ผู้ผลิตทรานซิสเตอร์ซิลิคอนเอพิตักเซียลแบบแผน NPN 13003
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.25-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูงที่ใช้เป็นแอมพลิฟายเออร์ RF เชิงเส้น 3cx10000A3
ราคา FOB อ้างอิง:
US$900-1,700 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: ISO
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Suitable for Long-Distance Transportation
- มาตรฐาน: Output power 12.4kW
- มาร์ค: Beijing Jenerator
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
ในสต็อก โมสเฟต มาคอม Mrf158 Mrf148A Mrf426 Mrf428 Mrf422
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- มาร์ค: Macom
- ต้นกำเนิด: Original
- กำลังการผลิต: 50000PCS/Month
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ขายดีทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์โมสเฟตต้นฉบับ Irfb9n60apbf Irf9z24
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.6-1.99 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- บรรจุภัณฑ์: Reel Tray Tape Tube Bag
- มาตรฐาน: TO-220-3
- มาร์ค: Vishay
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT ประสิทธิภาพสูง โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT ทรานซิสเตอร์ IGBT
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.77-29.77 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Bt136 ซีรีส์ 4A ไตรแอกส์ 4 สี่ควอดแรนต์ ไตรแอกส์ Vgt: 1.5V Vrrm: 600V 800V
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.08 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 3,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 3,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ใหม่ คุณภาพสูง to-220ab Irf3205 ซัพพลายเออร์ โมสเฟต ทรานซิสเตอร์ Irf3205pbf
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.3 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 500 pieces
ปริมาณต่ำสุด: 500 pieces
- การรับรอง: RoHS,CE
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์โมสเฟต P-Channel ที่เชื่อถือได้ Ao4435 -30V สำหรับการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพ
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.05 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 20,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 20,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ทรานซิสเตอร์สำหรับชิปวงจรรวมและโมดูลเซมิคอนดักเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.2 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
- การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Svs47n60pn สวาซิแลนด์ SL เอเจนต์ Original Stock 47A 600V DP MOS ทรานซิสเตอร์ไฟฟ้า
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.19-2.28 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Ipw90r120c3 อินฟิเนอน โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 9r120c
ราคา FOB อ้างอิง:
US$9.03 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 250 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 250 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่ออิเล็กทรอนิกส์สูญญากาศเซรามิกโลหะความถี่สูง (3CX2500A3, 3CX2500F3, 3CX2500H3)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$400-500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ไดโอด 10A 1000V หลอดฟอตอมัลติพลายเออร์ ทรานซิสเตอร์ IGBT ทรานซิสเตอร์มอสเฟต ราคาไดโอด 10A 1000V
ราคา FOB อ้างอิง:
US$5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS ทรานซิสเตอร์โมสเฟต
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.12-15 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Irfr4105 ทรานซิสเตอร์ - ปฏิบัติตามมาตรฐาน RoHS - ผู้ผลิตที่เชื่อถือได้ในประเทศจีน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Ihw20n65r5xksa1 ทรานซิสเตอร์ Ihw20n65r5 to-247-3 Ihw20n135r5xksa1
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.0E-4-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
เทเลคอมพาวเวอร์ วีดีเอส 650V มอสเฟตพาวเวอร์ฟาสต์รีคัฟเวอรี
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 660 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 660 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Shanghai, China
ขายส่งโมดูล IGBT ของ Infineon แท้ FF200r12kt4/FF300r12kt4/FF450r12kt4
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
หลอดอิเล็กตรอนเซรามิกไตรโอด Itl2-1 สำหรับเครื่อง Hf (ITL9-1, ITL12-1)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$400-700 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: ISO
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Suitable for Long-Distance Transportation
- มาตรฐาน: Output power 5kW
- มาร์ค: Beijing Jenerator
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
การฟื้นฟู ไดโอด ทริโอด คุณสมบัติ การใช้งาน การผลิต การสลับพลังงาน ความถี่สูง
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.05-3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
- มาตรฐาน: 40cm*40cm*20cm
- มาร์ค: FUANSHI
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 8541300000
- รัฐ / จังหวัด: Hebei, China
700V 0.26Ω ซุปเปอร์จังก์ชันพาวเวอร์โมสเฟต WML15N70C4
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.358 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- มาตรฐาน: metal
- มาร์ค: Merryelc
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ราคาดีสำหรับบอร์ดประเมินของ Macom Du2880u Mrf171A Npa1003QA Npa1006 Ma4p1250nm-1072t Ma4p1250-1072t
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- มาร์ค: Macom
- ต้นกำเนิด: Original
- กำลังการผลิต: 50000PCS/Month
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ใหม่ ทรานซิสเตอร์ Bt139b-600e
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.18-0.35 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Reel Tray Tape Tube Bag
- มาตรฐาน: TO-263
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
สอดคล้องกับ RoHS โมสเฟตพลังงาน N-Channel 650V, 40A, 0.099ω Lsc65r099GF
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.78 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไฮเทค ไอจีบีที อินฟิเนียน ไอจีบีที ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.77-29.77 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2301 ทรานซิสเตอร์ 20V โมสเฟตพี-แชนแนล
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.006 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 30,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 30,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Elq3h7 (TA) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์ต้นฉบับ ออปโตไอโซเลเตอร์ 3.75kv 4CH ทราน 16-Ssop
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
การประกอบชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูงสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.2 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
- การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Svf23n50pn Original Silvan Agent 233A 500V MOS การพิมพ์ 23n50
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.19-2.28 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Bzx84c11 Bzx84-C11 11V 350MW ไดโอดเซนเนอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.06 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 3,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 3,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Roll
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China