ทรานซิสเตอร์ใหม่ to-220 Bt151-500/800 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ IC
ราคา FOB:
US$0.15-0.16 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- มาตรฐาน: Plastic and copper
- มาร์ค: CHN
- ต้นกำเนิด: Chn
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
D1710c 2SD1710 ทรานซิสเตอร์พลังงานซิลิคอนแบบกระจาย D1710
ราคา FOB:
US$0.4-4.4 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ดีเอชเอ็กซ์ โมสเฟต 2sj316 Sot-89 100% ของแท้ ใหม่
ราคา FOB:
US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
แหล่งจ่ายไฟ RF ทริโอดโลหะเซรามิก RF (3CX800A7)
ราคา FOB:
US$600-750 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
บริการระบุวัสดุสำหรับ MOSFET-247 2022+ ที่มีส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์ 20n65
ราคา FOB:
US$1.0E-4-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- โครงสร้าง: PNP
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Irfr024n โมสเฟต N-Channel - ประสิทธิภาพสูงสำหรับการป้องกันแบตเตอรี่และแหล่งจ่ายไฟ
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ IGBT คุณภาพสูง Fgh60n60 IGBT 600V 120A 378W To247 60n60 Fgh60n60SMD
ราคา FOB:
US$1.35-1.36 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- มาตรฐาน: Plastic and copper
- มาร์ค: CHN
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2sc3852 ทรานซิสเตอร์ขับเคลื่อนซิลิคอน NPN แบบเอพิตักเซียลแผนสำหรับโซลินอยด์และมอเตอร์
ราคา FOB:
US$0.93-3.22 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Dhx ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ 2str1230_2str2230 Sot-23-3 100% ใหม่แท้
ราคา FOB:
US$0.0843 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
เครื่องเชื่อม เครื่องขยายความถี่สูง (3CX20000H3)
ราคา FOB:
US$1,500-2,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ทรายกมาตรฐาน DIP to-220 BTA16-600brg ไทริสเตอร์ BTA16 BTA12 BTA208 BTA204 ซีรีส์
ราคา FOB:
US$0.06 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- มาตรฐาน: Standard
- ต้นกำเนิด: Original
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ต้นฉบับ 2SA1494 ทรานซิสเตอร์ PNP และ 2sc3858 NPN - ประสิทธิภาพสูง คุณภาพเชื่อถือได้
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์พลังงานคุณภาพสูง Irf530n ใหม่และแท้
ราคา FOB:
US$0.001-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- มาร์ค: CHN
- ต้นกำเนิด: Chn
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ใหม่ต้นฉบับ C5586 2sc5586 ไอเอสซี ซิลิคอน เอ็นพีเอ็น พาวเวอร์ ทรานซิสเตอร์ to-3
ราคา FOB:
US$0.41-0.45 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- โครงสร้าง: NPN
- บรรจุภัณฑ์: /
- มาตรฐาน: มาตรฐาน
- มาร์ค: /
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ดิจิทัลอิเล็กทรอนิกส์คอมโพเนนต์ โมสเฟตพีแชนแนล Str1p2uh7 Sot-23 100% ของใหม่แท้
ราคา FOB:
US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทริโอดโลหะเซรามิกความถี่สูงพิเศษ (ITK15-2, ITK12-1)
ราคา FOB:
US$2,300-3,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ทรานซิสเตอร์ N-Channel 30V 3.6A (Ta) 1.4W (Ta) แบบติดตั้งบนพื้นผิว Ao3406 ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกทรานซิสเตอร์ - Fets, Mosfets - แบบเดี่ยว Ao3407 Ao3407A Ao3409 Ao34
ราคา FOB:
US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- บรรจุภัณฑ์: N/a
- มาตรฐาน: DIP/SMD
- มาร์ค: N/A
- ต้นกำเนิด: Original
- กำลังการผลิต: 5000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Irfr540z 100V 33A โมสเฟต - ราคาที่แข่งขันได้ - รับรองโดย Made-in-China
ราคา FOB:
US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Ipp075n15n3g ทรานซิสเตอร์พลังงาน MOS แบบ N-Channel 60V 120A To220
ราคา FOB:
US$0.8-1.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- มาร์ค: Infineon
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ฟีต 47n60c3 Spw47n60c3 to-247 47A 650V โมสเฟต N-ช่อง
ราคา FOB:
US$11.74 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: PNP
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Dss4160ds-7 Sot-26 100% ใหม่แท้
ราคา FOB:
US$0.1281 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่อออสซิลเลเตอร์วาล์วสูญญากาศ, ไตรโอดเครื่องเชื่อม (3CX15000H3)
ราคา FOB:
US$1,300-1,700 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ต้นฉบับ Aon6404 N-Channel 30V 25A (Ta) , 85A (Tc) โมสเฟตทรานซิสเตอร์
ราคา FOB:
US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Svf12n65f 650V 12A โมสเฟตชนิด N-Channel สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ใหม่ต้นฉบับ Irfp4468 ทรานซิสเตอร์ Irfp4468pbf
ราคา FOB:
US$0.4-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ใหม่ต้นฉบับ K3667 2sk3667 to-220f 600V 7.5A ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ชนิด N-Channel
ราคา FOB:
US$0.14-0.22 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ดีเอชเอ็กซ์ โมสเฟต 2sj287 Sot-89 100% ของแท้ ใหม่
ราคา FOB:
US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดพลังงานส่งสัญญาณเซรามิกโลหะความถี่สูง (3CW20000A7)
ราคา FOB:
US$4,500-5,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ทรานซิสเตอร์ต้นฉบับ Irfb7540pbf to-220 โมสเฟตทรานซิสเตอร์พลังงาน
ราคา FOB:
US$0.01-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- บรรจุภัณฑ์: N/a
- มาตรฐาน: N/A
- มาร์ค: N/A
- ต้นกำเนิด: Original
- รหัส HS: 8541210000
- กำลังการผลิต: 500000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไอซีที่ผลิตในประเทศจีนที่เชื่อถือได้ Fqp65n06 - 60V โมสเฟตพลังงาน N-Channel, 65A, to-220 แพ็คเกจ
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China