ของ Infineon แท้ FF600r17me4

ราคา FOB: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

ทรานซิสเตอร์พลังงานแบบ P-Channel Enhancement Mode ในบรรจุภัณฑ์ SMD สำหรับวงจรป้องกันแบตเตอรี่ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ผลิตในประเทศจีน

ราคา FOB: US$0.1-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
แสดง: 10 30 50