พบประมาณ 2197 สินค้า

2SA2169 ซันโย 50V 10A A2169 ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (BJT)

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.25 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • บรรจุภัณฑ์: Standard
  • กำลังการผลิต: 10000

MD1803dfx ทรานซิสเตอร์พลังงาน NPN แรงดันสูงสำหรับจอ CRT ความละเอียดมาตรฐาน

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.87 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ขั้วบวกพลังงาน

แพทช์ Bav70lt1g Sot-23 100V/200mA 1 คู่ไดโอดสวิตช์คอมมอนแคโทด

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.04-0.06 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN

ทรานซิสเตอร์พลังงาน PNP ที่ผลิตในจีน 2sb817 2SD1047 B817 D1047

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.22-0.255 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ระบบชุมสาย

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ R6015anx ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์โมส to-220f แพ็คเกจ

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.5-1.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน

Mmbta42lt1g ต้นฉบับ Sot-23-3 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Mmbta42lt1g

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.12-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • มาตรฐาน: Tube
  • มาร์ค: JDP
  • ต้นกำเนิด: China

Ipb60r125cp โมสเฟต N-CH 600V 25A To263-3 ทรานซิสเตอร์

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.01-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: PNP

ซิลิคอนเอ็นช่องไอจีบีทีการสวิตช์พลังงานความเร็วสูง Rjp30e2

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 50 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: โลหะผสม

ออปโตคัปเปอร์ กระแสตรงเข้า 1-CH ทรานซิสเตอร์ กระแสตรงออก 4-Pin พีดิพ ไอซี Tlp781

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1-9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

Gt30f124 ทรานซิสเตอร์ท่อไตรโอด To220f ไอซี 30f124

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.97-0.99 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • บรรจุภัณฑ์: /
  • มาตรฐาน: /
  • มาร์ค: /
  • ต้นกำเนิด: China

ทรานซิสเตอร์ G4PC30fd Irg4PC30fd แพ็คเกจ to-247 600V 30A ไอจีบีที

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 5 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • มาตรฐาน: Tube
  • มาร์ค: JDP
  • ต้นกำเนิด: China

ทรานซิสเตอร์โมสเฟต N-CH 25V 220mA Sot23 Fdv301n

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.85-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 5,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • มาตรฐาน: Tube
  • มาร์ค: JDP
  • ต้นกำเนิด: China

Stw4n150 โมเสท N-Channel แรงดันสูง 4A/1500V ทรานซิสเตอร์ to-247

ราคา FOB อ้างอิง: US$12-13 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • มาตรฐาน: Package TO-247
  • รหัส HS: 85412100
  • กำลังการผลิต: 10000

โมสเฟตทรานซิสเตอร์ Irfp90n20 Irfp90n20d 90n20 to-247 พาวเวอร์ไตรโอด

ราคา FOB อ้างอิง: US$6.26 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน

ต้นฉบับในสต็อกทรานซิสเตอร์ Sot-23 (SOT-23-3) Bc817-25

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.012-0.013 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Tape
  • กำลังการผลิต: 1000000

บริดจ์เรกติฟายเออร์ มอสเบล ไดโอด 1A 1000V แพ็คเกจบริดจ์ไดโอดสำหรับหลอดไฟ LED

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,500 ชิ้น
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • กำลังการผลิต: 500000pieces/Year

ทรานซิสเตอร์ N-Channel NPN โมสเฟตคุณภาพสูง 400V 4A 75W Mje13005 13005 IC

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.09-0.15 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • บรรจุภัณฑ์: /
  • มาตรฐาน: /
  • ต้นกำเนิด: China
  • กำลังการผลิต: 10000

ท่ออิเล็กตรอนเซรามิกโลหะความถี่สูง 4CV100000C

ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC JINGGUANG
  • ต้นกำเนิด: China

บริดจ์เรกติฟายเออร์ไดโอด Kbp 1A 1000V แพ็คเกจบริดจ์ไดโอดสำหรับ LED

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.4 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,500 ชิ้น
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • กำลังการผลิต: 500000pieces/Year

Irf3415s Irf3415spbf ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์แรงดันต่ำและกระแสสูง 43A150V to-263

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.44-1.58 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน

ท่อขยายกำลังส่งสัญญาณไตรโอด (3CX1500D3)

ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

สะพานไดโอด Sihon Bridge Rectifier Skbp 1A 1000V แพ็คเกจสะพานไดโอดสำหรับไฟ LED

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,500 ชิ้น
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • กำลังการผลิต: 500000pieces/Year

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ NPN 50V 0.15A ทรานซิสเตอร์ 2sc2712 2sc2712-Y

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.01-0.03 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN

ทริโอดสูญญากาศโลหะเซรามิกความถี่สูง (3CPX800A7)

ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

สะพานรีกติฟายเออร์โรงงาน ไดโอด Mbf 1A 1000V แพ็คเกจสะพานไดโอดสำหรับ LED

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,500 ชิ้น
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • กำลังการผลิต: 500000pieces/Year

2sk1358 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ K1358 พาวเวอร์โมส to-3p

ราคา FOB อ้างอิง: US$5-6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน

ทริโอดอิเล็กตรอนเซรามิกความถี่สูง (3CX10000D3)

ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

สะพานซิโฮน ไดโอดรีกติเฟียร์ GBP 1A 1000V แพ็คเกจไดโอดบริดจ์สำหรับ LED

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,500 ชิ้น
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • กำลังการผลิต: 500000pieces/Year

2sc4161 ตัวควบคุมแรงดัน Applications 

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

เครื่องเชื่อมความถี่สูง ท่อออสซิลเลเตอร์โลหะเซรามิก (3CX10000A7)

ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China
แสดง: 10 30 50