เริ่มต้น หมวดหมู่สินค้า ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไตรโอด
พบประมาณ 2812 สินค้า

ฟวนชิประสิทธิภาพสูง Fst41z-1600bw 1600V 40A สวิตช์ไตรแอก

ราคา FOB: US$0.05-3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
  • มาตรฐาน: 40cm*40cm*20cm
  • มาร์ค: FUANSHI
  • ต้นกำเนิด: China
  • รหัส HS: 8541300000
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

Tk9j90e Tk7j90e K7j90e to-3p 9A 900V โมสเฟต N-ช่อง

ราคา FOB: US$0.18-1.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

2SA1941 2sc5198 to-3p A1941 C5198 ทรานซิสเตอร์ไอซี 2sc5198 2SA1941

ราคา FOB: US$0.24-0.42 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 50 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • มาตรฐาน: มาตรฐาน
  • มาร์ค: JDP/Original
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

โมดูล IGBT ของ Infineon FF450r12me4 FF600r12me4 FF450r17me4 FF600r17me4

ราคา FOB: US$99-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

D1555 2SD1555 ทรานซิสเตอร์สำหรับการส่งออกทีวีสี

ราคา FOB: US$6.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ขั้วบวกพลังงาน
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

ท่ออิเล็กทรอนิกส์เซรามิกโลหะความถี่สูง (ITL15-2, ITL12-1)

ราคา FOB: US$2,600-3,300 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

Irfz44n 55V 49A โมสเฟตพลังงาน N-Channel to-220

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

ดัชนี Mosfet Ceh2305 Sot-23-6 100% ของแท้ ใหม่

ราคา FOB: US$0.0848 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

การจัดส่งรวดเร็ว Ikw75n65es5xksa1 IGBT Trench 650V 80A 395W Pg-To247-3

ราคา FOB: US$0.001-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam
  • ต้นกำเนิด: China
  • รหัส HS: 8541100000
  • กำลังการผลิต: No Limit
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

เทคโนโลยีสูง 20V VC9320A MOSFET N-Channel SOT-723 สำหรับการออกแบบอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง

ราคา FOB: US$0.0127-0.035 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

โมดูล IGBT ความถี่สูงของ Infineon ของแท้ในราคาส่ง FF100r12ks4 FF150r12ks4 FF200r12ks4 FF300r12ks4

ราคา FOB: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: CE
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications
ติดต่อตอนนี้

MOSFET สวิตชิ่งพลังงานความเร็วสูงที่มี RDS ต่ำและการชาร์จประตูขั้นต่ำ ประสิทธิภาพการระเบิดที่ยอดเยี่ยมสำหรับ 10V และการควบคุมมอเตอร์ที่เหนือกว่า

ราคา FOB: US$0.1-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

ท่อระบายความร้อนสำหรับอุตสาหกรรมการทำความร้อน Ctk12-4

ราคา FOB: US$2,500-3,490 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: ISO
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Suitable for Long-Distance Transportation
  • มาตรฐาน: Output power 30kW
  • มาร์ค: Beijing Jenerator
ติดต่อตอนนี้

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ไตรแอกขั้นสูงสำหรับอุตสาหกรรมควบคุมอุตสาหกรรม

ราคา FOB: US$0.05-3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
  • มาตรฐาน: 40cm*40cm*20cm
  • มาร์ค: FUANSHI
  • ต้นกำเนิด: China
  • รหัส HS: 8541300000
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

Sc1r0n170y 5A 1700V to-247-3L ในสต็อก ไซลิคอนคาร์ไบด์ โมสเฟต ไดรเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์ บอม ใหม่ ของแท้

ราคา FOB: US$0.18-1.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

Irf2807pbf โมสเฟต N-ช่อง 75V 82A to-220ab Irf2807

ราคา FOB: US$0.2-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
ติดต่อตอนนี้

โมดูล IGBT ของ Infineon FF50r12rt4 FF75r12rt4 FF100r12rt4 FF150r12rt4 FF200r12kt4

ราคา FOB: US$99-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

ต้นฉบับ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ยูทีซี 2SD313 ทรานซิสเตอร์

ราคา FOB: US$0.015-0.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง
  • บรรจุภัณฑ์: Tube
  • มาตรฐาน: /
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

โลหะ เซรามิก อิเล็กทรอนิกส์ ไตรโอด (ITL12-1)

ราคา FOB: US$1,200-1,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Mjd31c to-252-2L 100% ใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.0682 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

Irfr9024n โมสเฟต P-Channel - 55V, 12A, ความต้านทานต่ำเพื่อการสลับพลังงานที่มีประสิทธิภาพ

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

Ru1c001untcl อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ทรานซิสเตอร์ Sot-323

ราคา FOB: US$1.0E-4-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • โครงสร้าง: PNP
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

การออกแบบที่ก้าวหน้าและมีสิทธิบัตรเฉพาะ Vc3904b Sot-23 ทรานซิสเตอร์ซิลิคอน NPN ส่วนประกอบเทคโนโลยีสูง

ราคา FOB: US$0.4-0.9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

โมดูล IGBT ของ Infineon ของแท้ในราคาส่ง Fz900r12ke4. สำหรับรุ่นอื่น ๆ กรุณาปรึกษาบริการลูกค้า

ราคา FOB: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications
ติดต่อตอนนี้

ทรานซิสเตอร์พลังงาน N-Channel Mosfet to-247-4 ขั้วเชื่อมต่อแหล่งที่มีความต้านทานต่ำสำหรับการชาร์จรถยนต์ไฟฟ้าในตัวแปลงสัญญาณ ผลิตในประเทศจีน

ราคา FOB: US$0.1-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

หลอดอิเล็กตรอนไตรโอดคุณภาพสูง E3061 สำหรับออสซิลเลเตอร์ในเครื่องทำความร้อนความถี่สูง (E3069, E3062C)

ราคา FOB: US$160-260 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: ISO
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Suitable for Long-Distance Transportation
  • มาตรฐาน: Output power 3.4kW
  • มาร์ค: Beijing Jenerator
ติดต่อตอนนี้

ประสิทธิภาพสูง 40A 800V ไตรแอคสำหรับโซลูชันการส่องสว่างอัจฉริยะ

ราคา FOB: US$0.05-3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
  • มาตรฐาน: 40cm*40cm*20cm
  • มาร์ค: FUANSHI
  • ต้นกำเนิด: China
  • รหัส HS: 8541300000
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

25n50mf to-220mf 25A 500V อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์มอสเฟต

ราคา FOB: US$0.18-1.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 3,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้

ใหม่ Bt136-600e ไตรแอก 4A 600V to-220 ทรานซิสเตอร์ Bt136 600e

ราคา FOB: US$0.2-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Tube
  • มาตรฐาน: Plastic and copper
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอ

โมดูล IGBT ของมิตซูบิชิ อิเล็คทริค Cm1200ha-66h Cm1200hc-66h Cm1200hb-66h Cm1200hg-66h

ราคา FOB: US$99-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
เริ่มสั่งซื้อ ติดต่อตอนนี้
1 8 9 10 11 12 94 ถัดไป
แสดง: 10 30 50

คำค้นยอดนิยม

แคตตาล็อก
ลักษณะของบริษัท
ประเภทธุรกิจ
ความสามารถด้านการวิจัยและพัฒนา
จังหวัดและภูมิภาค
ต้องการความช่วยเหลือ?
ศูนย์ช่วยเหลือ ข้อความ ข้อตกลงสำหรับผู้ใช้ นโยบายความเป็นส่วนตัว หน้าสัมผัส Made-in-China.com แผนที่ไซต์ ข้อมูลเชิงลึก
ตัวเลือกภาษา : English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국의 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
English Version Guide: Quick Products China Manufacturers Index Index of China Products Index of Global Companies
Copyright © 2026 Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
โฟกัสจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นๆของเว็บไซต์ หากมีข้อขัดแย้งใดๆให้ใช้ฉบับภาษาอังกฤษแทน การใช้งานเว็บไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้การยอมรับและยอมรับ ข้อกำหนดและเงื่อนไข ของเรา