พบประมาณ 2732 สินค้า

ทรานซิสเตอร์ใหม่ to-220 Bt151-500/800 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ IC

ราคา FOB: US$0.15-0.16 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • บรรจุภัณฑ์: Tube
  • มาตรฐาน: Plastic and copper
  • มาร์ค: CHN
  • ต้นกำเนิด: Chn
  • กำลังการผลิต: 10000

D1710c 2SD1710 ทรานซิสเตอร์พลังงานซิลิคอนแบบกระจาย D1710

ราคา FOB: US$0.4-4.4 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง

ดีเอชเอ็กซ์ โมสเฟต 2sj316 Sot-89 100% ของแท้ ใหม่

ราคา FOB: US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

แหล่งจ่ายไฟ RF ทริโอดโลหะเซรามิก RF (3CX800A7)

ราคา FOB: US$600-750 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

บริการระบุวัสดุสำหรับ MOSFET-247 2022+ ที่มีส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์ 20n65

ราคา FOB: US$1.0E-4-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • โครงสร้าง: PNP

Irfr024n โมสเฟต N-Channel - ประสิทธิภาพสูงสำหรับการป้องกันแบตเตอรี่และแหล่งจ่ายไฟ

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

ทรานซิสเตอร์ IGBT คุณภาพสูง Fgh60n60 IGBT 600V 120A 378W To247 60n60 Fgh60n60SMD

ราคา FOB: US$1.35-1.36 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Tube
  • มาตรฐาน: Plastic and copper
  • มาร์ค: CHN
  • ต้นกำเนิด: China

2sc3852 ทรานซิสเตอร์ขับเคลื่อนซิลิคอน NPN แบบเอพิตักเซียลแผนสำหรับโซลินอยด์และมอเตอร์

ราคา FOB: US$0.93-3.22 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • วัสดุ: ซิลิคอน

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Dhx ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ 2str1230_2str2230 Sot-23-3 100% ใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.0843 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

เครื่องเชื่อม เครื่องขยายความถี่สูง (3CX20000H3)

ราคา FOB: US$1,500-2,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

ทรายกมาตรฐาน DIP to-220 BTA16-600brg ไทริสเตอร์ BTA16 BTA12 BTA208 BTA204 ซีรีส์

ราคา FOB: US$0.06 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • บรรจุภัณฑ์: Standard
  • มาตรฐาน: Standard
  • ต้นกำเนิด: Original

ต้นฉบับ 2SA1494 ทรานซิสเตอร์ PNP และ 2sc3858 NPN - ประสิทธิภาพสูง คุณภาพเชื่อถือได้

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

ทรานซิสเตอร์พลังงานคุณภาพสูง Irf530n ใหม่และแท้

ราคา FOB: US$0.001-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • มาร์ค: CHN
  • ต้นกำเนิด: Chn

ใหม่ต้นฉบับ C5586 2sc5586 ไอเอสซี ซิลิคอน เอ็นพีเอ็น พาวเวอร์ ทรานซิสเตอร์ to-3

ราคา FOB: US$0.41-0.45 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • โครงสร้าง: NPN
  • บรรจุภัณฑ์: /
  • มาตรฐาน: มาตรฐาน
  • มาร์ค: /
  • ต้นกำเนิด: China

ดิจิทัลอิเล็กทรอนิกส์คอมโพเนนต์ โมสเฟตพีแชนแนล Str1p2uh7 Sot-23 100% ของใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ทริโอดโลหะเซรามิกความถี่สูงพิเศษ (ITK15-2, ITK12-1)

ราคา FOB: US$2,300-3,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

Irfr540z 100V 33A โมสเฟต - ราคาที่แข่งขันได้ - รับรองโดย Made-in-China

ราคา FOB: US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

Ipp075n15n3g ทรานซิสเตอร์พลังงาน MOS แบบ N-Channel 60V 120A To220

ราคา FOB: US$0.8-1.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง
  • มาร์ค: Infineon

ฟีต 47n60c3 Spw47n60c3 to-247 47A 650V โมสเฟต N-ช่อง

ราคา FOB: US$11.74 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: PNP

ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Dss4160ds-7 Sot-26 100% ใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.1281 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ท่อออสซิลเลเตอร์วาล์วสูญญากาศ, ไตรโอดเครื่องเชื่อม (3CX15000H3)

ราคา FOB: US$1,300-1,700 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

ต้นฉบับ Aon6404 N-Channel 30V 25A (Ta) , 85A (Tc) โมสเฟตทรานซิสเตอร์

ราคา FOB: US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Standard

Svf12n65f 650V 12A โมสเฟตชนิด N-Channel สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง

ใหม่ต้นฉบับ Irfp4468 ทรานซิสเตอร์ Irfp4468pbf

ราคา FOB: US$0.4-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • กำลังการผลิต: 10000

ใหม่ต้นฉบับ K3667 2sk3667 to-220f 600V 7.5A ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ชนิด N-Channel

ราคา FOB: US$0.14-0.22 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • บรรจุภัณฑ์: Tube

ดีเอชเอ็กซ์ โมสเฟต 2sj287 Sot-89 100% ของแท้ ใหม่

ราคา FOB: US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

หลอดพลังงานส่งสัญญาณเซรามิกโลหะความถี่สูง (3CW20000A7)

ราคา FOB: US$4,500-5,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

ทรานซิสเตอร์ต้นฉบับ Irfb7540pbf to-220 โมสเฟตทรานซิสเตอร์พลังงาน

ราคา FOB: US$0.01-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • บรรจุภัณฑ์: N/a
  • มาตรฐาน: N/A
  • มาร์ค: N/A
  • ต้นกำเนิด: Original
  • รหัส HS: 8541210000
  • กำลังการผลิต: 500000

ไอซีที่ผลิตในประเทศจีนที่เชื่อถือได้ Fqp65n06 - 60V โมสเฟตพลังงาน N-Channel, 65A, to-220 แพ็คเกจ

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง
แสดง: 10 30 50